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[实用新型]变电运维用设备浮尘清扫装置-CN202320939245.5有效
发明人：王文东;王学炜;周中新;王冉冉;洪敏;王景来;张国华;张改玲 -专利权人：国网山东省电力公司莘县供电公司工会委员会
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了变电运维用设备浮尘清扫装置，包括支撑板，所述支撑板顶部的右侧固定连接有驱动箱，所述驱动箱的顶部设置有第一电动推杆，所述第一电动推杆的输出端固定连接有固定板，所述固定板的后侧固定连接有第一电机，所述第一电机的输出端贯穿固定板并固定连接有吸尘盒。本实用新型通过支撑板、驱动箱、第一电动推杆、固定板、第一电机、吸尘盒、第二电机、第一齿轮、第二齿轮、传动管、清洁刷、过滤箱、吸尘管、吸风机、金属过滤网、第三电机、螺纹杆和螺纹管的配合使用，实现了方便使用的功能，解决了现有的设备清扫装置需要人工手动清扫吸尘，而变电设备的顶部灰尘较多，清扫用时较长，费时费力的问题。
变电运维用设备浮尘清扫装置

[发明专利]基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法-CN201910465077.9有效
发明人：张雅超;马德璞;许晟瑞;王学炜;张进成;马佩军;张春福;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1‑mN/AlnSc1‑nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
基于掺杂 alscn 晶格势垒层高效发光二极管制备方法

[发明专利]基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法-CN202010826165.X有效
发明人：许晟瑞;胡琳琳;王学炜;张雅超;段小玲;陈大正;宁静;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga2O3材料，AlN成核层采用磁控溅射工艺制备。本发明的基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管，选取Ga2O3作为衬底层，Ga2O3与GaN晶格失配小，减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，另外，采用p型BN来提供空穴，由于Mg在BN中离化率较高，电导率也较高，从而进一步提高了器件的发光效率。
基于氧化衬底高效紫外发光二极管制备方法

[实用新型]一种变电检修用辅助升降平台-CN202120592127.2有效
发明人：洪敏;张国华;张改玲;王景来;王文东;王学炜;周中新;王冉冉 -专利权人：洪敏
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B66F7/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及变电检修技术领域，具体揭示了一种变电检修用辅助升降平台，包括活动箱，所述活动箱内腔的两侧均开设有滑槽，所述滑槽的内腔活动连接有滑块，所述滑块的内侧设有推杆，所述推杆的顶部贯穿并延伸至活动箱的顶部，所述推杆的顶部设有工作台，所述推杆的内侧固定连接有连接板，所述连接板的顶部与活动箱的连接处设有弹簧，所述连接板的底部设有斜板。本实用新型电机运行，通过电机带动螺杆进行转动，通过螺杆带动螺套向左移动，通过活动箱内的活动槽和移动板配合螺套进行移动，通过螺套带动固定杆向左移动，通过固定杆带动滑轮向左移动，通过滑轮与斜板上的导槽配合带动斜板向上移动。
一种变电检修辅助升降平台

[实用新型]一种简易型用于变电检修的内窥镜-CN202021420133.1有效
发明人：王景来;周晓燕;张国华;张改玲;王文东;王学炜;周中新;王冉冉;洪敏 -专利权人：王景来
申请日： 2020-07-19 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G02B23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种简易型用于变电检修的内窥镜，包括显示器和软管，显示器的内部固定连接有线束，线束的一端贯穿显示器并延伸至显示器的外部，且线束的顶端固定连接有镜头，软管的顶端固定连接有硬管，硬管的外部通过第一转轴转动连接有转动头，且转动头的内表面与镜头的表面固定连接，本实用新型涉及变电检修设备技术领域。该简易型用于变电检修的内窥镜，利用转向控制轴与第一尼龙线圈配合，可控制第一转轴带动转动头转动，进而可方便的调节镜头的角度，而利用转向控制轴与第二尼龙线圈配合，可控制第二转轴带动转动架转动，进而可方便的调节偏光镜的角度，使该内窥镜查看的范围更广，且操作简单，组成结构也较为简单。
一种简易用于变电检修内窥镜

