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[发明专利]集成电路、电子设备及通信装置-CN202180090402.3在审
发明人：于宝亮;莫秉轩;王邦麟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种集成电路、电子设备及通信装置，能够解决集成电路中的ESD电路被频繁触发产生大电流的问题，避免影响集成电路的可靠性。该集成电路中静电防护电路的第一端与钳位单元的第一端耦合于第一节点；静电防护电路的第二端与集成电路的I/O端耦合；静电防护电路的第三端以及钳位单元的第二端分别与集成电路的接地端耦合；第一节点通过限流单元与集成电路的电源端耦合；集成电路通过集成电路的电源端为集成电路的负载电路供电。限流单元可以和钳位单元进行分压，减小钳位单元两端的电压，从而减小钳位单元误触发时的泄放电流，进而降低EM效应，保证集成电路的可靠性。
集成电路电子设备通信装置

[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法-CN201110388408.7有效
发明人： 王邦麟;王雷;王海军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P阱和沟槽，各P阱通过多沟槽彼此隔离；每个P阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有栅氧化层和多晶硅栅，所述栅氧化层位于多晶硅栅两侧和下方；其中，所述多晶硅栅底部中间位置向多晶硅栅顶部凹陷。本发明还公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管的制造方法。本发明的沟槽型绝缘栅场效应管在提高器件耐压性能，减小器件栅漏电容的同时能降低器件导通电阻。
一种沟槽绝缘场效应及其制造方法

[发明专利]互补型金属氧化物半导体防闩锁结构-CN201210464622.0有效
发明人：苏庆;王邦麟;苗彬彬;邓樟鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体防闩锁结构，包括：N型闩锁防护层和P型闩锁防护层构成，N型闩锁防护层由N型深阱、N型埋层、N阱、N型扩散区其中一种或多种构成；P型闩锁防护层由P型深阱、P型埋层、P阱、P型扩散区其中一种或多种构成；其中，N型闩锁防护层和P型闩锁防护层多组排列，呈十字交叉状。本发明与现有互补型金属氧化物半导体防闩锁结构相比较，能降低静电保护开启电压，提升泄放电流能力。
互补金属氧化物半导体防闩锁结构

[发明专利]静电保护结构-CN201210461488.9有效
发明人：苏庆;王邦麟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护结构，包括P型衬底中的N型深阱，N型深阱上部的P阱、N+扩散区和场氧化区，P阱上部的P+扩散区、N+扩散区和场氧化区，多晶硅栅极生长在N型深阱和P阱的上方；其中，所述P阱上部的N+扩散区靠近多晶硅栅极的一侧还有一P+有源区，所述P+有源区与所述P阱上部N+扩散区之间具有场氧化区，P阱上部的P+扩散区和N+扩散区相接引出作为接地端，所述P+有源区通过电阻和电容与所述N型深阱上部的N+扩散区相接引出作为静电输入端，多晶硅栅极引出连接在所述电阻和电容之间。本发明能在不影响器件耐压的情况下降低器件静电触发电压。
静电保护结构

[发明专利]硅控整流器-CN201210390562.2有效
发明人：苏庆;邓樟鹏;王邦麟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅控整流器，包括：深N阱上部顺序并列排布有N阱和P阱，所述P阱中还具有隔离N阱将P阱分为两部分第一P阱和第二P阱；所述N阱、第一P阱上部形成有N+扩散区和P+扩散区；所述第二P阱上部形成有两个N+扩散区，第二P阱上方具有一多晶硅层，形成一NMOS；所述隔离N阱上部形成有N+扩散区；所述N阱中的N+扩散区和P+扩散区与隔离N阱中的N+扩散区相连接静电端；所述第一P阱中的N+扩散区与所述NMOS漏极、栅极相连通过电阻接地，所述NMOS源极和第一P阱的P+扩散区接地。本发明与现有的硅控整流器想比较具有较高的骤回电压，能调节静电保护的触发电压，能提高硅控整流器开启后过低的骤回电压，能避免瞬态闩锁效应的发生。
整流器

[发明专利]MOS静电保护器件-CN201210253786.9有效
发明人： 王邦麟;苏庆 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS静电保护器件，包括：P型衬底上形成有P型阱，所述P型阱中形成有第一P+扩散区用作衬底接出，所述P型阱形成有第一N+扩散区构成静电保护器件的源极，所述P型阱中形成有一N型阱，所述N型阱中形成有分开的第二N+扩散区和第三N+扩散区，所述第二、第三N+扩散区与N型阱共同构成静电保护器件的漏极，所述N型阱中形成有第二P+扩散区，所述P型阱上方的第一多晶硅区构成静电保护器件的栅极，所述N型阱上方形成有第二、第三多晶硅区，第一、第三N+扩散区的一侧分别形成有一场氧化区。本发明要的MOS静电保护器件在确保器件静电保护能力的前提下省去了硅化物刻蚀掩膜版能降低MOS静电保护器件的生产成本。
mos 静电保护器件

