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[发明专利]一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法-CN202211628590.3在审
发明人：齐通通;林谷彦;罗海林 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-12-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法，将三英寸InP半绝缘衬底放入MOCVD腔体中，进行700℃高温的进行烘烤，并在480℃时开始通入PH3，来去除衬底表面的氧化物并改善表面生长质量；接着生长P‑InP、N‑InP和P‑InP结构来进一步抑制电流向衬底的扩散；步骤2：接着依次生长：N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、不掺杂InAlGaAs下波导层、InAlGaAs应变多量子阱和垒结构、不掺杂InAlGaAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP间隔层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层，完成Basewaferd的生长；应用本技术方案可实现缩减制备工艺和流程。
一种利用离子技术制备 rwg dfb 激光器制作方法

[发明专利]一种集成DFB半导体激光器及其制备方法-CN201910369459.1有效
发明人：薛正群;吴林福生;杨重英;陆绿;苏辉 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成DFB半导体激光器及其制备方法。从激光器一半腔长处沿腔长方向朝向激光器出光端面引出一分支圆弧状分支波导，且在激光器出光端面处所述分支圆弧状分支波导与直脊波导具有一间距，所述分支圆弧状分支波导与直脊波导之间形成有离子注入区域。本发明可以达到出光和探测一体的功能，从而降低器件成本，而发散角的改善又能达到提高耦合出光功率的效果。
一种集成 dfb 半导体激光器及其制备方法

[实用新型]一种手动贴片装置-CN202223088740.4有效
发明人：翟因敏;周书刚;陈正刚;黄劲威 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种手动贴片装置，包括操作台、设于操作台上方并用于吸附芯片的负压吸附组件、横向转轴、用于驱动横向转轴旋转的操作手柄，所述横向转轴安装有横向移动件，所述横向移动件经连杆机构与操作手柄相连接，操作手柄驱动横向移动件沿横向移动；所述横向移动件的前方设有竖向移动件，所述竖向移动件上设有用于驱动负压吸附组件旋转的旋转机构，竖向移动件与横向移动件相铰接，当横向转轴旋转时，横向移动件带动竖向移动件沿竖向移动。本实用新型结构设计合理，方便手动控制芯片的位置，操作方便，提高贴片效率。
一种手动装置

[发明专利]一种光器件手动耦合固化装置及其工作方法-CN202111096155.6有效
发明人：翟因敏;周书刚;陈正刚;李勇;黄劲威 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光器件手动耦合固化装置及其工作方法，包括底板，所述底板上安装有光器件夹紧装置，光器件夹紧装置的左边设有可多自由度调节的夹持调节装置，光器件夹紧装置右边设有能左右移动的送料送胶装置，光器件夹紧装置上方设有紫外固化装置；还包括用以监测透镜角度位置的摄像头监测装置。本发明光器件手动耦合固化装置利用摄像头观察透镜的角度位置，方便指导进行透镜位置及角度的调整，可实现多自由度调节，操作便利，降低手动耦合难度，提高效率，减少误操作，提高良品率。
一种器件手动耦合固化装置及其工作方法

[实用新型]一种手动贴片压力感应装置-CN202223057952.6有效
发明人：翟因敏;周书刚;陈正刚;黄劲威 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种手动贴片压力感应装置，包括设于物料台上方的竖向移动件，竖向移动件设有竖向滑道，竖向滑道内穿设有负压吸嘴，负压吸嘴的上端连接有吸嘴夹紧块，吸嘴夹紧块的上方设有与负压吸嘴相连接的连接件，连接件的上方设有可在水平方向旋转的旋转件，旋转件的下端设有供连接件伸入的竖向插槽，竖向插槽的一侧上端设有与报警模块相连接的检测组件，当检测组件检测到连接件时，报警模块发出报警指示。本实用新型结果设计合理，负压吸嘴在贴片过程中可沿竖向向上移动，避免一下就达到甚至超出贴片所需压力值，对芯片造成损坏；并且在达到设定形成后，利用报警模块发出报警指示，以便操作者快速停止贴片，操作方便，提高贴片效率。
一种手动压力感应装置

