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[发明专利]存储单元及具有其的3D存储器装置-CN202110918232.5在审
发明人：杨志祥;龙翔澜;简维志;郑政玮;布莱斯凯·马修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元，形成在第一电极与第二电极之间的柱体结构中，包含叠层封装结构。在一示例中，该柱体包含电性串联于第一电极与第二电极之间的双向阈值开关材料的一主体、多个碳系中间层、多个金属层、和相变化存储器材料的一主体。叠层封装结构环绕该柱体。叠层介电封装结构包括至少三个共形层，包含一第一层材料、不同于第一层材料的一第二层材料的一第二共形层、和不同于第二层材料的一第三层材料的一第三共形层。
存储单元具有存储器装置

[发明专利]双主轴加工的运动控制方法及双主轴加工设备-CN202210007399.0在审
发明人： 简维志;赖孟隆 -专利权人：仁一生医股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05B19/4155 文献下载
摘要：本发明公开了一种双主轴加工的运动控制方法及双主轴加工设备，控制装置依据第一及第二控制资料分别地进行分段切割与检查点设定的资料重整，以对应形成第一及第二指令序列，由此同时控制两个运动控制卡，使运动控制卡后端所耦接的两个加工装置可在工件的两相反侧进行加工工序。通过在指令序列中所设置的检查点，使各具有一个加工工具的加工装置之间具有协作机制，在两个指令序列皆到达检查点时，控制装置才能继续发送下一段指令给两个运动控制卡，这样，使得同步运动的双主轴设备不但能发挥单边单独加工时的高效率特性，还同时具有双边协作特性，解决了双主轴同步运动时的相互干扰而致生毁损的问题。
主轴加工运动控制方法设备

[发明专利]存储器装置与集成电路-CN202010347877.3在审
发明人： 简维志;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置与集成电路，存储器装置包括位于第一和第二电极之间的相变存储器材料体上的碳沉积物，例如碳缓冲层。碳沉积物可提高相变存储器单元的耐久性五个或更多数量级。实施例包括“蘑菇”型存储器元件，以及包括3D阵列的交叉点元件的其他类型。
存储器装置集成电路

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202010299254.3在审
发明人： 简维志;龚南博;龙翔澜;马修·乔瑟夫·布莱特史凯;克里斯多福·米勒 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器系统及其操作方法，具体为一种多层单元的一选择器一控制器三维交叉点存储器系统，包括至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构，此结构包括相变存储器单元以及阈值开关选择器的叠层配置。导电位线与双向阈值开关选择器电性连通，而导电字线则与相变存储器单元信号连通。控制器与位线以及字线电性连通。控制器是设置以从不同电压脉冲的族群中选择至少一个电压脉冲，此族群包括读取脉冲、部分设定脉冲、设定脉冲、部分复位脉冲以及复位脉冲，且控制器还设置以将已选择的至少一电压脉冲传送到至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]集成电路及存储器阵列中的被选存储单元的写入方法-CN201711231878.6有效
发明人：龙翔澜;简维志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路，包含存储器阵列，存储器阵列包含多个存储单元，存储单元配置在多条第一存取线及多条第二存取线的对应的交叉点处。被选存储单元具有设置状态的第一阈值电压Vth(S)及复位状态的第二阈值电压Vth(R)。控制电路被配置以在写入期间施加写入电压Vw至被选第一存取线，在读取操作期间施加读取电压Vr至被选第一存取线，且在写入及读取操作期间施加相同的抑制电压Vu至未被选第一及第二存取线，其中1/2Vw＞Vu＞Vw‑Vth(S)。
集成电路存储器阵列中的存储单元写入方法

[发明专利]存储器装置以及存储器的数据存取方法-CN201910787482.2在审
发明人： 简维志;何信义;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种存储器装置以及存储器的数据存取方法。数据存取方法包括：接收数据擦除命令以执行数据擦除动作；以及，在数据擦除动作中：依据数据擦除命令以设定存储器中的选中存储单元区块；提供对应该选中存储单元区块的标识存储单元，依据数据擦除命令擦除标识存储单元中的数据，并使选中存储单元区块中的多个选中存储单元中的数据维持不变。如此一来，可大幅降低数据擦除动作所需的时间，并节省所需消耗的电能，提升存储器的整体性能。
存储器装置以及数据存取方法

[发明专利]相变储存元件及其应用-CN201610912774.0有效
发明人： 简维志;郑怀瑜;叶巧雯;金相汎;马修·J·必实凯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商业机器股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种相变储存元件、包含此相变储存元件的集成电路芯片及其制作方法。此相变储存元件包括一个相变储存区具有多重的相变区域(例如两个)，具有不同相变材料，串联于写入/读取线和选择元件的导电端之间。
相变储存元件及其应用

[发明专利]抗短路芯片级封装-CN201710636661.7有效
发明人： 简维志;郭盈志 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：抗短路CSP包括隔离层、导电RDL以及绝缘层。导电RDL在隔离层上并包括第一RDL段和第二RDL段。绝缘层包括在隔离层和第一RDL段之间的第一绝缘部分以改进第一RDL段和第二RDL段之间的电隔离。用于防止CSP的导体之间短路的方法包括(1)在第一基板区域上沉积第一绝缘层，(2)在第一绝缘层上沉积RDL段，第一绝缘层的至少部分在第一RDL段和第一基板区域之间，以及(3)在第二基板区域上方的基板上沉积第二RDL段，以便第一绝缘层截断第一RDL段和第二RDL段之间的漏电流路径。
短路芯片级封装

