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[发明专利]曝光设备正交性检测方法-CN202111044702.6有效
发明人：侯广杰;叶小龙;黄执祥;王栋 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明属于曝光设备正交性检测领域，尤其涉及一种掩模版以及用于曝光设备正交性检测方法，其中，包括：掩模基板，由透光材料制成；铬层，设于掩模基板的一侧板面，并具有四个镂空状的掩模图案，其中，掩模图案具有掩模指针图以及掩模刻度图案，掩模指针图呈线状，且在X方向延伸设置，掩模指针图的宽度为指针参照宽度，而长度为指针参照长度，掩模刻度图案整体呈矩形，且长度方向为X方向，掩模刻度图案包括标数图、一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图和四级刻度图，一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图以及四级刻度图在Y方向上依次设置。本发明能够降低曝光设备的正交性检测成本。
曝光设备正交检测方法

[发明专利]掩模版清洗用超纯水系统及检测方法-CN202210922128.8在审
发明人：黄执祥;侯广杰;郑巍峰 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模版清洗用超纯水系统及检测方法，该系统包括通过连接管依次连接的一级EDI后的蓄水箱、二级EDI泵、前置过滤器、二级EDI、紫外线杀菌灯、变频恒压供水泵、抛光混床、后置过滤器以及供水点。本申请提供的上述技术方案，整个系统流程都在连接管中完成，从而避免了空气接触，同时原有纯水经过二级EDI再次深度除盐，紫外线杀菌灯的照射可以有效破坏纯水中的微生物DNA分子，使之无法繁殖，而且抛光混床可以深度去除RO纯水中尚存的微量离子，从而有效提高了超纯水的质量。
模版清洗超纯水系统检测方法

[发明专利]半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法-CN202210336511.5有效
发明人：谢超;柯汉奇;黄执祥;张道谷 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B65G43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法，其中，半导体芯片用掩模版传送装置用于自光刻机内取出曝光后的掩模版，并送至后处理设备；包括主体、检测机构以及传送机构；主体活动设置，内设有恒温腔；检测机构包括感应器，用以检测主体的位置信息；传送机构包括控制器以及传送手臂，传送手臂活动设于恒温腔，具有取版状态和放版状态，控制器与感应器以及传送手臂电连接；其中，处于取版状态时，传送手臂用以自光刻机内拾取掩模版，并移送至恒温腔内；处于放版状态时，传送手臂用以将恒温腔内的掩模版移送至后处理设备内；通过该传送装置传送曝光后的掩模版，保证掩模版在移送过程中的清洁度，提高掩模版的质量；同时减少人力成本。
半导体芯片模版传送装置及其方法

[发明专利]IGBT沟槽工艺掩模版专用装置及使用方法-CN202210445298.1在审
发明人：王栋;谢超;侯广杰 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及提供一种IGBT沟槽工艺掩模版专用装置及使用方法，该装置包括夹具本体、凸台、取放版沟槽以及吸气沟槽。本申请提供的上述方案，当掩模版放置到该装置上后，掩模版的四个拐角与对应的四个凸台抵接，此时，掩模版上的有效图形区整体处于非接触状态，从而将掩模版的吸附位置由玻璃面的有效图形区转移到四个角上的非关键质量区域，有效避免了对有效图形区玻璃面的划伤问题，同时解决了制作掩模版吸附时背面颗粒导致平整度变形的问题；进一步地，该装置可以通过取版夹具装卸掩模版，避免了手工取放掩模版导致的掩模版脏污问题。
igbt 沟槽工艺模版专用装置使用方法

[发明专利]掩模版曝光过程表面颗粒实时清除装置-CN202110930986.2有效
发明人：侯广杰;谢超;叶小龙 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属涉及一种掩模版曝光过程表面颗粒实时清除装置，包括：除尘吹气接头，用于将吹气组件吹出的气导向光斑区域，其中，所述光斑区域为激光经所述光刻机镜头后落在所述掩模版上形成的区域，所述吹气除尘接头的出气口与所述光斑区域在垂直于所述掩模版的方向上错位设置。本发明能够在曝光过程中清除掩模版表面颗粒，从而解决了在检查完成后的传递和装载过程中仍然会有部分灰尘落到掩模版表面，并产生掩模版黑缺陷，影响产品良率的问题。
模版曝光过程表面颗粒实时清除装置

