专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管-CN202010323101.8有效
  • 张龙;龚金丽;祝靖;杨兰兰;孙伟锋;时龙兴 - 东南大学
  • 2020-04-22 - 2023-10-13 - H01L29/739
  • 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,该半导体具备:在P型衬底上设有有埋氧层,在埋氧层上方设有N型漂移区,其上有P型体区、场氧层和集电极区,在P型体区内设有相连的P阱,在P阱内设有P型发射极区,在P型发射极区上设有N型发射极区,在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层,在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方,在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层,所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区,在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区,在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。
  • 一种饱和电流绝缘体横向绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种电力设备安装用悬吊装置及悬吊方法-CN202310051724.8在审
  • 祝靖;陈亚利 - 祝靖
  • 2023-02-02 - 2023-09-08 - B66D3/18
  • 本发明涉及电力设备安装悬吊技术领域,具体地说,涉及一种电力设备安装用悬吊装置及悬吊方法。其包括吊机,悬吊组件包括基座,基座上表面对称设有闭合组件,两个闭合组件的上部均设有多个装载组件。本发明中吊机将放置在多个装载组件中的电力设备和站在装载箱内部的施工人员一并沿着电线桩悬吊到待安装的位置处,提高了悬吊组件的平稳性,可避免电力设备损坏和施工人员的安全性;电力设备施工人员可以环绕着电线桩的外壁转换安装方位;动力组件将装载组件进行二次抬升,装载组件与闭合组件之间产生的距离,以及多个装载组件两两之间产生的空隙,空隙为跨过现有已安装的电力设备提供了一定的空间,便于增加安装其他用途的电力设备。
  • 一种电力设备安装悬吊装置方法
  • [发明专利]沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件-CN201910933319.2有效
  • 张龙;曹梦玲;祝靖;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2019-09-29 - 2023-08-04 - H01L29/06
  • 一种沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件,具备:P型衬底上设有埋氧,埋氧上设有N型漂移区,其上设有P型体区和N型缓冲区,N型缓冲区内设有P型集电极区,P型体区内并肩设有呈方波形状的重掺杂的N型发射极区和重掺杂的P型发射区,在其两侧分别设有呈方波形状的第一纵向沟槽和第二纵向沟槽。第一纵向沟槽设有由耐压介质包裹的第一多晶硅层。对于第二纵向沟槽,在与重掺杂的P型集电极区平行的部分中填充有耐压介质包裹的第二多晶硅层,在位于由重掺杂的N型发射极区指向重掺杂的P型集电极区方向上的部分中填充有耐压介质包裹的第三多晶硅层和氧化物块体,且氧化物块体位于第三多晶硅层的上方,第二多晶硅层与第三多晶硅层连接。
  • 沟槽栅极绝缘体横向绝缘双极晶体管器件
  • [发明专利]一种电力施工用排线辅助装置及辅助方法-CN202310044222.2在审
  • 李雅美;祝靖 - 祝靖
  • 2023-01-29 - 2023-05-12 - B65H57/14
  • 本发明涉及电力施工排线技术领域,具体地说,涉及一种电力施工用排线辅助装置及辅助方法。其包括排线组件和设置在排线组件上的走向引导装置,排线组件上设置有线缆,走向引导装置包括第一走向臂和第二走向臂,且第一走向臂和第二走向臂依据线缆的释放量度控制自身对线缆的限制幅度,并在第一走向臂和第二走向臂的限制幅度改变时,依据第一走向臂和第二走向臂的限制幅度承接部分线缆。本发明通过接触板依据线缆释放的量度控制第一走向臂和第二走向臂运动,使第一走向臂和第二走向臂能够配合线缆的使用量度改变使自身的高度位置,通过第一走向臂和第二走向臂高度位置的改变降低施工人员拖拽线缆时的费力程度。
  • 一种电力施工排线辅助装置方法
  • [发明专利]一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管-CN202010072965.7有效
  • 孙伟锋;朱桂闯;李少红;杨兰兰;祝靖;时龙兴 - 东南大学
  • 2020-01-21 - 2023-03-24 - H01L29/868
  • 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管,包括P型衬底,氧化层埋层,N型漂移区,氧化层,N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区,在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区,在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区,在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区,在氧化层内设有第一多晶硅和电容,第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离,所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成,第一金属铝与第一N型重掺杂区连接,第一多晶硅,第二金属铝和P型重掺杂区连接。
  • 一种集成电容反向恢复电荷横向二极管
  • [发明专利]一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管-CN201911058196.9有效
  • 祝靖;邹艳勤;李少红;孙伟锋;时龙兴 - 东南大学
  • 2019-10-31 - 2023-03-24 - H01L29/868
  • 一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管,包括P型衬底,在P型衬底上设有N型漂移区,在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层,在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区,在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区、N型轻掺杂阴极区及N型重掺杂阴极区,在N型漂移区的表面并处于N型重掺杂阴极区的外侧以及N型重掺杂阴极区与P型轻掺杂阳极区之间的区域设有氧化层,在P型重掺杂阳极区、N型重掺杂阴极区及P型衬底上分别连接有阳极金属、阴极金属及衬底金属,其特征在于,在P型轻掺杂阳极区的表面并位于P型重掺杂阳极区的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区、N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。
  • 一种提高反向恢复鲁棒性二极管

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