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[发明专利]一种无停止层接触孔刻蚀的方法-CN202211683496.8在审
发明人： 王百钱;余巨峰;王庆;曾友宏;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种无停止层接触孔刻蚀的方法，包括以下步骤：S1.在硅波导基底上沉积介质层，再涂覆光刻胶并图形化；S2.通过感应耦合等离子机台和第一气体刻蚀所述介质层，刻蚀的平均深度为h1；S3.通过磁场增强反应离子刻蚀机台和第二气体刻蚀所述介质层，刻蚀的平均深度为h2，h1+h2＝h，h为刻蚀总深度；S4.通过干法去除光刻胶和聚合物，并通过湿法清洗，形成接触孔图形。本发明通过调整不同的刻蚀方法，平衡不同开口区域的负载效应，减少了基底损失，提高了接触电阻的一致性。
一种停止接触刻蚀方法

[发明专利]基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置-CN202211653660.0在审
发明人：余巨峰;王百钱;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：第一次光刻：在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；刻蚀：对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一图案中的线宽细化；第二次光刻：在所述刻蚀后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。本发明可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。
基于刻蚀双重光刻分辨率图案实现方法装置

[发明专利]一种MEMS空腔的制备方法-CN202211684030.X在审
发明人： 王百钱;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS空腔的制备方法，包括以下步骤：S1.在衬底上沉积介质层埋层，再在所述埋层上沉积锗，并形成图形化的光阻掩模；S2.通过第一气体刻蚀所述光阻掩模和锗形成锗图形；S3.在所述锗图形上沉积支撑层，并通过光刻和第二气体刻蚀形成释放孔；S4.基于所述支撑层的释放孔，通过强酸腐蚀液以湿法去除所述锗图形，从而形成MEMS空腔。本发明通过湿法腐蚀锗形成空腔结构，不会损伤器件结构，可以使用工艺线上现有设备，不须采购新设备新材料，降低了成本，同时扩展现有工艺能力。
一种 mems 空腔制备方法

[发明专利]MRAM器件及其形成方法-CN202010235486.2在审
发明人：杨成成;王百钱;何其暘;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种MRAM器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部材料层和位于所述底部材料层上的磁隧道结材料层；图形化所述磁隧道结材料层并停止于所述底部材料层，使磁隧道结材料层形成磁隧道结结构；在所述磁隧道结结构的侧部的底部材料层上形成第一介质层；在所述第一介质层上以及所述磁隧道结结构上形成顶部电极材料层；刻蚀所述顶部电极材料层、第一介质层和底部材料层，形成位于磁隧道结结构上的顶部电极层和位于磁隧道结结构底部的底部电极层。上述的方案，可以避免沉积于势垒层侧壁的磁性材料与势垒层直接接触，避免引起短路，故可以提高MRAM器件的性能。
mram 器件及其形成方法

[发明专利]存储器及其形成方法-CN201810183297.8有效
发明人：于涛;王百钱 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种存储器及其形成方法，包括：形成擦除栅极结构、浮栅极结构以及位于浮栅极结构上的侧墙，浮栅极结构和侧墙在沟道方向分别对应具有背向擦除栅极结构的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁呈平面状，第一侧壁相对于第二侧壁朝向擦除栅极结构凹进，第一侧壁和第二侧壁不连续；在擦除栅极结构、浮栅极结构和侧墙的外表面和半导体衬底表面形成隔离膜，隔离膜覆盖第一侧壁和第二侧壁；在隔离膜的表面形成阻挡膜；回刻蚀阻挡膜至暴露出半导体衬底表面的隔离膜，形成覆盖第一侧壁和第二侧壁的阻挡层；以阻挡层为掩膜刻蚀隔离膜至暴露出半导体衬底表面，形成覆盖第一侧壁和第二侧壁的隔离层；之后去除阻挡层。所述方法提高了存储器的性能。
存储器及其形成方法

[发明专利]存储器的形成方法-CN201610782269.9有效
发明人：张怡;王百钱 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/11531 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器的形成方法，包括：提供衬底；所述衬底上具有初始栅极层，所述初始栅极层上具有牺牲层，所述牺牲层中具有第一开口，所牺牲层侧壁表面具有初始第一侧墙，所述初始第一侧墙包括底部区域和位于所述底部区域上的顶部区域；对所述初始第一侧墙进行第一刻蚀，减小所述顶部区域的初始第一侧墙的厚度，形成第一侧墙；去除第一开口底部暴露出的初始栅极层，形成栅极层和第二开口；形成第一侧墙和所述栅极层之后，形成覆盖所述栅极层侧壁的第二侧墙，在所述第二开口中形成字线结构。所述形成方法形成字线结构的研磨工艺窗口较大，所述字线结构的形成工艺较稳定。
存储器形成方法