[发明专利]静电保护结构-CN201210253787.3有效
发明人： 王邦麟;苏庆 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护结构，包括：N+/P阱二极管和多晶硅二极管；N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与多晶硅二极管的矩形P+扩散区相连；多晶硅二极管包括：形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述P+扩散区分列于所述N+扩散区两侧，其中一P+扩散区为矩形，另一P+扩散区呈阶梯形结构；所述N+扩散区通过金属连线并连后接电源电位，所述阶梯形P+扩散区通过金属连线接输出/入端口。本发明相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。
静电保护结构

[发明专利]一种多晶硅二极管静电保护结构-CN201210133332.8有效
发明人： 王邦麟;苏庆 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅二极管静电保护结构，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括，P-多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P-多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位；所述多晶硅二极管其一侧P+扩散区通过金属线接所述N+/P阱二极管的N+扩散区，其另一侧P+扩散区通过金属线接输入/出端口，其N+扩散区通过金属线并联后接到电源电位。本发明的多晶硅二极管的静电保护结构，在不影响静电保护能力的条件下，相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。
一种多晶二极管静电保护结构

[发明专利]MOS器件闩锁效应的监测结构-CN201110353367.8有效
发明人： 王邦麟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱，每个N阱中分别形成有一对有源区，每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。本发明的MOS器件闩锁效应的监测结构，能定量的给出实际的MOS器件输入输出区域到内部电路安全距离。
mos 器件效应监测结构

[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应管-CN201110357903.1无效
发明人： 王邦麟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P型阱和沟槽，各P型阱通过沟槽彼此隔离；每个P型阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有氧化层和多晶硅；其中，所述沟槽下方具有P型掺杂区。本发明的沟槽型绝缘栅场效应管在多晶硅栅下方增加轻掺杂P型掺杂区能提高器件的耐压性能。
一种沟槽绝缘场效应

[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法-CN201210181338.2有效
发明人：刘冬华;段文婷;胡君;王邦麟;石晶;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，在多晶硅栅源端一侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中形成有N型源漏注入区、第二N型轻掺杂漏注入区和用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区位于N型源漏注入区的外侧并且第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于第二N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。
rfldmos 工艺中的 esd 器件及其制造方法

[发明专利]静电保护结构-CN201010594706.7有效
发明人：苏庆;王邦麟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护结构，包括第一NPN异质结晶体管、第二NPN异质结晶体管；第二NPN异质结晶体管的基极、集电极接第一NPN异质结晶体管的集电极，第二NPN异质结晶体管的发射极作为静电进入端，第一NPN异质结晶体管的基极、发射极短接作为静电放出端。本发明的静电保护结构，利用第二NPN异质结晶体管实现高增益放大倍数，利用第一NPN异质结晶体管实现高反向耐压能力，可以在不明显增加寄生电容的情况下，保证较高的静电泻放能力，增强击穿电压。
静电保护结构

[发明专利]应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构-CN201010576693.0有效
发明人：高翔;王邦麟;徐向明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构，包括并联的两个支路，每个支路为一个基本电路结构或多个串联的基本电路结构。所述基本电路结构包括一个HBT、连接在该HBT的基极和集电极之间的一个电容、连接在该HBT的基极和发射极之间的一个电阻；该HBT的集电极和发射极分别作为所述基本电路结构的两端。所述并联的两个支路的两端分别连接两个电源。本发明可以集成在现有的简化锗硅工艺之中，并且具有较高的静电泻放能力，有利于缩小版图面积。
应用于工艺电源静电保护结构

[发明专利]基于锗硅工艺平台的静电保护结构-CN201010568044.6有效
发明人： 王邦麟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锗硅工艺平台的静电保护结构，在地电位和输入输出端口之间具有第一HBT，该第一HBT的基极通过一个反向的二极管接地电位，集电极接地电位，发射极通过一个或多个正向串联的二极管接输入输出端口；在输入输出端口和电源电位之间具有第二HBT，该第二HBT的基极通过一个反向的二极管接输入输出端口，集电极接输入输出端口，发射极通过一个或多个正向串联的二极管接电源电位。本发明基于锗硅工艺平台的静电保护结构可起到良好的静电保护效果，并具有较小的整体电容值。
基于工艺平台静电保护结构

[发明专利]静电保护二极管-CN201010511191.X有效
发明人： 王邦麟;苏庆 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护二极管，包括：半导体衬底、第一导电类型的第一阱区、形成于第一阱区上第二导电类型的第二扩散区；第二扩散区和第一阱区形成PN结；第二扩散区为一环形结构，在第二扩散区的内侧形成有一第三区域；第三区域为掺杂浓度小于第二扩散区的第二导电类型的第三扩散区、或第三区域为一场氧区。本发明能减少器件的寄生电容、提高电路的频率特性、同时不降低器件的静电防护能力。
静电保护二极管

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