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[发明专利]形成封装件的方法以及封装件结构-CN202310564005.6在审
发明人：蔡昇翰;邱元升;许周叡;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在半导体衬底上方形成多个介电层，在多个介电层中形成多个金属线和通孔，形成延伸到多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分，在多个金属线和通孔上方沉积第一介电层，并且蚀刻第一介电层以形成穿透第一介电层的开口。在第一介电层被蚀刻之后，内密封环的下部部分的顶表面被暴露，并且外密封环的下部部分的整个顶表面与第一介电层的底表面接触。然后形成内密封环的上部部分以延伸到开口中并且连接内密封环的下部部分。沉积第二介电层以覆盖内密封环的上部部分。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。
形成封装方法以及结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310415915.8在审
发明人：叶德强;史朝文;叶松峯;宋大豪;萧闵谦;郭峻江;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202310483744.2在审
发明人：林静怡;陈洁;蔡昇翰;邱元升;许周叡;叶育魁;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上方形成第一焊盘；形成与第一焊盘相邻的第二焊盘；形成至少部分地位于第一焊盘和第二焊盘之间的第一组伪焊盘；以及在第一焊盘、第二焊盘和第一组伪焊盘上方沉积接合介电材料。本发明的实施例还提供了半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]导电图案及集成扇出型封装件-CN201710075202.6有效
发明人：邱铭彦;张兢夫;邱建嘉;黄信杰;林宗澍;余佩弟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。
导电图案集成扇出型封装

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201910671415.4有效
发明人：邱元升;林宗澍;郑志楷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：在实施例中，一种装置包括：集成电路管芯；重布线结构，位于集成电路管芯的前侧表面之上；插座，位于重布线结构之上；机械支架，位于插座之上，所述机械支架具有暴露出插座的开口，插座的边缘区与开口处的机械支架的边缘区交叠；第一支座螺钉，设置在机械支架的边缘区中，所述第一支座螺钉实体地接触插座，所述第一支座螺钉在插座与机械支架之间延伸第一距离；以及螺栓，延伸穿过机械支架及重布线结构。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]封装结构-CN202010904589.3在审
发明人： 林宗澍;陈琮瑜;洪文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开提供一种封装结构，其包括：配线衬底；中介层，设置在配线衬底上且电连接到配线衬底；半导体管芯，设置在中介层上且电连接到中介层；第一绝缘包封体，设置在中介层上；第二绝缘包封体，设置在配线衬底上；以及盖。半导体管芯在侧向被第一绝缘包封体包封。半导体管芯及第一绝缘包封体在侧向被第二绝缘包封体包封。第一绝缘包封体的顶表面与第二绝缘包封体的顶表面及半导体管芯的表面实质上齐平。盖设置在半导体管芯、第一绝缘包封体及第二绝缘包封体上。
封装结构

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202011007355.5在审
发明人：吴伟诚;邱建嘉;谢正贤;许立翰;李孟灿;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装包括半导体管芯、重布线结构及连接端子。重布线结构设置在半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级。第一金属化层级包括电连接到半导体管芯的路由导电迹线以及与半导体管芯电绝缘的屏蔽板片。连接端子包括虚设连接端子及有效连接端子。虚设连接端子设置在重布线结构上且电连接到屏蔽板片。有效连接端子设置在重布线结构上且电连接到路由导电迹线。虚设连接端子的垂直投影落在屏蔽板片上。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]封装件结构及其形成方法-CN201710344109.0有效
发明人：李孟灿;吴伟诚;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：凸块下冶金(UBM)和再分布层(RDL)布线结构包括形成在管芯上方的RDL。RDL包括第一导电部分和第二导电部分。在RDL中第一导电部分和第二导电部分处于相同水平。RDL的第一导电部分通过RDL的绝缘材料与RDL的第二导电部分分离。UBM层形成在RDL上方。UBM层包括导电UBM迹线和导电UBM焊盘。UBM迹线将RDL的第一导电部分电连接至RDL的第二导电部分。UBM焊盘电连接至RDL的第二导电部分。导电连接器形成在UBM焊盘上方并且电连接至UBM焊盘。本发明实施例提供一种形成封装件的方法。
封装结构及其形成方法