[发明专利]一种制作不同深度隔离沟槽的方法-CN201810590023.0在审
发明人：吴亚贞;刘宪周;王百钱 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种制作不同深度隔离沟槽的方法，在包含第一区域和第二区域的衬底上依次形成衬垫氧化层和掩膜层，其中第二区域待形成的隔离沟槽的孔径大于第一区域待形成的隔离沟槽的孔径，第二区域待形成的隔离沟槽的密度分布小于第一区域待形成的隔离沟槽的密度分布；然后对掩膜层和衬垫氧化层进行刻蚀，至第二区域暴露部分衬底，而第一区域剩余部分厚度的衬垫氧化层；然后采用高刻蚀选择比对暴露出的衬底与衬垫氧化层进行刻蚀，最终在第一区域内形成的隔离沟槽与在第二区域内形成的隔离沟槽具有不同的深度。本发明第一区域与第二区域内的隔离沟槽是同时形成的，从而避免分步骤在第一区域与第二区域内形成隔离沟槽，简化了工艺流程，节省了成本。
隔离沟槽第二区域第一区域衬垫氧化层衬底刻蚀密度分布掩膜层工艺流程暴露比对制作

[发明专利]对多晶硅轮廓进行控制的方法-CN201510189278.2在审
发明人： 王百钱 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种对多晶硅轮廓进行控制的方法，包括：提供衬底，该衬底上设置有多晶硅层和自然氧化层；在所述衬底上形成栅极和栅极侧墙；采用含氯气体作为刻蚀气体对两栅极的侧墙之间的自然氧化层进行刻蚀，以形成开口；接着刻蚀多晶硅层。本发明采用含氯气体代替现有工艺中的CF₄气体，实现软刻蚀，使得刻蚀速度大大减小，进而可以精确控制住开口侧壁的垂直度，使得多晶硅轮廓得以控制，使得栅极和栅极侧墙的底部轮廓保持垂直，避免了跟切现象的产生，从而提高了后续EFLASH的电学性能。
多晶轮廓进行控制方法

[发明专利]低功耗MOS器件栅极刻蚀方法及低功耗MOS器件制造方法-CN201310386315.X在审
发明人：张振兴;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种低功耗MOS器件栅极刻蚀及低功耗MOS器件制造方法。所述低功耗MOS器件栅极刻蚀方法包括：形成低功耗MOS器件的栅极多晶硅层，其中低功耗MOS器件包括低功耗NMOS器件和低功耗PMOS器件，而且其中所述NMOS器件的栅极多晶硅层为掺杂的栅极多晶硅，所述PMOS器件的栅极多晶硅层为未掺杂的栅极多晶硅；利用氟化物和CL2的混合气体对所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅层进行刻蚀以形成所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅图案。
功耗 mos 器件栅极刻蚀方法制造

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210398751.4在审
发明人：张振兴;奚裴;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有栅极结构，半导体衬底和栅极结构的表面依次具有第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；采用第一次干法刻蚀工艺刻蚀第二氧化硅层，在栅极结构两侧的氮化硅层表面形成氧化硅侧墙；第一次干法刻蚀工艺之后，采用第一次抽气将刻蚀腔内的气体排出刻蚀腔；第一次抽气之后，采用第二次干法刻蚀工艺刻蚀氮化硅层，在栅极结构两侧的第一氧化硅层表面形成氮化硅侧墙；第二次干法刻蚀工艺之后，采用第二次抽气将刻蚀腔内的气体排出刻蚀腔。所形成的半导体结构表面无聚合物残留。
半导体结构形成方法

[发明专利]存储器字线高度的控制方法-CN201110299630.X有效
发明人：张振兴;奚裴;程江伟;江红;肖培;熊磊;黄莉;齐龙茵;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器字线及其尖角的高度的控制方法。根据本发明的存储器字线高度控制方法包括：字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅；氧化层生长步骤，在所述字线多晶硅上自然生长成氧化层(通常为二氧化硅)，氧化层分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆盖了所述栅极多晶硅、所述隔离区以及最终的字线区域；氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层进行刻蚀；字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线以尖角的高度。
存储器高度控制方法

[发明专利]设备去除率监测方法-CN201110388530.4有效
发明人： 王百钱;奚斐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种设备去除率监测方法，通过预定时间内晶圆上的待去除层的厚度去除量除以所述预定时间，得到所述去除率，其中：所述晶圆为生产晶圆，所述生产晶圆包括衬底，位于衬底上的停止层，形成在停止层上的待去除层。本发明具有以下优点：第一，不需要额外准备去除率监测晶圆，能够节约成本；第二，能够在晶圆生产过程中进行实时监测；第三，延长设备正常生产时间；第四，增加去除率异常的检出率，提高监测敏感性，及早地发现去除率异常情况。
设备去除监测方法

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