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[发明专利]重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置-CN202010244460.4有效
发明人：郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
离子辐射 sic mosfet 电学参数影响分析方法装置

[发明专利]一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法-CN202010317961.0有效
发明人：郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。
一种偏置电场离子辐射碳化硅二极管损伤分析方法

[发明专利]一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法-CN202110193428.2有效
发明人：郭红霞;刘晔;琚安安;欧阳晓平;钟向丽;冯亚辉;张凤祁;张鸿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。
一种构建存储单元物理模型获取粒子翻转截面方法

[发明专利]LET值仿真方法及装置-CN202111235714.7在审
发明人：郭红霞;刘晔;琚安安;欧阳晓平;钟向丽;冯亚辉;张凤祁;张鸿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种LET值仿真方法，包括：建立器件模型，器件模型包含灵敏体积区域；建立粒子输运模型；设置粒子源、及粒子源中粒子入射LET值，向器件模型发射N个粒子；计算N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl，及在灵敏体积区域的有效LET值Leff，Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。本发明提出的技术方案，通过建立器件模型及粒子输运模型，计算粒子在器件灵敏体积区域的有效LET值，缓解了采用粒子入射LET值计算单粒子翻转截面难以表征实际物理过程的技术问题。
let 仿真方法装置

[发明专利]一种存储器单粒子效应测试系统、方法及装置-CN202011073590.2有效
发明人：郭红霞;琚安安;张凤祁;周益春;欧阳晓平;张鸿;钟向丽 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器单粒子效应的测试系统、方法及装置，所述测试系统包括辐照板，其上设置有存储器；测试板，其上设置有FPGA器件，所述FPGA器件与所述存储器电连接，对所述存储器进行数据写入和/或数据读出；发射装置，用于发射重离子微束；控制平台，用于控制所述辐照板相对所述发射装置进行水平和/或上下位移；其中，所述FPGA器件上设置有第一反馈线路和第二反馈线路，分别用于输出不同的单粒子效应反馈信号。本申请实施例通过为不同单粒子效应设置不同的反馈线路和反馈机制，使得被测器件上的单粒子翻转效应区域和单粒子瞬态效应区域能够得到快速识别。
一种存储器粒子效应测试系统方法装置

[发明专利]存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法及装置-CN202010619291.8有效
发明人：郭红霞;琚安安;张凤祁;周益春;欧阳晓平;张鸿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法，包括：获取所述存储器单粒子效应的动态测试结果；将所述动态测试结果中的错误数据按所述存储器的读周期逐行保存为二维数组，一个读周期对应于所述二维数组中的一行；对所述二维数组中的元素从最后一行开始按行遍历排查，删除每一行中相对上一行中重复出现的元素，得到第一数组。通常本申请所述的数据处理方法，可以对存储器单粒子效应动态测试结果中大量重复出现的错误数据进行删减,从而有效缩减测试结果的数据量，以方便对结果数据的后续处理和传输。
存储器粒子效应动态测试结果数据处理方法装置

[发明专利]一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法-CN201910493496.3有效
发明人：郭红霞;郝蕊静;琚安安;潘霄宇;秦丽;郭维新;张凤祁;钟向丽;欧阳晓平;董世剑;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级方法

[发明专利]一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法-CN201810317130.6有效
发明人：郭红霞;琚安安;张凤祁;欧阳晓平;魏佳男;潘霄宇;郭维新;钟向丽;罗尹虹;丁李利;王坦;张阳;秦丽;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
一种质子辐射源检测存储器粒子扰动测试方法

[发明专利]用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置-CN202010653213.X在审
发明人：郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
用于半导体器件离子径迹损伤分析方法装置

[发明专利]累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法-CN202010711526.6在审
发明人：郭红霞;顾朝桥;潘霄宇;周益春;张凤祁;张文首;柳奕天;琚安安;张鸿;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法，包括：向样品器件施加预设偏置电压；对施加偏置电压后的样品器件进行辐照直至预设剂量点；测量施加辐照后的样品器件的电学特性参数；基于施加辐照前后的所述样品器件的电学特性参数对所述样品器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。本发明提出的评价方法能够便捷有效的对半导体功率器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。
累积电离辐射效应半导体功率器件可靠性评价方法

[发明专利]一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置-CN202010229918.9在审
发明人：郭红霞;柳奕天;潘霄宇;周益春;张凤祁;张文首;顾朝桥;琚安安;张鸿;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。
一种 sic mosfet 器件损伤机理分析方法装置

[发明专利]一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法-CN201810317160.7有效
发明人：郭红霞;琚安安;张凤祁;欧阳晓平;魏佳男;潘霄宇;郭维新;钟向丽;罗尹虹;丁李利;王坦;张阳;秦丽;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。
一种存储器粒子扰动加固方法

[发明专利]一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置-CN201911193449.3在审
发明人：郭红霞;董世剑;琚安安;潘霄宇;秦丽;郭维新;张凤祁;钟向丽;欧阳晓平;郝蕊静;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。
一种 dlts 结合 dlos 确定 gan 辐照缺陷能级方法装置

[发明专利]一种VDMOS器件的安全工作区域确定方法及装置-CN201711289526.6有效
发明人：郭红霞;王浩杰;张凤祁;丁李利;罗尹虹;郭维新;钟向丽;邢克飞;潘霄宇;张阳;秦丽;琚安安;王伟 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件的安全工作区域确定方法及装置，属于辐射效应及加固技术领域。解决无法准确定位半导体器件的单粒子敏感区域以及不同剂量下半导体器件安全工作区域与单粒子敏感性的变化趋势问题。包括：将开盖VDMOS器件设置在镜头视场内，进行第一次栅应力测试，确定第一栅极电流；进行第一次转移特性测试；通过激光微束扫描当漏极电压降低时，或确定第一栅极电流发生突变，或第一漏极电流发生突变，将当前扫描区域确定为单粒子效应敏感区域；进行第二次栅应力测试，将第二次栅应力测试的结果与第一次栅应力测试结果进行对比；并将进行第二次转移特性测试的测试结果与第一次转移特性测试的测试结果进行对比，确定单粒子效应类型。
一种 vdmos 器件安全工作区域确定方法装置

[发明专利]一种分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的方法-CN201910413000.7在审
发明人：郭红霞;郝蕊静;雷志锋;琚安安;郭维新;钟向丽;欧阳晓平;秦丽;李波;潘霄宇;董世剑 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的方法，利用SRIM计算重离子在GaN材料中的能量损失参数并获得其造成的潜径迹图，可以准确、快速、便捷的实现分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的效果，从而为降低空间中高能重离子辐照对GaN HEMT器件的影响提供研究基础。
重离子径迹损伤高能重离子辐照能量损失分析研究

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