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[发明专利]开关元件与存储器元件-CN201811078303.X有效
发明人： 郑怀瑜;龙翔澜;郭奕廷 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种电压敏感开关元件，具有一第一电极、一第二电极及一位于第一电极与第二电极之间的开关层，包括一无碲、低锗含量的组成份，该组成份包括砷、硒与锗。开关元件用于立体交叉点存储器(3D cross‑point memory)。
开关元件存储器

[发明专利]一种水煤浆气化灰水除硬提氨的方法-CN202111381053.9在审
发明人：宋晓玲;张立;金华;张红雷;陈海全;宋彦龙;聂辉;赵蓉;郭盼春;张波;赵仁斌;郑怀瑜 -专利权人：新疆天智辰业化工有限公司;新疆天业（集团）有限公司
申请日： 2021-11-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种水煤浆气化灰水除硬提氨的方法，包括依次连接的管道混合器、给料泵、沉降槽、灰水槽、低压灰水泵、1#喷射器、机械加速澄清池、灰水缓冲槽、灰水提升泵、2#喷射器、布袋过滤器、热交换器Ⅰ、增压泵、缓冲罐、文丘里混合器、热交换器Ⅱ、洗涤分离器、酸配制槽、酸给料泵、酸洗罐、酸洗循环泵、出水泵、脱氨塔、再沸器、氨水回流泵、尾气吸收塔、氨水泵、热交换器Ⅲ、放空气洗涤塔、放空气洗涤罐、放空气洗涤泵、热交换器Ⅳ，以上组成水煤浆气化灰水除硬提氨系统；本发明解决了煤气化灰水中的氨氮含量及硬度高的问题，回收氨水作为锅炉脱硫脱硝的辅料，节约了生产成本，降低了装置能耗和污水处理的难度。
一种水煤浆气化硬提氨方法

[发明专利]类超晶格（SUPERLATTICE-LIKE）开关元件-CN201711323705.7有效
发明人： 郑怀瑜;龙翔澜;郭奕廷 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压感测开关元件(voltage sensitive switching device)，具有类超晶格存储单元结构(superlattice‑like cell structure)，该开关元件包括双向材料层，例如硫属化物合金。存储单元还包括能在交叉点存储器中使用的开关元件。
晶格 superlattice like 开关元件

[实用新型]一种煤气化细渣脱水回收利用的装置-CN202221327291.1有效
发明人：金华;张红雷;陈海全;张波;赵蓉;聂辉;郭盼春;陈亚东;宋彦龙;赵仁斌;郑怀瑜;梅吉;赵鹏山;李俊彦;孙学彪 -专利权人：新疆天智辰业化工有限公司;新疆天业（集团）有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B01D36/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种煤气化细渣脱水回收利用的装置，包括机械加速澄清池、沉降槽、泵Ⅰ、泵Ⅱ、泵Ⅲ、冲洗水槽、压滤机、打散装置、滤饼料仓、集水槽、空气换热器、压缩空气储罐；泵Ⅰ的进料端分别与沉降槽、机械加速沉清池连接，泵Ⅰ的出料端与压滤机细渣进口端连接；压滤机的滤饼出口端与打散装置连接，打散装置出料口与滤饼料仓连接；压滤机滤液出口端与集水槽连接，集水槽出料口与泵Ⅲ连接，泵Ⅲ出料端与沉降槽连接；冲洗水槽与泵Ⅱ进料端连接，泵Ⅱ出料端与压滤机冲洗水进口端连接；压滤机风干进口与空气换热器出口连接，压缩空气储罐出口与空气换热器进口连接。本实用新型固液分离效果好，废液回收利用率高。
一种煤气化脱水回收利用装置

[发明专利]包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置-CN202110011018.1在审
发明人： 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜;郑政伟;布莱斯凯·马修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置。所述切换装置具有第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间的切换层，切换层使用掺杂有抑制氧化的元素的硫族化物组成物来形成，其引起改进的可制造性及合格率。对于基于AsSeGeSi、或包含硒或砷的其他硫族化物材料、或包含硒或砷及硅的其他硫族化物材料的选择器材料，经添加以抑制氧化的元素可为硫。
包含切换装置存储器集成电路

[发明专利]存储器材料及应用其的存储器装置-CN202010859994.8在审
发明人： 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器材料及应用其的存储器装置。存储器材料为碳原子掺杂的硫族化物。硫族化物包含砷原子、硒原子、锗原子及硅原子。
存储器材料及应用存储器装置

[发明专利]存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法-CN202010380908.5在审
发明人： 郑怀瑜;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法，该存储器装置具有特定氧化硅(SiOx)掺杂至特别的富含锗的GexSbyTez材料的相变材料。作为一存储器阵列之中的存储器元件的使用此相变材料的集成电路可通过本发明所述的焊接结合标准，而展现良好的设定速度及显示良好的10年数据保存特性。本发明所述的存储单元包括一第一电极及一第二电极；以及一存储器元件，电串联于此第一电极及此第二电极之间。此存储器元件包括一GexSbyTez相变材料与一硅氧化物添加物，包括具有28至36at％的范围的锗(Ge)、10至20at％的范围的锑(Sb)、25至40at％的范围的碲(Te)、5至10at％的范围的硅(Si)及12至23at％的范围的氧(O)的多个元素的一组合。
存储器装置集成电路数据处理及其制造方法