[发明专利]封装件结构及其形成方法-CN202010686308.1在审
发明人：余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;叶名世;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：封装件结构包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线，将桥式管芯密封在其中的密封剂，以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第一封装组件和第二封装组件接合至再分布线。第一封装组件和第二封装组件通过再分布线和桥式管芯电互连。本发明的实施例还涉及形成封装件结构的方法。
封装结构及其形成方法

[发明专利]封装结构-CN202010453969.X在审
发明人：郑志楷;林宗澍;陈琮瑜;胡宪斌;魏文信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种封装结构。封装结构包括一第一通孔结构以及一半导体裸片，第一通孔结构形成在一基板中，半导体裸片形成在第一通孔结构下方。封装结构还包括一导电结构，导电结构形成在基板上方的一护层中。导电结构包括一第一导孔部分以及一第二导孔部分，第一导孔部分直接地形成在第一通孔结构上方，且没有导电材料直接地形成在第二导孔部分下方并直接接触第二导孔部分。
封装结构

[发明专利]散热器件和方法-CN201810461232.5有效
发明人： 林宗澍;洪文兴;李虹錤;陈琮瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：位于中介层上方并且电连接至中介层的管芯堆叠件，管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，最顶集成电路管芯包括：具有前侧和与前侧相对的背侧的衬底，衬底的前侧包括有源表面；从衬底的背侧至少部分地延伸至衬底内的伪衬底通孔(TSV)，伪TSV与有源表面电隔离；位于最顶集成电路管芯上方的热界面材料；以及位于热界面材料中的伪连接件，热界面材料围绕伪连接件，伪连接件与最顶集成电路管芯的有源表面电隔离。本发明的实施例还涉及散热器件和方法。
散热器件方法

[发明专利]形成封装结构的方法-CN201910537740.1在审
发明人：洪文兴;胡宪斌;林宗澍;陈琮瑜;魏文信;劳祯祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种封装式半导体器件及一种用于形成封装式半导体器件的方法及装置。在一实施例中，一种方法包括：将器件管芯接合到衬底的第一表面；在所述衬底的所述第一表面上沉积粘合剂；在所述器件管芯的与所述衬底相对的表面上沉积热界面材料；在所述器件管芯及所述衬底之上放置盖，所述盖接触所述粘合剂及所述热界面材料；对所述盖及所述衬底施加钳紧力；以及在施加所述钳紧力时，将所述粘合剂及所述热界面材料固化。
形成封装结构方法

[发明专利]使用热与机械强化层的装置及其制造方法-CN201611135570.7有效
发明人：余振华;苏安治;陈威宇;陈英儒;林宗澍;张进传;陈宪伟;吴伟诚;叶德强;黄立贤;吴集锡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。
使用机械强化装置及其制造方法

[发明专利]伪金属帽和再分布线的路由设计-CN201710482330.2有效
发明人：余振华;陈宪伟;李孟灿;林宗澍;吴伟诚;邱建嘉;王景德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种封装件包括第一介电层，位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯，有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。本发明实施例涉及伪金属帽和再分布线的路由设计。
贯通孔介电层金属帽再分布器件管芯封装件源金属路由密封材料密封器件电连接附接管芯穿过

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910332638.8在审
发明人：顾诗章;林宗澍;陈琮瑜;洪文兴;李虹錤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括蒸气室盖体，蒸气室盖体用于使用高性能处理器(例如，图形处理单元)的高功率应用，例如衬底上晶片上芯片应用。蒸气室盖体提供热解决方案，从而增强具有多个芯片的封装的热性能。蒸气室盖体会改善高性能芯片中(例如三维集成电路封装级)的散热。
蒸气室盖体半导体装置封装高性能处理器三维集成电路图形处理单元高性能芯片高功率热性能上晶片上芯片散热衬底应用芯片制造

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