[发明专利]一种改善InGaAs表面沉积SiO2-CN202211443001.4在审
发明人：黄惠莺;薛正群 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善InGaAs表面沉积SiO2脱落的方法，包括以下步骤：（1）当晶圆片完成外延结构生长之后，先用盐酸腐蚀表面的INP材料，再放入氟化铵溶液中，将裸露出来的InGaAs腐蚀3min，随后冲水干净后用氮气枪吹干，并烘干，保证晶圆片完全干燥；（2）通过在沉积SiO2的预清洗阶段增加笑气清洗，并适当增加清洗的流量和射频功率。本发明的方法解决了PECVD在InGaAs表面沉积SIO2脱落的问题，对InGaAs衬底表面进行预处理，优化生长SIO2的recipe，使得SIO2膜与晶圆上的InGaAs粘附更好，减少其它SIO2膜异常的出现。
一种改善 ingaas 表面沉积 sio base sub

[发明专利]一种可应用于光器件及光模块的贴片机-CN202211459130.2在审
发明人：翟因敏;周书刚;陈正刚;黄劲威 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种可应用于光器件及光模块的贴片机，包括操作台、负压吸附组件、横向转轴、驱动横向转轴旋转的操作手柄，横向转轴安装有横向移动件，横向移动件经连杆机构与操作手柄相连接；横向移动件的前方设有竖向移动件，竖向移动件的下端与横向移动件沿纵向滑动配合，横向转轴旋转时带动竖向移动件的移动；竖向移动件设有竖向滑道，负压吸附组件包括与竖向滑道滑动配合的负压吸嘴，负压吸嘴的上侧设有与报警模块相连接的检测组件，当检测组件检测到负压吸嘴的上端时，报警模块发出报警指示。本发明方便手动控制芯片的位置，操作方便，提高贴片效率；且在贴片到位后利用报警模块发出报警指示，以便操作者快速停止贴片，避免对芯片造成损坏。
一种应用于器件模块贴片机

[实用新型]一种硅光800G DR8激光发射组件结构-CN202123266761.6有效
发明人：黃劲威;周书刚;陈正刚;赵永成;黄敏华;陈斌;陈龙 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型提出硅光8通道短距离传输应用且速率800Gbit/s的激光发射组件结构，用于光通信中的光引擎，所述激光发射组件结构包括集成于电路板处的光集成芯片波导、光纤阵列和高功率分布式反馈激光器光源，光源出射的激光经会聚耦合透镜整形会聚后进入隔离器，形成进入光集成芯片波导的光信号第一波导入口；光集成芯片波导把光信号第一波导入口信号分为输出光信号a和输出光信号b，输出光信号a、输出光信号b经过光集成芯片波导内置的马赫‑曾德尔调制器进行光调试后，从光集成芯片波导的波导口输出至光纤阵列，与波导耦合后从多通道光纤接头输出；本实用新型能有效地降低光通讯器件的成本。
一种 800 dr8 激光发射组件结构

[发明专利]高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法-CN202210820546.6在审
发明人：杨重英;吴林福生;施文贞;伍蓉;王诚鹏;唐琴;缪锦章 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提出一种高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法，采用对接生长方案，分别设计DFB激光器LD和电吸收调制器EAM的结构，先在衬底上生长LD的结构，然后通过光刻制作保护LD区域的掩膜，经过干法刻蚀和湿法腐蚀，将掩膜以外的LD结构去掉，接着进行第二次外延生长，生长EAM结构，由于掩膜上不会生长材料，使得EAM只在掩膜以外的区域生长，得到分别独立生长的LD和EAM，以分别优化LD的出光效率和EAM的吸收性能。
高速吸收调制激光器芯片及其制备方法

[发明专利]高速EML激光器及其制备方法-CN202210820739.1在审
发明人：吴林福生;杨重英;施文贞;王诚鹏;缪锦章;伍蓉;唐琴 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提出一种高速EML激光器及其制备方法，主要为由DFB激光二极管、EA调制器、SOA放大器集成的激光器芯片，在共用一个有源层的基础上，通过外延PL、光栅周期、芯片工艺等设计，制作集成芯片，该结构设计及制备方法相较于对接生长、SAG等现有方案，外延成本更低，工艺更为简单，且也能达到相关性能指标。
高速 eml 激光器及其制备方法

