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[发明专利]利用结构化审计日志来提高数据库审计的准确性和效率-CN202310286431.8在审
发明人：钟嘉田;姜朋慧;刘东慧;沈星星;于佳;殷勇;路京;汤晓燕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F16/21 文献下载
摘要：本公开涉及利用结构化审计日志来提高数据库审计的准确性和效率。一种用于提高审计数据库的准确性和效率的计算机实现的方法、系统和计算机程序产品。数据库的表、列表或索引被分析以识别元数据，所述元数据包括时间序列数据、用户数据、互联网协议地址和操作数据。所识别的元数据与从中提取元数据的表、列表或索引的对应记录或行相关联。然后，基于对应的数据操作，确定是否记录与分析的表、列表或索引的记录或行相关联的原始数据映像。所识别的元数据以及所记录的数据映像(如果有的话)被存储在结构化审计日志中。然后，基于将与查询相关联的记录或行标识符(RID)和与结构化审计日志相关联的RID进行匹配，从结构化审计日志获得审计信息。
利用结构审计日志提高数据库准确性效率

[实用新型]琼脂糖凝胶电泳装置-CN202321100892.3有效
发明人：杜微;郭松;汤晓燕 -专利权人：天津诺禾致源生物信息科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N27/447 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种琼脂糖凝胶电泳装置。琼脂糖凝胶电泳装置包括：底座，底座具有容置槽；电泳盒，电泳盒用于容置琼脂糖凝胶，电泳盒为多个，多个电泳盒间隔设置在容置槽内；电极组件，电极组件为多个，多个电极组件与多个电泳盒一一对应设置，电极组件包括正极件和负极件，正极件和负极件分别位于电泳盒的两侧。本实用新型解决了现有技术中样本进行琼脂糖凝胶电泳时容易产生交叉感染的问题。
琼脂凝胶电泳装置

[发明专利]基于反角沟槽刻蚀-侧壁离子注入的超级结SBD及制备方法-CN202310666699.4在审
发明人：袁昊;雷邑平;宋庆文;康皓博;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于反角沟槽刻蚀‑侧壁离子注入的超级结SBD及制备方法，采用多层外延并沟槽刻蚀侧壁离子注入的超级结器件结构，适用于倾斜超级结器件的侧壁离子注入优化工艺方法，利用多次较好的浅沟槽刻蚀技术，实现深沟槽刻蚀的关键工艺，各层沟槽独立进行侧壁离子注入，各外延层掺杂P柱与N柱掺杂浓度相匹配，实现电荷平衡，以提升器件整体的电荷平衡情况。
基于沟槽刻蚀侧壁离子注入超级 sbd 制备方法

[发明专利]一种基于多层沟槽刻蚀的超级结肖特基二极管及其制备方法-CN202310667545.7在审
发明人：袁昊;雷邑平;汤晓燕;康皓博;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层沟槽刻蚀的超级结肖特基二极管，包括：由下至上依次设置的欧姆接触阴极、N+衬底层、N型碳化硅外延基层、至少一层N型碳化硅外延层和肖特基接触阳极；N型碳化硅外延基层开设有底层沟槽；每层N型碳化硅外延层开设有沟槽，沟槽由槽口至槽底方向贯穿N型碳化硅外延层，沟槽的内壁与底层沟槽的内壁位于同一平面，且沟槽和底层沟槽的内侧壁上覆盖有第一P型离子注入掺杂区；沟槽和底层沟槽内均填充有介质层，沟槽的深度为5～10μm。本发明还提供一种基于多层沟槽刻蚀的超级结肖特基二极管的制备方法。本发明利用浅沟槽实现深沟槽结构，提高了器件的耐高压性能，实现电荷平衡，以提升器件整体的电荷平衡情况。
一种基于多层沟槽刻蚀超级结肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种用N-区包围P+渐变环的碳化硅功率器件及其制备方法-CN202310722849.9有效
发明人：袁昊;许雷雷;赵昊月;宋庆文;汤晓燕;张玉明;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种用N‑区包围P+渐变环的碳化硅功率器件，包括：由下至上依次设置的欧姆接触阴极、N+衬底层、N型外延区、N‑区以及位于N‑区上的终端区氧化物层和肖特基接触阳极；N‑区内具有多个有源区P+掺杂区域和多个终端区P+掺杂区域；有源区P+掺杂区域和终端区P+掺杂区域的掺杂离子浓度均呈高斯分布；N‑区的掺杂浓度小于N型外延区的掺杂浓度。本发明还提供一种用N‑区包围P+渐变环的碳化硅功率器件的制备方法。本发明采用浓度梯度较小的渐变的有源区P+掺杂区域和终端区P+掺杂区域，并形成一个包围有源区和终端区且比外延层掺杂浓度更低的N‑区，可以有效降低器件表面注入结处的峰值电场，从而提高反向大电流的雪崩应力。
一种包围渐变碳化硅功率器件及其制备方法