[发明专利]超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置-CN202210453660.X在审
发明人：黄执祥;王栋;侯广杰 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其中，超结MOS器件OPC掩模版制作方法包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形；获得光刻机可识别的主图曝光数据，获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。减少图形转换时间，缩短了OPC掩模版制作所需时间，提高了OPC掩模版制作效率。
mos 器件 opc 模版制作方法装置

[发明专利]半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质-CN202210340217.1有效
发明人：侯广杰;柯汉奇;叶小龙;王栋 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片掩模版光刻胶烘烤设备、半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质，半导体芯片掩模版光刻胶烘烤设备包括温度分析模块以及加热模块，加热模块包括加热板，用于对放置于加热板表面的掩模版执行烘烤操作，加热板包括温度控制阵列；温度分析模块用于根据在掩模版的PSM基板上形成的掩模图形确定PSM基板中的各个子区域的烘烤温度；温度控制阵列包括多个温度调节单元，温度调节单元与温度分析模块连接，用于将各个子区域的温度调节至对应的烘烤温度。通过将掩模图形各个栅格的图形分布密度进行比例换算成各个子区域的烘烤温度，为PSM基板的不同区域提供精准的烘烤温度，从而提高了掩模版的图像尺寸均匀性。
半导体芯片相移模版光刻烘烤方法存储介质

[发明专利]半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方法及检测装置-CN202210340199.7有效
发明人：黄执祥;柯汉奇;王栋;孙世强 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方法及检测装置，方法包括将贴膜后的掩模版放置于载物平台，并接收图像采集单元发送的掩模版的图像，其中，所述掩模版的图像为掩模版贴膜后的图像；根据所述掩模版的图像确定掩模版与保护膜之间的在水平方向上的距离偏移量和角度偏移量；根据所述距离偏移量和所述角度偏移量确定掩模版贴膜精度。通过采集掩模版的图像，并根据掩模版的图像直接确定固定在放置于掩模版上方的膜框的保护膜与所述掩模版的距离偏移量以及角度偏移量，根据所述距离偏移量以及所述角度偏移量即可快速确定掩模版贴膜精度，而无需在掩模版上添加标记后人工判断贴膜精度，提高了贴膜精度的检测效率以及精确性。
半导体芯片模版精度检测方法装置

[发明专利]半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备-CN202210353462.6有效
发明人：王栋;柯汉奇;谢超;白永智 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备，该方法用于控制探针对掩模版与保护膜之间的待清理异物进行清理，所述探针包括探针头以及筒状异物回收针体，所述筒状异物回收针体的内部包括分节设置的预设长度的角度弯折关节，各个角度弯折关节之间包括对应的关节部；所述半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法的步骤包括：获取所述待清理异物的目标位置；控制所述探针移动至所述目标位置，并控制所述探针对所述待清理异物进行清理。解决了采用激光照射异物的方式而导致的二次污染以及损伤掩模版风险，以及移除原膜对异物进行清理的方式导致时间以及材料成本的浪费的问题。
半导体芯片模版异物清理方法设备

[发明专利]掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质-CN202110930984.3有效
发明人：叶小龙;黄执祥;王栋 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质，该方法包括：对刻蚀后的掩模版进行缺陷检测，得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；根据各缺陷的尺寸信息确定第一脉冲频率；根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器；通过去除需要的激光器对缺陷表面感光胶进行定点去除；通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀。本申请提供的上述技术方案，不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。
模版缺陷去除方法装置设备及其存储介质