[发明专利]基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法-CN201810801746.0有效
发明人：许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;马晓华;毕臻;周小伟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型层，其特征在于：p型层采用ScAlN/AlGaN超晶格结构，即ScAlN和AlGaN交替生长，每个ScAlN层和它上面的AlGaN层组合为一个周期，共生长10‑30个周期。本发明增大了p型层中掺杂的Mg的离化率，提高了发光二极管的发光效率，可用于制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
基于 scaln algan 晶格高效发光二极管制备方法

[实用新型]一种变电运维作业车载定置柜-CN201920236079.6有效
发明人：张国华;张改玲;王文东;王学炜;周中新;王冉冉;洪敏;王景来 -专利权人：张国华
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： B25H5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变电运维作业车载定置柜，包括安装背板、第一组装箱和第二组装箱，所述安装背板的一侧从上至下依次开设有第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔的内部从上至下均通过螺栓螺母分别与第一组装箱和第二组装箱的一侧固定连接，本实用新型涉及变电运维作业辅助工具技术领域。该变电运维作业车载定置柜，使得箱柜可以自由组装，同时对工具进行分类存放，有效保证了箱柜的使用寿命，提升变电运维人员的工作效率，解决了车辆后备箱防潮、防震及防尘性能较弱，容易导致工器具在运输途中损坏，高精度设备也可能因为受潮而失灵，因而满足不了变电运维各项作业需求，给作业人带来困扰的问题。
一种变电作业车载定置柜

[实用新型]一种变电检修用警戒装置-CN201920249122.2有效
发明人：王冉冉;洪敏;王景来;张国华;张改玲;王文东;王学炜;周中新 -专利权人：王冉冉
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： E04H17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变电检修用警戒装置，包括第一弧形板和第二弧形板，所述第一弧形板内壁的顶部与底部之间转动连接有竖杆，并且竖杆表面的顶部与底部均固定连接有警戒带，竖杆表面的顶部固定连接有第一锥齿轮，并且第一弧形板一侧的顶部转动连接有手柄，本实用新型涉及变电检修警戒工具技术领域。该变电检修用警戒装置，通过第一弧形板内壁的顶部与底部之间转动连接有竖杆，采用手动的方式，摇动手柄就可以将警戒带进行回收，减轻了工作人员的负担，提高了回收的效率，通过第一弧形板的一侧贯穿第二弧形板并延伸至第二弧形板的内部，可以将第一弧形板回收进第二弧形板中，缩小了警戒装置的占地面积，合理的利用了空间。
一种变电检修警戒装置

[外观设计]埙-CN201830577411.6有效
发明人： 王学炜 -专利权人： 王学炜
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： 17-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：埙。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于吹奏的乐器。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计乐器图片

[实用新型]一种新型乐器-CN201821684772.1有效
发明人： 王学炜 -专利权人： 王学炜
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G10D7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型乐器，包括扁球形的壳体，壳体内设有中空腔，壳体由上下对称的上半壳和下半壳接合而成，接合处形成水平的接合线；壳体一端在接合线处设有第一吹孔，壳体另一端在接合线处设有第二吹孔；上半壳设有上部指孔，下半壳设有下部指孔；壳体内壁倾斜固定有中隔板，中隔板将中空腔隔断为上部空腔和下部空腔。本实用新型的有益效果是：音域宽广，同一个乐器能够吹奏两个调式，大大增加了能够演奏的曲目范围，音质饱满厚重，相较于传统阿乌单薄的乐声具有更加丰富的表现力，操作方便，舒适度高，易于学习。
壳体本实用新型接合线处新型乐器上半壳下半壳中隔板中空腔吹孔指孔壳体内壁壳体一端倾斜固定上部空腔上下对称下部空腔接合音域扁球形接合处接合线舒适度隔断音质乐器曲目体内演奏学习