[发明专利]一种横向结构的超级结二极管及制备方法-CN202310784232.X有效
发明人：宋庆文;梁姝璇;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向结构的超级结二极管及制备方法，二极管包括：N+型衬底、N型外延层、高斯掺杂N区、至少两个有源区N柱、至少一个有源区P柱、N+区、阳极和阴极；N型外延层位于N+型衬底的表面；高斯掺杂N区位于N型外延层的表层中；至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱交替层叠在N型外延层的表面，且有源区N柱覆盖高斯掺杂N区的一部分表面，至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱形成超级结结构；N+区位于N型外延层的表面，且侧面与超级结结构的侧面相接触，N+区与高斯掺杂N区相距预设距离；阳极覆盖高斯掺杂N区的另一部分表面和超级结结构侧面；阴极位于N+区的表面。本发明减少了工艺难度，提升了电学特性。
一种横向结构超级二极管制备方法

[发明专利]一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法-CN202310708240.6有效
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;王晨谕;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法，碳化硅浮动结二极管为圆柱型结构，包括：N型衬底、有源区N漂移区、终端区、若干P型浮动结、P型沟道区和若干P型重掺杂区，有源区N漂移区位于N型衬底上；终端区形成在有源区N漂移区中且环绕若干P型浮动结和若干P型重掺杂区；若干P型浮动结分布在有源区N漂移区的内部且具有相同的深度；P型沟道区连接若干P型浮动结，且从有源区N漂移区的内部延伸至有源区N漂移区的表面；若干P型重掺杂区分布在有源区N漂移区的表层，若干P型重掺杂区环绕P型沟道区的延伸部分。该二极管提高了浮动结碳化硅二极管的工作频率范围和终端区对边缘电场的屏蔽作用。
一种柱状沟道碳化硅浮动二极管制备方法

[发明专利]一种异面电极的超级结二极管及制备方法-CN202310679948.3在审
发明人：宋庆文;赵昊月;许雷雷;袁昊;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种异面电极的超级结二极管及制备方法，该二极管包括：N+型衬底、N型外延层、至少两个有源区N柱、至少一个有源区P柱、N+区、阳极和阴极，其中，N型外延层位于N+型衬底的第一表面；至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱交替层叠在N型外延层的表面，且有源区N柱位于N型外延层的表面，至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱形成超级结结构；N+区位于N+型衬底的第一表面，N+区的侧面与N型外延层的侧面、超级结结构的侧面相接触；阳极覆盖N型外延层的部分表面和超级结结构的侧面；阴极位于N+型衬底的第二表面。该二极管减少了工艺难度，提升了电学特性。
一种电极超级二极管制备方法

[发明专利]一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件-CN202310601313.1在审
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;梁姝璇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，至少包括：N型碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层的表面通过P型掺杂形成有至少一个P型掺杂区；P型掺杂区和N型碳化硅衬底之间的N‑外延层形成有源漂移区；有源漂移区中设有多个浮动结，每个浮动结均通过多个柱状P沟道与一个P型掺杂区实现电连接，每个P型掺杂区均通过多个柱状P沟道与至少一个浮动结实现电连接；浮动结和柱状P沟道均是在外延生长N‑外延层的过程中对生长中的N‑外延层进行多次离子注入形成的。本发明提高了碳化硅浮动结功率器件的开关特性，解决了碳化硅浮动结功率器件难以应用于高频场景的问题，且器件的反向耐压性能不因P沟道的引入而降低。
一种包含柱状沟道碳化硅浮动功率器件

