[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910332638.8 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110620095A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 顾诗章;林宗澍;陈琮瑜;洪文兴;李虹錤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;G06F1/20 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括蒸气室盖体，蒸气室盖体用于使用高性能处理器(例如，图形处理单元)的高功率应用，例如衬底上晶片上芯片应用。蒸气室盖体提供热解决方案，从而增强具有多个芯片的封装的热性能。蒸气室盖体会改善高性能芯片中(例如三维集成电路封装级)的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸气室 盖体 半导体装置 封装 高性能处理器 三维集成电路 图形处理单元 高性能芯片 高功率 热性能 上晶片 上芯片 散热 衬底 应用 芯片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：/n在衬底上布置多管芯的所述半导体装置；以及/n在所述半导体装置上放置蒸气室盖体，其中所述蒸气室盖体的第一表面的热输入区域热耦合到所述多管芯的所述半导体装置的表面。/n
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