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[发明专利]一种基于机器视觉的喷釉系统-CN202310042525.0在审
发明人： 田丽欣;董志伟;田红霞 -专利权人：唐山学院
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06V10/22 文献下载
摘要：本发明公开一种基于机器视觉的喷釉系统，包括，图像采集装置、识别模块、规划模块及控制模块；所述图像采集装置、识别模块、规划模块及控制模块依次连接；图像采集装置、识别模块、规划模块及控制模块依次连接；控制模块连接有机器人喷釉执行机构；图像采集装置用于获取陶瓷产品的图像数据；识别模块用于通过机器视觉对图像数据进行识别，并将识别结果映射到图像数据中，得到陶瓷产品识别结果；规划模块用于对陶瓷产品识别结果进行区域划分，并对区域划分结果进行区域规划，得到空间位置信息；控制模块用于根据空间位置信息控制机器人喷釉执行机构对陶瓷产品进行喷釉。
一种基于机器视觉系统

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202111465401.0在审
发明人：安运来;张文婷;杨霏;桑玲;刘瑞;田丽欣;张朋;罗松威;杜泽晨;汪玉;王鑫 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种基于区块链的学生档案管理系统及方法-CN202211426137.4在审
发明人：宋晓英;刘立伟;田丽欣;吴景新 -专利权人：唐山学院
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F21/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于区块链的学生档案管理系统及方法，包括：管理员端、教师端和学生端；所述教师端用于创建学生档案，与所述管理员端连接；所述学生端用于获取档案，与所述管理员端连接；所述管理员端用于获取所述教师端数据，将所述数据上传至区块链中。所述管理员端包括：登录模块、采集模块、ID认证模块、查询模块和毕业生信息管理模块。本申请通过建立学生档案传输至区块链，区块链根据接收到的数据类型创建不同的区块，信息能够在整个网络中实现信息的全面传递，并能够检验信息的准确程度。利用区块链技术可以防止高校学生的档案遗失现象；利用区块链技术进行学生档案管理有助于防止学历弄虚造假，减少认证程序。
一种基于区块学生档案管理系统方法

[发明专利]一种高铁箱梁巡检机器人实现自动巡检的方法-CN202211266373.4在审
发明人：戴彦;田丽欣;王蕾 -专利权人：唐山学院
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高铁箱梁巡检机器人实现自动巡检的方法，包括以下步骤：采集周围环境数据和机器人绝对位置信息，并生成环境地图；将机器人绝对位置信息和环境地图相结合，基于路径规划算法获得机器人的巡检路径；控制机器人进行移动，并实时对高铁箱梁内部进行全局拍摄，获得高铁箱梁图像信息；构建初始HED边缘检测模型，对初始HED边缘检测模型进行训练，获得目标HED边缘检测模型；将实时采集的高铁箱梁图像信息输入到目标HED边缘检测模型中进行处理，获得高铁箱梁的目标缺陷图像，实现对高铁箱梁的缺陷检测。本发明提供的实现高铁箱梁自动巡检的方法检测速度快、效率高，可使工作人员免于在高危的工作环境下探伤。
一种高铁箱梁巡检机器人实现自动方法

[发明专利]一种电子档案管理系统-CN202211397733.4在审
发明人：宋晓英;田丽欣;刘立伟;唐万伟 -专利权人：唐山学院
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F16/483 文献下载
摘要：本申请公开了一种电子档案管理系统，其中，系统包括：输入模块、筛选模块、操作模块、统计模块；输入模块用于根据扫描仪扫描到的纸质档案信息进行输入；筛选模块用于将输入的信息进行分类并排序，得到分类排序后数据；操作模块用于对分类排序后的数据进行增加、删除、修改和查询操作；统计模块对增加、删除、修改、查询操作进行可视化统计，得到统计图。本申请将扫描到的档案信息进行分类排序，对分类后的数据进行增加、修改、删除和查询等操作，操作时，可随时查看任意格式的文件，增加档案可读性，还可以生成统计图查看不同角度的信息，充分实现信息可视化，避免了需要翻看纸质档案的查找时间。
一种电子档案管理系统