[发明专利]一种雪崩型SiC-TVS器件及制备方法-CN202310442684.X在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;陶利;黄雨;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种雪崩型SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：SiC衬底层、设置于SiC衬底层的第二上表面上的SiC外延层、设置于第二掺杂区的上表面的第一电极、设置于SiC衬底层的下表面的第二电极，SiC衬底层具有第一上表面、位于第一上表面上方的第二上表面、以及位于第一上表面和第二上表面之间的Mesa侧壁，SiC外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上。本发明通过控制Mesa刻蚀角度即可调整正斜角的角度，使之达到可最大化降低表面电场的优值，提高了本发明SiC‑TVS器件的击穿和钳位可靠性。
一种雪崩 sic tvs 器件制备方法

[发明专利]一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法-CN202111315920.9有效
发明人：元磊;孙晨玥;郭辉;汤晓燕;张艺蒙;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
一种表面优化异质结紫外光电晶体管及其制备方法

[发明专利]一种能够实现快速响应的穿通型SiC-TVS器件及其制备方法-CN202310574169.7在审
发明人：韩超;汤晓燕;苑广安;黄雨;陶利;白博仪;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现快速响应的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区以及嵌入在基区上表面且彼此间隔的若干个发射区，发射区与SiC衬底具有相同的掺杂类型，发射区与基区具有相反的掺杂类型；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基区上表面的若干个基极短接组成，其中，若干个发射极与若干个基极交替接触设置；第二电极位于SiC衬底的下表面。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
一种能够实现快速响应穿通型 sic tvs 器件及其制备方法

[实用新型]一种柔性攀爬机器人-CN202320609669.5有效
发明人：陈捡;林玮琛;邱艺超;梁林睿;庞经瑞;程汉尧;高凡涛;郑嘉骏;赵海鸣;汤晓燕;何玉辉;蔡小华 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B62D57/024 文献下载
摘要：本实用新型属于攀爬机器人技术领域，公开了一种柔性攀爬机器人，包括身体构件，所述身体构件的上端连接有头部构件和一对前肢构件，头部构件内设置有CCD相机和红外线传感器，身体构件的下端连接有一个后肢构件，前肢构件包括依次转动连接的肩部构件、大臂构件、小臂构件、腕部构件和爪部构件；本实用新型的通过设置多自由度转动的前肢构件，便于机器人攀爬树木、电线杆或管道等圆柱体，且便于机器人攀爬不同倾斜度的圆柱体；通过在机器人前肢构件的爪部构件的刚性弧形爪和三角形柔性爪块的配合，便于夹持不同尺寸的圆柱体，且对于凹凸不平的圆柱体如树干，三角形柔性爪块能根据其表面进行适当的变形，从而增大接触面积，以提高抓取时的稳定性。
一种柔性攀爬机器人

[发明专利]一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法-CN202310477181.6在审
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;许雷雷 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法，包括：根据电荷平衡理论获得待设计的碳化硅浮动结JBS的六种电场分布类型，六种电场分布类型分别为非耗尽非穿通型电场分布、非耗尽穿通型电场分布、表面击穿非穿通型电场分布、表面击穿穿通型电场分布、内部击穿非穿通型电场分布和内部击穿穿通型电场分布；利用六种电场分布类型建立不同电场分布类型对应的反向阻断分析模型；利用反向阻断分析模型获得符合设计要求的碳化硅浮动结JBS的器件最优参数。本发明依据电荷平衡理论建立碳化硅浮动结二极管的反向阻断分析模型，通过该模型可以快速预测器件的阻断电压性能，减小了最优参数的取值范围，可以更加快速地确定器件设计参数。
一种基于电荷平衡碳化硅浮动 jbs 设计方法

[发明专利]一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器-CN202310391702.6在审
发明人：张艺蒙;储子元;张玉明;孙乐嘉;汤晓燕;宋庆文 -专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速轨对轨自偏置电压跟随器，包括：PMOS输入电路、NMOS输入电路、电压钳位及互偏置电路。该高速轨对轨自偏置电压跟随器可以高速精确追踪输入电压的变化产生轨对轨的输出信号，且采用自偏置设计为输入电路提供偏置电压，无需额外输入偏置电压，减小了电压设计的复杂度。本发明可广泛应用在正负压或电压轨道快速变化的单电感双极输出或隔离式栅驱动电路中，为电路提供稳定精确的电压跟随。
一种高速偏置电压跟随

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