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[发明专利]用于存储器系统的虚拟地址-CN202280020103.7在审
发明人： B·霍尔农;T·M·布鲁尔 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F12/109 文献下载
摘要：描述用于存储器系统的虚拟地址的方法、系统和装置。在一些实例中，可跨包含于一或多个域中的多个存储器装置共享虚拟地址空间。所述存储器装置能够彼此直接通信。举例来说，第一存储器装置可经配置以生成数据包，所述数据包包含标识符和包含于所述共享虚拟地址空间中的地址。所述数据包可基于所述标识符而被发送到第二存储器装置，且所述第二存储器装置可基于所述地址而存取物理地址。
用于存储器系统虚拟地址

[发明专利]使用W2W熔合接合将碳纳米纤维集成到半导体装置中的方法及设备-CN202310433191.X在审
发明人：周卫;B·K·施特雷特;A·R·格里芬 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本公开涉及使用W2W熔合接合将碳纳米纤维集成到半导体装置中的方法及设备。一种包含用于热耗散的碳纳米纤维CNF的半导体装置组合件具有CNF层。模制化合物囊封所述CNF层以形成经囊封CNF层。所述模制化合物在所述经囊封CNF层内的个别邻近CNF之间延伸，且所述经囊封CNF层内的个别CNF的至少一部分的上边缘沿所述经囊封CNF层的上表面暴露。所述CNF层的所述上表面可移除地附接到载体晶片的底部表面。
使用 w2w 熔合接合纳米纤维集成半导体装置中的方法设备

[发明专利]使用原子层沉积在三维存储器阵列中形成存储器单元-CN202310447091.2在审
发明人： P·凡蒂尼;S·W·鲁塞尔;E·瓦雷西;L·弗拉汀 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：本申请涉及使用原子层沉积ALD在三维存储器阵列中形成存储器单元。所述方法可包含将层堆叠沉积在衬底上方以及穿过所述层堆叠形成多个墩。所述方法可进一步包含穿过所述层堆叠形成多个空腔以及在所述层堆叠的层之间形成多个空隙。另外，所述方法可包含基于将导电材料沉积在所述空隙中而形成多个字线，以及基于使用ALD将活性材料沉积在所述空腔的内表面之上而形成多个存储器单元。
使用原子沉积三维存储器阵列形成单元

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202310244629.X在审
发明人：王宜平;A·W·扎克斯勒;N·比利克 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括处于导体层面正上方的交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面的沟道材料串。所述沟道材料串通过所述导电层面的最下部的导电材料与所述导体层面的导体材料直接电耦合。紧靠在所述最下部导电层面正上方的所述绝缘层面的绝缘材料直接抵靠所述最下部导电层面的所述导电材料的顶部。所述绝缘材料包括氧化铝、氧化铪、氧化锆和经碳掺杂的绝缘材料中的至少一者。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列形成方法

[发明专利]评估背景泄漏以选择存储器装置中的写入电压-CN202280012991.8在审
发明人： N·N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里;鹿中原 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置的控制器评估背景泄漏，以便选择用于在执行编程操作时施加到所述存储器单元的写入电压。从两个或更多个写入电压动态选择所述写入电压。这些写入电压包含作为正常或默认电压的第一写入电压，以及作为升高的写入电压的第二写入电压。所述控制器将预感测电压及预读取电压施加到所述存储器单元，且确定源自施加这些电压的第一及第二相应电流。响应于确定所述第一电流超过第一阈值(指示背景泄漏)，且所述第二电流低于大于所述第一阈值的第二阈值(指示所述存储器单元不跳变)，所述控制器选择所述第二(升高的)写入电压。
评估背景泄漏选择存储器装置中的写入电压