[发明专利]降低高速半导体激光器漏电流的芯片制作方法-CN202210825521.5在审
发明人：施文贞;吴林福生;杨重英;唐琴;伍蓉;王诚鹏;缪锦章 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提出一种降低高速半导体激光器漏电流的芯片制作方法，步骤S1：在脊波导结构的wafer表面生长一层SiO2薄膜，并在SiO2薄膜上制作光刻胶图形；步骤S2：采用RIE干刻去除曝光区域的SiO2，并采用碱性溶液去除表面的光刻胶；步骤S3：配置湿法腐蚀溶液，将wafer放入该溶液中静置腐蚀，使得P‑InGaAsP层和部分P‑InP层腐蚀去除；步骤S4：使用BOE溶液，去除表面的SiO2。其采用脊波导形貌上再通过槽内湿法腐蚀的工艺，去除P‑InGaAsP以及部分底下的P‑InP层，减少注入电流的扩散，以改善漏电流现象。
降低高速半导体激光器漏电芯片制作方法

[发明专利]光通信用硅基长波长半导体光放大芯片及其制备方法-CN202110457348.3在审
发明人：薛正群;施文贞;张敏;方瑞禹;苏辉 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种光通信用硅基长波长半导体光放大芯片及其制备方法。所述芯片，包括衬底及在衬底上从下而上依次生长的中间层、N‑InGaAsP光场扩展层、下波导层、应变组合多量子阱、上波导层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP过渡层、P‑InGaAs欧姆接触层；所述中间层从下往上依次为GaAs层、InP层；其中经由P‑InGaAs欧姆接触层向下腐蚀至N‑InGaAsP光场扩展层，形成倒台面脊波导结构。本发明实现以硅为衬底的长波长半导体光放大芯片，可直接放大波长在1600nm以上的激光光源，可用在高速相干通信、激光雷达、气体传感等领域，另外在硅衬底上制备的光通信长波长半导体光放大芯片，在实际应用中无需额外热沉、降低使用成本，同时便于在实际光电集成中与激光器、调制器等进行进一步的集成。
光通信用硅基长波长半导体放大芯片及其制备方法

[发明专利]通过背光实现调顶功能的方法-CN202011309406.X有效
发明人：李伟;廖乐根;夏兴胜 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本发明提出一种通过背光实现调顶功能的方法，其特征在于：将OAM信号由MCU进行曼彻斯特编码后，不通过外部驱动电路，直接加载到MPD背光信号上，由Driver芯片驱动激光器芯片发光实现调顶功能。其从结构上考虑能够少采用一级外部运放电路，实现功能简单且成本较低。不影响高速信号质量，保持了足够良好的性能。
通过背光实现功能方法

[发明专利]硅基光通信C波段高线性面发射激光光源及其制作方法-CN202110560796.6有效
发明人：薛正群;邓仁亮;施文贞;方瑞禹;苏辉 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-05-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基光通信C波段高线性面发射激光光源，包括左激光芯片、右激光芯片和二阶光栅波导；所述二阶光栅波导两侧设置有喇叭口波导；所述左激光芯片、右激光芯片分别与二阶光栅波导两侧设置的喇叭口波导相连。本发明采用P面朝下生长的方法解决了常规激光器通过表面发热困难的问题，激光器量子阱发热直接通过衬底进行导热，有效改善激光器的高温线性度和特征温度；采用绝缘的掺Fe InP实现脊条型的电注入区域，并实现相邻激光芯片的电隔离，但光学上又相互耦合形成相干光，左右激光芯片实现激光器有效增益体积的增大，有效提高输出光功率。
光通信波段线性发射激光光源及其制作方法

[发明专利]宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法-CN202110895135.9有效
发明人：薛正群 -专利权人： 福建中科光芯光电科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法，其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作，并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源，同时可实现不同DFB波长的精确调控，产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域，提高应用端的集成度并降低应用成本。
温度工作单片波长高速 dfb 激光光源外延结构芯片及其制备方法

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