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[发明专利]图像传感器对角隔离结构-CN202310272425.7在审
发明人： 毛杜立;王勤;比尔·潘;孙世宇;臧辉 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器对角隔离结构。提供图像传感器、隔离结构及制造技术。一种图像传感器包含安置在衬底上的电磁辐射源、安置在所述衬底上且与电磁辐射源热耦合的像素阵列，以及在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的隔离结构。所述隔离结构能够界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面。所述隔离结构能够经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射。
图像传感器对角隔离结构

[发明专利]多厚度栅极电介质-CN201910849715.7有效
发明人：陈刚;郑源伟;王勤;杨存宇;陈冠男;毛杜立;戴森·戴;林赛·格朗 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及多厚度栅极电介质。图像传感器包含：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；及浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷。一或多个转移晶体管经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散，并且源极跟随器晶体管经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷。所述源极跟随器包含栅电极(耦合到所述浮动扩散)、源电极及漏电极，以及在所述源电极与漏电极之间安置在所述半导体材料中的作用区。电介质材料安置在所述栅电极与所述作用区之间，并具有第一厚度及第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，且所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。
厚度栅极电介质

[发明专利]抑制串扰的像素阵列衬底及制造方法-CN202211724794.7在审
发明人：文成烈;比尔·潘;毛杜立 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种减少串扰的像素阵列衬底及其制造方法。减少串扰的像素阵列衬底包括半导体衬底、缓冲层、金属环和衰减层。半导体衬底包括第一光电二极管区域。半导体衬底的背表面在平行于第一光电二极管区域上方的背表面的第一背表面区域的截面平面中形成围绕第一光电二极管区域的沟槽。缓冲层在该背表面上，并且具有位于第一光电二极管区域上方的特征，该特征是凹口和孔口之一。金属环在该缓冲层上并且覆盖沟槽。衰减层在第一光电二极管区域上方。
抑制像素阵列衬底制造方法

[发明专利]图像传感器中的垫和接地的自对准-CN201811396453.5有效
发明人：王勤;陈刚;毛杜立 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及图像传感器中的垫与接地的自对准。一种图像传感器包含：多个光电二极管，其安置于半导体材料中，以将图像光转换成图像电荷；以及金属网格，其包含与所述金属网格共面的金属护罩，安置成接近于所述半导体材料的后侧。所述金属网格与所述多个光电二极管光学对准，以将所述图像光引导到所述多个光电二极管中，且接触垫安置于所述半导体材料中的沟槽中。所述接触垫耦合到所述金属护罩，来使所述金属护罩接地。
图像传感器中的接地对准

[发明专利]用于具有背景去除的有源深度成像仪的系统和方法-CN201710940686.6有效
发明人：杨征;英一船津;真锅宗平;马渕圭司;杨大江;毛杜立;张博微 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06T7/514 文献下载
摘要：有源深度成像系统和操作其的方法使用第一和第二成像仪的每个捕获发光体开和发光体关图像数据。发光体开图像数据包括表示成像场景和从发光体发射的并由成像场景内物体反射的光的信息。发光体关图像数据包括表示没有来自发光体发射的光的成像场景的信息。对于由第一和第二成像仪捕获的每个图像集，从发光体开图像数据减去发光体关图像数据以确定场景内的照明光。然后通过第一和第二成像仪的相减的图像数据确定光入射其上的物体的深度。
用于具有背景去除有源深度成像系统方法

[发明专利]高动态范围、背照式、低串扰图像传感器-CN202211562189.4在审
发明人：文成烈;毛杜立;比尔·潘 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种背照式图像传感器及其制造方法。背照式图像传感器包括由隔离结构分隔的阵列式光电二极管，以及在第一层金属互连与衬底之间的层间介质。图像传感器在层间介质中在隔离结构与第一层互连之间具有阻挡金属壁，阻挡金属壁与隔离结构对准并且设置在隔离结构与第一层互连之间。通过以下步骤来形成背照式图像传感器：提供部分制成的半导体衬底，该部分制成的半导体衬底具有形成的光电二极管和源‑漏区域；在半导体衬底的前侧表面上形成栅电极，在栅电极之上沉积蚀刻停止层；在蚀刻停止层上沉积层间介质；形成穿过层间介质延伸到蚀刻停止层的沟槽，该沟槽位于光电二极管之间；以及用金属填充沟槽以形成阻挡金属壁。
动态范围背照式低串扰图像传感器

[发明专利]高动态范围彩色图像传感器及相关的方法-CN201711184991.3有效
发明人：陆震伟;杨大江;奥瑞·奥坤·塞尔克;毛杜立 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：高动态范围彩色图像传感器包括(a)具有感光像素阵列的硅基板，感光像素阵列具有多个第一像素和多个第二像素，(b)滤色镜层，滤色镜层被布置在硅基板上并至少包括(i)位于多个第一像素的第一子集和多个第二像素的第一子集的上方并用于选择性透射第一颜色的光的多个第一滤色镜，和(ii)位于多个第一像素的第二子集和多个第二像素的第二子集的上方并用于选择性透射第二颜色的光的多个第二滤色镜，以及(c)动态范围扩展层，动态范围扩展层被布置在滤色镜层上并包括被布置在多个第二像素上方以衰减朝多个第二像素传播的光的灰色滤光镜。
动态范围彩色图像传感器相关方法

