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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电路、存内计算电路及操作方法-CN202310613417.4在审
发明人：李嘉富;吕承翰;池育德;张琮永;陈炎辉;李承恩;赵威丞;森阳纪;藤原英弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种电路，包括：乘法器电路，接收多个输入和权重数据元素中每个数据元素的有符号尾数，并且通过对部分或全部输入数据元素的有符号尾数和部分或全部权重数据元素的有符号尾数进行乘法和重新格式化操作，生成二补码乘积；求和电路，接收多个输入和权重数据元素的每个数据元素的指数，并且通过将每个输入数据元素的指数与每个权重数据元素的指数相加产生和；移位电路，将每个乘积移位，移位量等于对应和与最大和之间的差值；以及加法器树，由移位后的乘积产生尾数和。本发明的实施例还提供了一种存内计算电路和操作电路的方法。
电路计算操作方法

[发明专利]存储器器件和修整存储器器件的方法-CN202110255759.4有效
发明人：史毅骏;李嘉富;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：存储器器件，诸如MRAM存储器，包括具有多个位单元的存储器阵列。存储器阵列配置为存储修整信息并且存储用户数据。感测放大器配置为从存储器阵列读取修整信息，并且修整寄存器配置为从感测放大器接收修整信息。感测放大器配置为从修整寄存器接收修整信息，以便在用于从存储器阵列读取用户数据的修整模式下操作。本申请的实施例还涉及修整存储器器件的方法。
存储器器件修整方法

[实用新型]记忆体装置及其写入电路-CN202320465585.9有效
发明人： 池育德;邹宗成;吴俊谕;洪哲民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种记忆体装置包括：包含主记忆体单元的主阵列；包含冗余记忆体单元的冗余阵列；及写入电路。写入电路包含一或多个写入驱动器，其包含电流镜电路及比较器。电流镜电路耦合在主阵列、冗余阵列与电源之间。比较器的输出与电流镜电路的第一端耦合。比较器的输入与电流镜电路的第二端耦合。
记忆体装置及其写入电路

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN202310477692.8在审
发明人：李伯浩;史毅骏;李嘉富;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和操作该半导体器件的方法。在一个方面中，半导体器件包括多个存储器单元、经由第一公共源极线连接到多个存储器单元的第一子集的第一参考单元、以及经由第二公共源极线连接到多个存储器单元的第二子集的第二参考单元。该半导体器件还包括感测放大器，该感测放大器被配置为当从第一子集的第一存储器单元读取时，接收来自第二参考单元的输出和来自第一存储器单元的输出。
半导体器件及其操作方法

[发明专利]存储器器件、计算器件和用于存储器内计算的方法-CN202210931933.7在审
发明人：李嘉富;李伯浩;史毅骏;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种存储器器件、计算器件和用于存储器内计算的方法。存储器器件包括存储器中计算宏和时钟生成电路。存储器中计算宏配置为基于第一时钟信号执行存储器内计算。时钟生成电路布置在存储器中计算宏内，配置为生成第一时钟信号。根据存储器中计算宏的条件修改第一时钟信号的频率以致使第一时钟信号符合存储器内计算的操作速度。
存储器器件计算用于方法

[发明专利]存储器器件和降低存储器器件的操作电压的方法-CN202211027713.8在审
发明人：林钲峻;邹宗成;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种存储器器件包括RRAM存储器单元，其被配置为形成0晶体管1电阻器(0T1R)阵列结构，其中RRAM存储器单元的存取晶体管被旁路或去除。替代地，RRAM存储器单元的存取晶体管可以以并联结构布置以减少相关联的IR压降，从而实现降低的写入电压操作。根据本申请的其他实施例，还提供了一种降低存储器器件的操作电压的方法。
存储器器件降低操作电压方法

[发明专利]电压调节电路及其控制方法-CN202010603430.8有效
发明人：张延安;李嘉富;史毅骏;池育德;罗介甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：在一实施例中，一种电压调节电路包含调节电路，所述调节电路具有提供输出电压的电压调节器以及耦合到电压调节器的控制电路。控制电路响应于控制电路检测到输出电压的第一电压位准低于预定义电压位准而将输出电压上拉到参考电压。控制电路响应于控制电路检测到输出电压的第一电压位准高于预定义电压位准而将输出电压与参考电压解耦。
电压调节电路及其控制方法

[发明专利]计算器件、存储器控制器和执行存储器中计算的方法-CN202210899481.9在审
发明人： 池育德;李嘉富 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了计算器件、存储器控制器和执行存储器中计算的方法。执行存储器中计算的方法包括：将数据储存在存储器阵列的存储器单元中，该数据包括用于计算的权重；确定是否接收到更新命令以改变至少一个权重；响应于接收到更新命令，对存储器阵列执行写入操作以更新至少一个权重；并且禁用对存储器阵列的写入操作，直到接收到下一个更新命令以改变至少一个权重。
计算器件存储器控制器执行方法