[发明专利]一种高铁用智能扫地机装置-CN202211280813.1在审
发明人：戴彦;田丽欣;吕宏丽 -专利权人：唐山学院
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： A47L11/24 文献下载
摘要：本发明涉及扫地机器人领域，尤其涉及一种高铁用智能扫地机装置，包括清扫装置、垃圾处理装置，所述清扫装置内包括装置外壳：装置外壳下端固定连接有清扫机构；集尘箱上方固定连通有加湿机构，加湿机构与装置外壳上端固定连通；装置外壳两侧固定连接有站立机构；装置外壳内固定连接有控制核心，控制核心包括芯片组，芯片组与清扫机构、加湿机构、站立机构电性连接；垃圾处理装置固定连接在墙壁上，垃圾处理装置上固定连接有垃圾吸收头，垃圾吸收头与除尘口对应。利用这些结构达到可以适应车厢狭窄环境、能够实现空气净化消毒、空气湿润、地面消毒，还有具有倾倒后自动起身的体积较小的功能，能够得到较好的清扫效果的目的。
一种高铁用智能地机装置

[发明专利]一种可防止结块的高效谷物研磨装置-CN202011159307.8有效
发明人： 田丽欣 -专利权人：重庆市涪陵区金莹粮油有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B02C4/06 文献下载
摘要：本发明涉及谷物研磨技术领域，且公开了一种可防止结块的高效谷物研磨装置，包括筒体，所述筒体的内部活动连接有第一研磨辊，所述旋转轴的外部套接有传动齿轮，所述旋转轴的外部套接有皮带轮，所述皮带轮的下端活动连接有滑块装置，所述密封装置的左侧固定连接有筛网，所述筒体的外部左侧固定连接有回料装置，所述回料装置的内部活动连接有传送皮带，所述筒体的下端固定连接有研磨座，所述主轴的外部套接有双向丝杆，所述双向丝杆的内部卡接有卡接装置，所述卡接装置的外部活动连接有精细研磨辊，所述精细研磨辊的内部固定连接有加热板，所述精细研磨辊的内部固定连接有热感应装置。该装置具有研磨效率高、研磨充分且不易结块的优点。
一种可防止结块高效谷物研磨装置

[发明专利]一种MOSFET高温可靠性综合测试装置-CN202210190179.6在审
发明人：杜泽晨;杨霏;刘瑞;田丽欣;张一杰 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，包括：高温栅偏测试平台及高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，恒温箱提供预设温度的恒温条件；电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为高温反偏测试平台提供漏极电压；高温栅偏测试平台能同时对多个MOSFET进行栅偏测试，高温反偏测试平台能同时对多个MOSFET进行反偏测试；电流采集模块采集高温栅偏测试平台的测试电流、高温反偏测试的测试电流，从而实现对多个MOSFET同时进行高温栅偏测试或高温反偏测试，节省了测试时间，提高了测试效率。
一种 mosfet 高温可靠性综合测试装置

[发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202111496268.5在审
发明人：张文婷;安运来;杨霏;刘瑞;朱涛;桑玲;田丽欣;张朋;罗松威;杜泽晨 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位。本发明将所述扩散膜中的扩散原子导入所述第一外延层填补所述第一外延层内部的空位，在降低所述第一外延层内的深能级缺陷，达到提升载流子寿命目的同时，避免了对所述第一外延层表面产生损伤，且实施方便，降低了生产成本。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202110993761.1在审
发明人：万彩萍;田丽欣;桑玲;罗松威;许恒宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法。一种半导体器件的制备方法，包括：提供具有掺杂的SiC外延片；在SiC外延片上形成第一掩膜层；对第一掩膜层进行图形化处理，曝露出第一离子注入区域；向第一离子注入区域进行离子注入，注入类型与SiC外延片的掺杂类型相同；去除第一掩膜层；去除第一掩膜层之后在SiC外延片上形成第二掩膜层；对第二掩膜层进行图形化处理，曝露出第二离子注入区域；向第二离子注入区域进行离子注入，注入类型根据半导体器件中离子注入结构的类型确定；去除第二掩膜层；激活第二离子注入区域注入的离子；制作半导体器件的其他结构。该方法旨在解决器件在雪崩击穿过程中电荷在第二注入边缘区域聚集发生击穿的问题。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体功率器件及其制作方法-CN202010386337.6在审
发明人：桑玲;查祎英;金锐;王耀华;杨霏;田丽欣;夏经华;张文婷;安运来;赛朝阳;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司厦门供电公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，半导体功率器件包括半导体层(1)、截止环(2)、有源区(3)、场限环终端(4)和介质层(5)；场限环终端(4)包括多个场限环区域，每个场限环区域包括多个场限环，截止环(2)、有源区(3)和场限环终端(4)设置于半导体层(1)的正面，所述介质层(5)设置于场限环终端(4)的正面，多个场限环区域形成场限环终端，提高了场限环终端(4)的保护效率和半导体功率器件的可靠性；不同场限环承受的电压相当，避免电场集中于有源区主结处或最后一个场限环，大大提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。
一种半导体功率器件及其制作方法