[发明专利]存储器装置与其操作方法-CN201510361901.8有效
发明人： 简维志;何永涵 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置与其操作方法，该操作方法包括：决定该存储器装置的一操作状态；当决定该存储器装置操作于一第一操作状态时，施加一重设脉冲至该存储器装置；当决定该存储器装置操作于一第二操作状态时，施加该重设脉冲与至少一第一递增式脉冲设定检验电流至该存储器装置，该第一递增式脉冲设定检验电流的一最大可允许电流低于一熔化电流；当决定该存储器装置操作于一第三操作状态时，施加该重设脉冲与至少一第一相同脉冲设定检验电流至该存储器装置，该第一相同脉冲设定检验电流的一最大可允许电流低于该熔化电流；以及当决定该存储器装置操作于一第四操作状态时，施加一设定脉冲至该存储器装置。
存储器装置与其操作方法

[发明专利]存储器装置与其操作方法-CN201510261368.8有效
发明人：何信义;龙翔澜;简维志;陈土顺;陈嘉荣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置与其操作方法，该存储器装置的操作方法包括下列步骤：执行编程操作以将原始数据写入至存储器装置中的第一存储器阵列；验证第一存储器阵列中的原始数据，并依据验证结果而决定是否产生写入讯号；依据原始数据产生错误校正码，并将错误校正码与写入地址暂存在存储器装置中的缓冲电路；以及，当写入讯号被产生时，将缓冲电路中的错误校正码与写入地址写入至存储器装置中的第二存储器阵列。
存储器装置与其操作方法

[发明专利]用于限制封装高度并减少边缘闪光的图像传感器封装-CN201810520561.2在审
发明人： 简维志;林蔚峰 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种用于限制封装高度并减少边缘闪光的图像传感器封装。在一个实施例中，所述图像传感器封装包括硅衬底；图像传感器像素阵列，其形成在所述硅衬底上；外围电路区，其形成在所述硅衬底上的所述图像传感器像素阵列周围；再分布层RDL，其电耦合到所述外围电路区；至少一个焊球，其电耦合到所述RDL；及护罩玻璃，其耦合到所述RDL。所述RDL的任何部分都不定位在所述图像传感器像素阵列的正上方或正下方。所述至少一个焊球的任何部分都不定位在所述硅衬底的正上方或正下方。实施暗材料层以防止所述图像传感器像素阵列的边缘闪光效应。
图像传感器像素硅衬底图像传感器封装外围电路区电耦合焊球封装闪光护罩玻璃闪光效应再分布层材料层申请案耦合到

[发明专利]一种存储器装置及提供该存储器装置的方法-CN201510033933.5有效
发明人：龙翔澜;吴昭谊;简维志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及提供该存储器装置的方法。该存储器装置包括第一组存储单元以及第二组存储单元，第一组存储单元与第二组存储单元具有存储器元件以及位于第一与第二组存储单元上的第一与第二覆盖材料。第一与第二覆盖材料包括较低与较高密度的氮化硅。存储器元件包括可编程电阻存储器材料，而覆盖材料接触存储器元件。第一与第二组存储单元具有共同的存储单元结构。第一组存储单元的第一存储单元包括顶电极与底电极，而第一覆盖材料接触存储器材料。控制电路应用不同的写入算法至第一与第二组存储单元。通过使用不同的覆盖材料形成第一与第二覆盖层，第一与第二组存储单元具有不同的操作存储器特性，但具有相同的存储单元结构。
一种存储器装置提供方法

[发明专利]一种集成电路的构件的制造方法及利用此方法制作的元件-CN201310319350.X有效
发明人：李峰旻;赖二琨;简维志;李明修;余志杰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路的构件的制造方法及利用此方法制作的元件，该集成电路的构件的制造方法包括以下步骤形成一第一有源元件于一衬底上，第一有源元件包括一金属，金属具有一金属表面；沉积一感光材料于金属表面；曝露感光材料于辐射光线中，诱导在金属表面的金属氧化，以形成一金属氧化层；形成一第二有源元件于金属氧化层上。
一种集成电路构件制造方法利用制作元件

[发明专利]电阻式存储器装置与其制造方法-CN201310379907.9在审
发明人：陈怡月;简维志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式存储器装置结构与其制造方法，制造方法包括以下步骤：提供一底电极，底电极包括一金属；形成一存储层于底电极上；存储层包括一第一层与一第二层，第一层包括金属氧化物，第二层包括含氮的金属氧化物；形成一顶电极于存储层上。
电阻存储器装置与其制造方法

[发明专利]三维存储器装置及其制造方法-CN201310016277.9无效
发明人： 简维志;李明修;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维(3D)存储器装置及其制造方法，该三维存储器装置是根据导电柱阵列与多个图案化导电体层，图案化导体层包括：左侧与右侧导电体，而左侧与右侧导体邻接在左侧与右侧界面区中的柱体。在左侧与右侧界面区中的存储器元件由可编程过渡金属氧化物或可编程电阻材料组成，过渡金属氧化物的特征为具有内建自我开关行为。柱体能运用二维译码(two-dimensional decoding)加以选择，且在多个平面中的左侧与右侧导电体能在第三维度运用译码加以选择，而第三维度与左侧和右侧选择相结合。
三维存储器装置及其制造方法

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