[发明专利]双向阈值开关、交叉点存储器设备及其制造方法-CN202010570327.8在审
发明人：郭奕廷;郑怀瑜;龙翔澜;郑政玮 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向阈值开关、交叉点存储器设备及其制造方法，其中双向阈值开关由Si、Ge、Se、As以及特定含量的硫属元素组成，在存在水蒸汽的情况下，所述硫属元素有效地钝化组成物的氧化，其中硫属元素包括但不限于Te、S或其组合。在一或多个实施例中，硫属元素为S。在一或多个实施例中，硫属元素为Te。在一或多个实施例中，按原子百分比计，硫属元素的有效含量大于1％。在一或多个实施例中，按原子百分比计，硫属元素的有效含量小于10％。在一或多个实施例中，按原子百分比计，双向阈值开关包括10％的Si、15％的Ge、40％的Se、30％的As以及5％的硫属元素。
双向阈值开关交叉点存储器设备及其制造方法

[发明专利]介电掺杂且富含锑的GST相变存储器-CN201710580652.0有效
发明人： 郑怀瑜;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提出的相变存储器材料为介电掺杂、富含锑(antimony‑rich)的GST家族材料，其相对于GST‑225具有较多的锑，此材料具有速度、保持、及耐受特性，适于储存级数据储存装置。一种存储装置包含含有多个存储单元的一阵列。各个存储单元包含一第一电极及一第二电极。第二电极耦接至一存储器元件。存储元件包含具有相变存储材料的一基底。相变存储材料包含Ge、Sb及Te的一组合与一介电添加物，其在总量上足以(effective to)提供大于160℃的晶型转变温度。在一些有效范例中可提供大于170℃的晶型转变温度。在其他有效范例中可提供大于190℃的晶型转变温度。一控制器耦接至阵列，且被设置以对阵列中的存储单元执行数个设定操作及数个复位操作。
掺杂富含 gst 相变存储器

[发明专利]切换装置及存储器装置-CN202010079742.3在审
发明人： 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种切换装置及存储器装置，该切换装置具有一第一电极；一第二电极；以及一切换层，位于第一电极以及第二电极之间，切换层包括碳C、砷As、硒Se及锗Ge的组成物，此组成物是热稳定至超过400℃的温度。此切换装置是使用于3D交叉点存储器之中。
切换装置存储器

[发明专利]半导体装置与存储器单元-CN201911095958.2在审
发明人： 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及存储器单元，半导体装置包含第一电极、第二电极、以及设置于第一电极与第二电极之间的铟掺杂硫基选择层(In‑doped chalcogenide‑based selector layer)，其中铟掺杂硫基选择层的铟含量为约2at.％至约10at.％。一种具有此铟掺杂硫基选择层的存储器单元亦在此公开。
半导体装置存储器单元

[发明专利]半导体装置、存储器装置以及开关装置-CN201910509990.4在审
发明人： 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜;罗伯特·布鲁斯;发比又·卡塔 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商业机器股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、存储器装置以及开关装置，该开关装置具有第一电极、第二电极以及第一电极与第二电极之间的开关层。原位势垒层安置于第一电极与第二电极之间。势垒层包括包含硅及碳的组合物。开关装置可用于存储器装置中。
半导体装置存储器以及开关

[发明专利]相变储存元件及其应用-CN201610912774.0有效
发明人：简维志;郑怀瑜;叶巧雯;金相汎;马修·J·必实凯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商业机器股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种相变储存元件、包含此相变储存元件的集成电路芯片及其制作方法。此相变储存元件包括一个相变储存区具有多重的相变区域(例如两个)，具有不同相变材料，串联于写入/读取线和选择元件的导电端之间。
相变储存元件及其应用

[发明专利]相变化存储器材料、相变化存储器装置及其制造方法-CN201510981999.7有效
发明人： 郑怀瑜;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaSbGe相变化存储器材料、基于该相变化存储器材料的高密度存储器装置及该高密度存储器装置的制造方法。该相变化存储器材料包括Ga_xSb_yGe_z，其中Ga原子百分比x在20％至45％的范围内、Sb原子百分比y在25％至40％的范围内，以及Ge原子百分比z在25％至55％的范围内，其中此材料具有大于360℃的结晶转移温度T_x。添加杂质包括一或多个选自Si、C、O以及N的元素，可以增加结晶转移温度T_x以大于400℃，也可以降低复位电流。
相变存储器材料装置及其制造方法

[发明专利]相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件-CN201610765557.3在审
发明人：龙翔澜;郑怀瑜;马修·必实凯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件。该相变化存储器元件为具有复合存储器单元的相变化存储器元件，包括第一存储材料层和第二存储材料层。此复合存储器由基本的相变化材料所组成，例如硫属化合物，以及一或多种添加剂。第一存储材料层采用无氧气氛所形成；第二存储材料层采用含氧气氛所形成。使用无氧气氛可防止第一电极的电极表面被氧化。
相变存储器元件制作方法集成电路

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