[发明专利]基于GaN段落生长层的光电转换结构及制备方法-CN201910048503.9在审
发明人：许晟瑞;王学炜;李文;郝跃;张进成;李培咸;张春福;马晓华;毕臻 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN段落生长层的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构对光的吸收率低，导致制作太阳能电池时效率不高的问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底(1)、高温AlN成核层(2)、GaN段落生长层(3)、n型GaN层(4)、In_xGa_1‑xN层(5)和p型GaN层(6)，其中GaN段落生长层(3)是由多段厚度相同的GaN自下而上堆叠而成，其总厚度为2‑3μm，段落数为2到4段。本发明的光电转换结构中由于采用GaN段落生长层代替传统结构中的未掺杂GaN层，提高了整体材料质量和对光的吸收效率，可用于制作高效率的太阳能电池。
生长层光电转换结构太阳能电池制备吸收率未掺杂GaN层传统结构吸收效率整体材料蓝宝石成核层高效率衬底堆叠多段可用制作

[发明专利]n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及制备方法-CN201810801642.X在审
发明人：许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;马晓华;毕臻;艾立霞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有n型GaN层应力较大的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、In_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中n型GaN层(3)采用对称掺杂结构，包含上下对称的五层，即以中间位置的第三层为分界线，上下两部分镜面对称，相对称层的厚度和掺杂浓度完全一致。本发明减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，可用于紫外和深紫外发光设备中。
高效发光二极管对称掺杂的制备掺杂蓝宝石衬底层紫外发光设备多量子阱层发光效率镜面对称上下对称成核层第三层电极分界线称层减小可用

[发明专利]基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及制备方法-CN201810846620.5在审
发明人：许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;张春福;马晓华;毕臻;周小伟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法，主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、In_xGa_1‑_xN/GaN量子阱层(5)和p型GaN层(6)，其中n型GaN层(4)通过离子注入的方式进行掺杂，注入有剂量为1×10¹⁵‑10¹⁷cm^‑2、能量为100keV的Sn离子。本发明提高了光电转换结构对光的吸收率，进而提高了其效率，可用来制作高效率的太阳能电池。
光电转换结构离子氮化物制备吸收率太阳能电池效率光吸收效率太阳能电池量子阱层成核层高效率衬底可用掺杂制作

[发明专利]基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法-CN201810844475.7在审
发明人：许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;张春福;马晓华;毕臻;艾立霞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构中的氮化物材料自发极化电场的方向与光照产生的电场相反，导致光电转换结构效率不高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、i‑In_xGa_1‑xN层(5)和p型GaN层(6)，其中除衬底以外的各层均采用N极性氮化物材料，即材料的最表层中心原子为N原子。本发明的光电转换结构中由于氮化物材料自发极化产生的电场与光照产生的电场方向相同，起到了对光照产生电场的促进作用，提高了光电转换效率，可用于制作高效率的太阳能电池。
光电转换结构电场极性氮化物光照氮化物材料自发极化衬底制备光电转换效率太阳能电池促进作用中心原子成核层高效率最表层可用制作

[发明专利]基于超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及制备方法-CN201810666282.7在审
发明人：许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;马晓华;毕臻;艾丽霞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型区Mg的离化率低，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑_yN多量子阱(4)、电子阻挡层(5)和p型层(6)，其中：p型层包括三层，即上、下层为均匀掺杂Mg的GaN材料，中间为δ掺杂的GaN/AlGaN超晶格结构的材料。本发明增加了p型层中Mg的离化率，提高了发光效率，可用于水净化、生物制剂检测、杀菌和医药设备中。
超晶格结构掺杂的高效发光二极管离化制备生物制剂检测电子阻挡层发光二极管蓝宝石多量子阱发光效率均匀掺杂医药设备成核层水净化衬底可用三层下层杀菌

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