[发明专利]用于每行错误擦除信息寄存器的设备、系统和方法-CN202310251112.3在审
发明人： S·艾亚普利迪 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：用于每行错误擦除信息寄存器的设备、系统和方法。模式寄存器可包含每行错误校正和擦除pRECS启用寄存器，以启用pRECS模式。当启用所述prECS模式时，可收集与每个行相关联的pRECS信息，所述pRECS信息反映沿着所述行存储的在错误校正和擦除ECS操作期间被确定为包含错误的码字的数目。所述存储器可将所述pRECS信息存储在存储器阵列中，例如，每个行可存储与所述行相关联的所述pRECS信息。pRECS地址寄存器可指定所述存储器阵列中用以存储所述pRECS信息的位置。
用于每行错误擦除信息寄存器设备系统方法

[发明专利]用于管理元数据安全性和存取的设备、系统和方法-CN202310436144.0在审
发明人： A·苏吉特 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：用于管理对存储在存储器处的元数据的存取的设备、系统和方法。为了管理对元数据的存取，模式寄存器经配置以接收元数据启用设置，且基于所述元数据启用设置提供元数据启用信号。元数据存取控制电路经配置以接收识别将在存储器阵列内存取的特定列的列地址。所述元数据存取控制电路当所述列地址匹配经指定用于存储元数据的多个特定列地址中的一者且所述元数据启用信号具有第一值时阻止存取对应于所述列地址的列，且当所述列地址不同于经指定用于存储元数据的所述多个特定列地址中的每一者或所述元数据启用信号具有第二值时准许存取对应于所述列地址的列。
用于管理数据安全性存取设备系统方法

[发明专利]用于存储器的数据屏蔽-CN202310446336.X在审
发明人： A·维斯孔蒂;J·亚瓦尼法尔德;D·维梅尔卡蒂 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：本申请案涉及用于存储器的数据屏蔽。存储器装置可在通电时为相关联存储器阵列设置多个数据屏蔽旗标。每一数据屏蔽旗标可与存储器单元的相应页面相关联，且可指示存储在所述相应页面中的数据是否为经屏蔽数据，或者所述数据是否为新的、未经屏蔽的数据。先前断电时存在的数据可被屏蔽直到在通电之后在所述页面上执行初始写入或激活命令为止，其中所述初始写入或激活命令可导致将经屏蔽数据、写入数据或其组合写入到所述页面。在将先前存储的数据覆写到一页面之后，可复位与所述页面相关联的所述旗标，其可指示存储在所述页面处的数据可被读取。
用于存储器数据屏蔽

[发明专利]用于每行错误擦除信息的设备、系统和方法-CN202310252216.6在审
发明人： S·艾亚普利迪 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：用于每行错误校正和擦除pRECS信息的设备、系统和方法。可存在与每个行相关联的pRECS信息，且其可反映沿着所述行存储的在错误校正和擦除ECS操作期间被确定为包含错误的码字的数目。所述存储器可将所述pRECS信息存储在存储器阵列中，例如，每个行可存储与所述行相关联的所述pRECS信息。
用于每行错误擦除信息设备系统方法

[发明专利]用于非易失性数据保护的技术-CN202310457814.7在审
发明人： B·D·克斯特特;D·M·摩根;A·J·威尔逊 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及用于非易失性数据保护的技术。作为通电操作的部分，非易失性存储器系统可经配置以选择性地存储数据。举例来说，所述存储器系统可确定主机系统是否被授权存取在断电操作之前存储于所述存储器系统中的数据。如果所述存储器系统确定所述主机系统被授权，那么所述存储器装置可留存所述数据。如果所述存储器系统确定所述主机系统未被授权，那么存储器系统可擦除所述数据的全部或一部分。在一些情况下，所述存储器系统可维持留存旗标以确定所述主机系统是否被授权。另外或替代地，所述存储器系统可确定从所述主机系统接收的密码是否有效以确定所述主机系统是否被授权。
用于非易失性数据保护技术