[发明专利]乘法-累加设备-CN202210161380.1在审
发明人：李嘉富;李伯浩;史毅骏;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F7/544 文献下载
摘要：本公开涉及乘法‑累加设备。用于存储器中计算(CIM)的乘法‑累加(MAC)设备包括输入驱动器，其被配置为提供包括第一输入信号和第二输入信号的多个输入信号。查找表(LUT)存储或访问包括第一CIM权重信号和第二CIM权重信号的多个CIM权重信号。LUT被配置为接收第一输入信号和第二输入信号，并且基于第一输入信号和第二输入信号以及第一CIM权重信号和第二CIM权重信号提供和输出。
乘法累加设备

[发明专利]感测放大器系统、存储器器件及其控制方法-CN202210646722.9在审
发明人：陈中杰;郭政雄;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及感测放大器系统、存储器器件及其控制方法。感测放大器控制系统包括被配置为接收预充电信号的预充电控制开关。参考单元被配置为接收参考字线信号。在预充电阶段中，响应于预充电信号控制控制开关以将参考输入节点预充电到预定的预充电电平。在预充电阶段之后的感测阶段中，触发器电路被配置为响应于参考输入节点达到触发电平而在输出端子处输出触发信号。
放大器系统存储器器件及其控制方法

[发明专利]感测放大器和电路以及从存储器单元读取数据的方法-CN202210114062.X在审
发明人：李嘉富;林弘璋;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种感测放大器和感测放大器电路。第一反相器的第一端子连接到电源节点，并且第一反相器的第二端子连接到单元电流源。第二反相器的第一端子连接到电源节点，并且第二反相器的第二端子连接到参考电流源。第一反相器在第一节点和第二节点处与第二反相器交叉耦合。预充电电路连接到第一节点和第二节点。第一上拉晶体管和第二上拉晶体管连接在供电电压节点和电源节点之间。信号电平检测器电路连接到第二上拉晶体管。当第一节点和第二节点中的一个上的剩余电压低于参考电压时，信号电平检测器电路导通第二上拉晶体管。本发明的实施例还提供了从存储器单元读取数据的方法。
放大器电路以及存储器单元读取数据方法

[发明专利]存储器电路和执行编程操作的方法-CN202210091577.2在审
发明人：李谷桓;洪哲民;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种存储器电路包括第一组非易失性存储器(NVM)器件、第一多个解码器、对应于第一多个解码器的第一多个高压(HV)驱动器以及第一多个HV电源开关。第一HV电源开关耦合到第一多个HV驱动器中的每个HV驱动器，并且每个解码器被配置为生成与第一组NVM器件的列对应的使能信号。每个HV驱动器被配置为响应于第一HV电源开关的电源信号和对应解码器的使能信号向第一组NVM器件的对应列输出HV激活信号。本发明的实施例还提供了一种执行编程操作的方法。
存储器电路执行编程操作方法

[发明专利]存储器件及其操作方法-CN201811212360.2有效
发明人：刘建瑛;池育德;杨学之;陈德瀚;陈冠均 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种用于操作存储器件的方法包括：取回第一字，其中，第一字包括与第一字相对应的多个数据位和多个奇偶校验位，其中，多个数据位形成N‑1组，并且多个奇偶校验位形成不同于N‑1组的第一组，并且N为大于2的正整数；接收更新N‑1组中的第一组的相应数据位的请求；以及提供第二字，第二字包括与第二字相对应的形成N‑1组中的第二组的更新的数据位和多个更新的奇偶校验位，其中，多个更新的奇偶校验位形成具有与N‑1组中的第一组相同的组索引的第二组。本发明的实施例还提供了存储器件。
存储器件及其操作方法

[发明专利]计算器件以及计算方法-CN202210073731.3在审
发明人： 池育德;李嘉富;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及计算器件以及计算方法。在一些示例中，存储器中的计算器件包括在行和列中布置的二维存储器单元阵列，每个存储器单元由基于电流的九晶体管SRAM制成。每个存储器单元包括六晶体管SRAM单元和由开关晶体管耦合的电流源，其由输入线上的输入信号控制，与存储器单元所在的存储器单元的列相关联。电流源包括由六晶体管SRAM单元的状态控制的开关晶体管，以及电流调节晶体管，用于产生由栅极处施加的控制信号确定的电流水平。可以设置控制信号，使得存储器单元的每个连续列中的每个输出线中的总电流以因子2增加。
计算器件以及计算方法

[发明专利]锁存器及其电路和操作方法-CN202210107196.9在审
发明人：李嘉富;林弘璋;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种锁存器及其电路和操作方法。锁存器电路包括交叉耦合的反相器，包括第一反相器和第二反相器。第一反相器和第二反相器在第一数据节点和第二数据节点处交叉耦合。输入单元耦合在交叉耦合的反相器和电源节点之间。输入单元响应于在输入单元的第一输入端子处接收的第一输入信号和在输入单元的第二输入端子处接收的第二输入信号来控制交叉耦合的反相器。第一晶体管连接在电源节点和供电节点之间。第一晶体管响应于使能信号改变为第一值而将电源节点连接到供电节点。第二晶体管连接在电源节点和地之间。第二晶体管响应于使能信号改变为第二值而将电源节点连接到地。
锁存器及其电路操作方法

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