[发明专利]背侧金属栅格及金属垫简化-CN202310339677.7在审
发明人：王沁;陈刚;毛杜立 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种背侧金属栅格及金属垫简化。图像传感器包含半导体材料，所述半导体材料包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管。所述图像传感器还包含：第一绝缘材料，其安置成靠近所述半导体材料的前侧；以及互连件，其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中。金属垫从所述半导体材料的背侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件。金属栅格安置成靠近所述半导体材料的所述背侧，且所述半导体材料安置在所述金属栅格与靠近所述前侧安置的所述第一绝缘材料之间。
金属栅格简化

[发明专利]与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极-CN201910402023.8有效
发明人：郑源伟;陈刚;毛杜立;戴森·戴;林赛·格朗 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极。图像传感器像素包含：光电二极管，其安置在半导体材料中以响应于入射在所述半导体材料的背侧上的光而产生图像电荷；以及钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管。所述像素还包含垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并且耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间。浮动扩散部靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中，及垂直转移晶体管部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。
垂直晶体管组合溢流

[发明专利]具有低色串扰的高动态范围分割像素CMOS图像传感器-CN202110528424.5有效
发明人： 毛杜立;比尔·潘;马渕圭司;文成烈;刘远良;V·瓦乃兹艾 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04N25/40 文献下载
摘要：本申请案涉及具有低色串扰的高动态范围分割像素CMOS图像传感器。本申请案涉及一种像素单元，所述像素单元包含多个子像素，以响应于入射光生成图像电荷。所述子像素包含被外部子像素横向环绕的内部子像素。第一多个传输门经安置为靠近所述内部子像素及外部子像素的第一分组。第一浮动扩散部经耦合以通过第一多个传输门从外部子像素的所述第一分组接收所述图像电荷。第二多个传输门经安置为靠近所述内部子像素及外部子像素的所述第二分组。第二浮动扩散部安置在所述半导体材料中，并经耦合以通过所述第二多个传输门从外部子像素的所述第二分组中的每一者接收所述图像电荷。所述内部子像素中的所述图像电荷通过相应的传输门被所述第一、第二浮动扩散部或其两者接收。
具有低色串扰动态范围分割像素 cmos 图像传感器

[发明专利]源极跟随器接触件-CN201811067853.1有效
发明人：王昕;杨大江;马四光;马渕圭司;比尔·潘;毛杜立;戴森·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及源极跟随器接触件。一种图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，以吸收入射在所述图像传感器上的光子并产生图像电荷。浮动扩散区安置在所述第一半导体材料中并且经定位以从所述光电二极管接收所述图像电荷，并且转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，以响应于转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区中。具有栅极端子的源极跟随器晶体管耦合到所述浮动扩散区，以输出所述浮动扩散区中的所述图像电荷的放大信号。所述栅极端子包含与所述浮动扩散区接触的第二半导体材料，并且栅极氧化物部分地安置在所述第二半导体材料与所述第一半导体材料之间。所述第二半导体材料延伸超出所述浮动扩散区的横向边界。
跟随接触

[发明专利]具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器-CN202210526612.9在审
发明人： 毛杜立;比尔·潘;文成烈;刘远良;A·博纳克达;刘成明;Z·林 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个大子像素LPD及至少一个小子像素SPD。多个彩色滤光片经安置在个别子像素上方。每一个别SPD横向相邻于至少一个其它SPD。
具有 led 闪烁减少颜色 cmos 图像传感器

[发明专利]具有多灵敏度的互补金属氧化物半导体图像传感器-CN202210454655.0在审
发明人：刘成明;Z·林;毛杜立;姜凌涛 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明揭示用于高动态范围成像和发光二极管闪变抑制的具有多灵敏度的互补金属氧化物半导体图像传感器。在一个实施例中，图像传感器包含布置成放置在半导体衬底中的像素阵列的行和列的多个像素。每个像素包含多个单元。在对应多个单元上放置多个滤色器。对应于个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器对于所述多个滤色器的每个颜色具有一个以上的滤色强度。
具有灵敏度互补金属氧化物半导体图像传感器

[发明专利]具有部分环绕电路系统的光电二极管区域的像素布局-CN202210135944.4在审
发明人：臧辉;刘远良;马渕圭司;陈刚;比尔·潘;毛杜立;武田健 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及具有部分环绕电路系统的光电二极管区域的像素布局。图像传感器包括第一光电二极管区域及电路系统。所述第一光电二极管区域在半导体衬底内安置成靠近所述半导体衬底的第一侧以形成第一像素。所述第一光电二极管区域包含耦合到第二区段的第一区段。所述电路系统至少包含与第一晶体管相关联的第一电极。所述第一电极至少部分地安置在所述第一光电二极管区域的所述第一区段与所述第二区段之间，使得当从所述半导体衬底的所述第一侧观察时，所述电路系统至少部分地被所述第一光电二极管区域环绕。
具有部分环绕电路系统光电二极管区域像素布局

[发明专利]单曝光高动态范围传感器-CN201810636929.1有效
发明人：杨大江;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;毛杜立;成先富;王昕;比尔·潘;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种单曝光高动态范围传感器。所述单曝光高动态范围HDR图像传感器包含安置于半导体材料中的第一光电二极管及第二光电二极管，所述第二光电二极管具有小于所述第一光电二极管的满阱容量。所述图像传感器还包含：第一浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中；及第一转移栅极，其耦合到所述第一光电二极管以将累积在所述第一光电二极管中的第一图像电荷转移到所述第一浮动扩散部中。第二浮动扩散部安置于所述半导体材料中，且第二转移栅极耦合到所述第二光电二极管以将累积在所述第二光电二极管中的第二图像电荷转移到所述第二浮动扩散部中。衰减层安置于所述第二光电二极管与朝向所述单曝光HDR图像传感器引导的图像光之间以阻挡所述图像光的一部分到达所述第二光电二极管。
曝光动态范围传感器

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