[发明专利]用于管理存储器处的元数据存储的设备、系统及方法-CN202310471233.9在审
发明人： S·艾亚普利迪 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于管理存储器处的元数据存储的设备、系统及方法。在元数据存取操作期间，元数据列地址产生器经配置以解码少于所述列地址的所有位的子集以确定对应于存储器阵列的列平面中的特定者的元数据列地址及元数据列平面地址。列解码器经配置以促进双循环存取操作以基于所述列地址将数据写入到所述多个列平面或从所述多个列平面检索数据及将元数据写入到对应于与所述列平面地址对应的所述列平面中的所述特定者的所述元数据列地址的特定列或从所述特定列检索元数据。
用于管理存储器数据存储设备系统方法

[发明专利]存储器阵列以及形成存储器阵列的方法-CN202311132134.4在审
发明人： D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及一种存储器阵列以及形成存储器阵列的方法。本发明揭示一种包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层的存储器阵列，该存储器单元个别包括晶体管，该晶体管包括第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域及栅极，该第一源极/漏极区域及该第二源极/漏极区域具有介于其之间的沟道区域，该栅极操作性地接近该沟道区域。该沟道区域的至少一部分针对该部分中的水平电流来水平定向于该第一源极/漏极区域与该第二源极/漏极区域之间。该存储器单元的电容器包括具有介于其之间的电容器绝缘体的第一电极及第二电极。该第一电极电耦合到该第一源极/漏极区域。水平纵向伸长感测线位于该存储器单元层中的个别者中。
存储器阵列以及形成方法

[发明专利]预通材料在各向异性导体中的使用-CN202010082415.3有效
发明人： M·E·塔特尔;J·F·克丁;O·R·费伊;中野永一;罗时剑 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请涉及预通材料在各向异性导体中的使用。一种半导体装置组合件具有第一衬底、第二衬底和各向异性导电膜。所述第一衬底包含第一多个连接器。所述第二衬底包含第二多个连接器。所述各向异性导电膜定位在所述第一多个连接器与所述第二多个连接器之间。所述各向异性导电膜具有电绝缘材料以及通过所述电绝缘材料横向分隔开的多个互连件。所述多个互连件形成从所述第一多个连接器延伸到所述第二多个连接器的导电通道。一种方法包含将所述多个互连件连接到所述第一多个连接器和所述第二多个连接器，使得所述导电通道可操作以将电从所述第一衬底传导到所述第二衬底。所述方法可包含通过所述多个互连件传送电流。
材料各向异性导体中的使用

[发明专利]减少存储器裸片中的线间电容耦合-CN201880049536.9有效
发明人： M·V·霍;S·E·史密斯 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请案涉及减少存储器裸片中的线间电容耦合。描述用于减少存储器裸片中的线间电容耦合的方法、系统和装置。一种装置可包含经配置以驱动锁存的数据并且还进行读取和写入操作的多个驱动器。举例来说，存储器装置可含有独立地经由两个数据线耦合到两个驱动器的两个或更多个存储器阵列。可强力驱动一个数据线以遮蔽对应存储器阵列免受与数据线电容耦合相关联的效应的影响。可用关于相对数据线耦合到的所述存储器阵列的存取操作的数据驱动所述相对数据线。可与另一数据线同时或在小时间差内驱动所述相对数据线。
减少存储器中的电容耦合

[发明专利]用于保护存储器电路中的晶体管的设备及方法-CN201910855077.X有效
发明人：石原隆志;延原航 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请案涉及用于保护存储器电路中的晶体管的设备及方法。一种半导体装置可包含多层级布线结构，所述多层级布线结构包括第一层级布线层、第二层级布线层及所述第一层级布线层与所述第二层级布线层之间的绝缘层。所述装置还可包含：接合垫；第一布线，其从所述接合垫延伸；及第二布线，其通过所述绝缘层至少部分地与所述第一布线重叠以电容性地耦合到所述第一布线。所述第一布线及所述第二布线可各自分别形成为所述第一层级布线层及所述第二层级布线层。所述装置还可包含经配置以DC耦合到所述第二布线的保护电路。所述第一层级布线层可包含重分布层RDL。
用于保护存储器电路中的晶体管设备方法

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