[发明专利]一种分区域渐变场限环终端结构及其设计方法-CN202010386415.2在审
发明人：桑玲;吴军民;夏经华;张文婷;查祎英;田丽欣;王耀华;金锐;杨霏;安运来;赛朝阳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司厦门供电公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种分区域渐变场限环终端结构及其设计方法，设置分区域渐变场限环终端结构的各参数的初始值；基于初始值，依次对各参数值进行调整，并实时获取各场限环和有源区主结之间的电场强度，当获取的电场强度相等且均小于临界击穿电场强度，得到最优的参数值；基于最优的参数值确定分区域渐变场限环终端结构，通过调整各区域内场限环的宽度和各相邻场限环的间距，大大提高了功率半导体器件制备过程中场限环终端结构的保护效率，提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。
一种区域渐变场限环终端结构及其设计方法

[发明专利]一种碳化硅MOSEFT栅氧结构及其制备方法-CN202010179774.0在审
发明人： 田丽欣;杨霏;夏经华;张文婷;安运来;罗松威 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅MOSEFT栅氧结构及其制备方法，将碳化硅外延片置于氧化炉，设置氧化炉的氧化温度在阈值范围内对碳化硅外延片进行一定时间的氧化；将含有氧化层的碳化硅外延片在退火气氛中进行退火，避免引入固定电荷，提高了碳化硅外延片与氧化层之间界面的质量，MOSFET阈值电压不会发生漂移，减小对沟道载流子的散射，提高了MOSFET导通能力；本发明中通过惰性气体对含有氧化层的碳化硅外延片进行退火，保证MOSFET阈值电压不受影响；碳化硅外延片在高温下进行氧化和退火，退火过程中的氧化层处于熔融状态或半固体状态，利于碳原子逸出表面，降低碳化硅外延片与氧化层接触面的碳含量，降低了MOSFET的比导通电阻，增强了MOSFET的稳定性。
一种碳化硅 moseft 结构及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN202011626480.4在审
发明人： 田丽欣;杨霏;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，碳化硅MOSFET器件包括由下至上依次层叠的衬底基片、缓冲层、漂移层，还包括：多个P阱区，P型控制区，p+型基区，n+型源区，栅氧化物层，分裂栅电极，钝化介质层，源电极层，漏电极层，肖特基电极，本方案，利用分裂栅电极与位于分裂栅电极之间的P型控制区的耦合作用，降低栅氧化物电场并有效降低高漏源电压下的饱和电流密度，提高器件的短路耐受能力。除此之外，通过分裂栅的设置降低器件的栅漏电容，以降低SiC基DMOSFET的开关损耗。
一种碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[实用新型]一种具有夜视功能的BIM建筑施工用指示牌-CN202022289998.5有效
发明人：刘剑波;魏超;田丽欣;郭英杰;解帅;秦豆惠子;张博雯;赵欣;赵腾杰;王雅慧;陈贤彪 -专利权人：徐佳宁
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有夜视功能的BIM建筑施工用指示牌，包括配重箱和电路板，所述配重箱的下方设置有弹性卡条，且弹性卡条的下方弹性连接有支撑块，所述配重箱的一侧设置有移动轮，所述配重箱的另一侧焊接连接有托运手柄，所述配重箱的外侧镶嵌有电源接口，所述电源接口的一侧电性输出连接有蓄电池，所述电路板的一侧电性输出连接有CPU芯片，且电路板位于蓄电池的一侧，所述CPU芯片的一侧电性输出连接有双显卡。该具有夜视功能的BIM建筑施工用指示牌安装有CPU芯片，通过安装的CPU芯片和CPU芯片的一侧的双显卡，通过先进的数字化的处理功能进行设备的运作检测，事先输入BIM的软件模型进行分析处理，提升了图像的清晰度与作业效率。
一种具有功能 bim 建筑施工指示牌

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