[发明专利]掩模版辅助静态图像测量装置及掩模版静态图像测量系统-CN202111052415.X有效
发明人：侯广杰;叶小龙;黄执祥;谢超 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明属于尺寸测量技术领域，尤其涉及一种掩模版辅助静态图像测量装置及掩模版静态图像测量系统，其中，掩模版辅助静态图像测量装置包括：载物台，包括由透光材料制成并用于支撑掩模版的支撑结构；光源组件，包括左侧平行光源板、右侧平行光源板、前侧平行光源板、后侧平行光源板和底面平行光源板；反射吸光结构，设于掩模版的四周。本发明通过一次图像静态图像获取测量，即可自动计算并测量出掩模版的外形尺寸、掩模版上的掩模图形到掩模版外边缘的距离，测量速度快、效率高，且属于无接触测量，不会划伤掩模版外表面。
模版辅助静态图像测量装置系统

[发明专利]光刻机参数状态检测方法、装置、设备及其存储介质-CN202111046088.7有效
发明人：叶小龙;侯广杰;谢超;王栋 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻机参数状态检测方法、装置、设备及其存储介质，该方法包括获取工作时的光刻机的各种工作参数；将各种工作参数转换成对应的工作图形界面并量化；对比工作图形界面与对应的正常图形界面的偏差，若偏差在预设范围内，则工作时的光刻机指标合格；若偏差超过预设范围，则工作时的光刻机出现故障。本申请提供的上述技术方案，通过将工作时的光刻机的各种工作参数转换成对应的工作图形界面，根据工作图形界面来判断光刻机的各个参数是否出现异常，更加直观的对比出设备各项参数状态的变化，解决了传统方式依靠工程师停机检查及设备仪器检测时效性低的问题，同时避免了因为设备参数变化跟踪不及时导致产品的批量报废。
光刻参数状态检测方法装置设备及其存储介质

[发明专利]一种掩模板及其制作方法-CN201811108567.5有效
发明人：黄执祥;侯广杰 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G03F1/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模板及其制作方法，包括：基板和光阻层，所述光阻层设置在基板上，所述光阻层与产品接触的一侧为顶壁，所述顶壁具有至少两个平行于基板的贴合面，相邻贴合面的高度不同，相邻贴合面间通过垂直于基板的连接壁连接，所述顶壁用于记载三维立体结构信息。当需要生产具有多层结构的产品时，可以通过电镀、注塑或直接压印等方式将光阻层所含的三维立体结构信息传递到产品的原材料上，完成产品的生产，无需采用多个掩模板对准套刻生产，避免了对准套刻生产中的偏差，提升了产品生产的精度，降低了废品率，减少了曝光次数，从而节省了工序，减少了使用掩模板的张数，节约了成本。
一种模板及其制作方法

[实用新型]掩模版脱膜模具-CN202121890618.1有效
发明人：侯广杰;白勇智 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种掩模版脱膜模具，包括：溶液放置箱，溶液放置箱的上方为开口结构；模具槽，模具槽设置在溶液放置箱内，模具槽包括第一放置槽和第二放置槽，第一放置槽沿掩模版宽度方向设置有多个第一卡槽，每个第一卡槽上的槽口的尺寸不同；第二放置槽沿掩模版宽度方向设置有多个第二卡槽，每个第二卡槽上的槽口的尺寸不同，且每个第二卡槽与每个第一卡槽相对设置。本申请提供的上述方案，可以同时将多个不同规格的掩模版放置对应的第一卡槽和第二卡槽之间，然后在溶液放置箱内倒入碱性溶液即可，该模具方便同时对多张掩模版脱膜，有效提高了脱膜速率。
模版模具

[实用新型]掩模版外形尺寸测量装置-CN202121891228.6有效
发明人：侯广杰;崔嘉豪 -专利权人： 深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种掩模版外形尺寸测量装置，包括：底座、螺旋测微器、第一放置槽、第二放置槽以及移动组件，第一放置槽和第二放置槽的宽度不同。本申请提供的上述方案，当需要测量掩模版的长度时，只需要将掩模版放入到对应的第一放置槽或者第二放置槽内，然后转动螺旋测微器，当螺旋测微器上的连接杆伸入到第一放置槽或者第二放置槽内与掩模版侧边抵接时，通过第一放置槽或者第二放置槽减去螺旋测微器上的读数就可以快速得到掩模版的长度，整体装置测量方便，明显提高了测量效率；同时由于第二放置槽的宽度可调，从而进一步方便测量不同厚度的掩模版。
模版外形尺寸测量装置

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