[发明专利]MRAM器件及其形成方法在审
申请号: | 202010235486.2 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN113471245A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 杨成成;王百钱;何其暘;黄敬勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 518118 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种MRAM器件及其形成方法,所述方法包括:提供基底;在所述基底上形成底部材料层和位于所述底部材料层上的磁隧道结材料层;图形化所述磁隧道结材料层并停止于所述底部材料层,使磁隧道结材料层形成磁隧道结结构;在所述磁隧道结结构的侧部的底部材料层上形成第一介质层;在所述第一介质层上以及所述磁隧道结结构上形成顶部电极材料层;刻蚀所述顶部电极材料层、第一介质层和底部材料层,形成位于磁隧道结结构上的顶部电极层和位于磁隧道结结构底部的底部电极层。上述的方案,可以避免沉积于势垒层侧壁的磁性材料与势垒层直接接触,避免引起短路,故可以提高MRAM器件的性能。 | ||
搜索关键词: | mram 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的