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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构-CN201810717245.4有效
发明人： 林俊成;余振华;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种形成封装件的方法，包括：分布位于载体上方的牺牲区域；形成位于载体上方的金属柱。金属柱与牺牲区域的至少一部分重叠。该方法还包括：将金属柱和牺牲区域包封在包封材料中；从载体上卸下金属柱、牺牲区域和包封材料；以及去除牺牲区域的至少一部分，以形成从包封材料的表面水平延伸至包封材料内的凹槽。本发明实施例涉及具有带有腔体的TIV的InFO‑POP结构。
具有带有 tiv info pop 结构

[实用新型]一种仿金属拉丝膜卷标生产装置-CN201921965895.7有效
发明人： 林俊成 -专利权人：上海正伟印刷有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： B41F17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的是一种仿金属拉丝膜卷标生产装置，包括机架以及依次间隔设置在机架上的放卷辊、图文印刷辊组、第一UV干燥机构、丝印辊组、第二UV干燥机构、金属油墨印刷辊组、第三UV干燥机构、保护光油印刷辊组、第四UV干燥机构以及收卷辊。本实用新型采用印刷工艺制造拉丝效果，使得多制程工艺可以一次加工印刷完成，有效地降低了加工工艺成本。本实用新型所制备的仿金属拉丝膜卷标在外观上具有良好的仿金属拉丝效果，制备成本低，便于多变性设计的调整，经济性良好。
一种金属拉丝膜卷标生产装置

[发明专利]封装及其制造方法-CN201710952725.4有效
发明人：余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;郭宏瑞;林俊成;叶名世 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种封装及其制造方法。封装的制造方法包括：形成延伸到介电层的开口中的金属层，以接触第一金属垫及第二金属垫；以及将组件装置的底部端子接合到所述金属层。所述金属层具有直接位于所述组件装置之下且接合到所述组件装置的第一部分。在所述金属层上形成凸起通孔，且所述金属层具有直接位于所述凸起通孔之下的第二部分。刻蚀所述金属层，以将所述金属层的所述第一部分与所述第二部分彼此分离。所述方法进一步包括：以介电层涂布所述凸起通孔及所述组件装置；显露出所述凸起通孔及所述组件装置的顶部端子；以及形成将所述凸起通孔连接到所述顶部端子的重布线。
封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN201710959894.0有效
发明人： 林俊成;吴集锡;余振华;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、位于衬底的第一侧上方的第一再分布层(RDL)、位于第一RDL上方并且电连接至第一RDL的一个或多个半导体管芯以及位于第一RDL上方并且围绕一个或多个半导体管芯的密封剂。半导体器件也包括附接至衬底的第二侧(与第一侧相对)的连接件，该连接件电连接至第一RDL。半导体器件还包括位于衬底的第二侧上的聚合物层，连接件从聚合物层突出于远离衬底的聚合物层的第一表面之上。接触连接件的聚合物层的第一部分具有第一厚度，并且位于邻近的连接件之间的聚合物层的第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201610785784.2有效
发明人： 林俊成;余振华;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件、与半导体横向分离的导电通孔、介于半导体器件和导电通孔之间的封装剂、以及标记。标记由或无相交的字符或具有小于2的重叠数的字符形成。在另一实施例中，使用摆动扫描方法形成标记。通过形成所述标记，可以减少或消除来自标记工艺的缺陷。本发明的实施例还提供了半导体器件及制造方法。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种可指示光照变化的热收缩膜标签及其生产装置-CN201922106617.2有效
发明人： 林俊成 -专利权人：上海正伟印刷有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开的是一种可指示光照变化的热收缩膜标签，包括由下至上依次复合的基膜层、印刷图文层、油墨层以及保护光油层；所述油墨层为采用添加有光变色粉微胶囊的油墨印刷在所述印刷图文层的表面上所形成的光变油墨层。还公开了一种用于制备上述的可指示光照变化的热收缩膜标签的生产装置。本实用新型采用添加有光变色粉微胶囊的油墨印刷在印刷图文层上形成一光变油墨层，使得热收缩膜标签可根据光照变化产生相应指示的效果。
一种指示光照变化收缩标签及其生产装置

[发明专利]封装件中的非垂直贯通孔-CN201510641267.3有效
发明人：黄震麟;张容华;高志杰;林俊成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：封装件包括器件管芯、具有沙漏轮廓的贯通孔和成型材料，在该成型材料中模制器件管芯和贯通孔，其中成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层覆盖成型材料和器件管芯。多条再分布线(RDL)延伸到介电层中，以电耦接至器件管芯和贯通孔。本发明还提供了封装件中的非垂直贯通孔。
封装中的垂直贯通

[发明专利]封装件结构及其形成方法-CN201711105990.5有效
发明人：余振华;胡宪斌;林俊成;卢思维;候上勇;魏文信;施应庆;吴集锡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：一个实施例是一种方法，所述方法包括：使用第一电连接器将第一管芯附接到第一组件的第一侧，使用第二电连接器将第二管芯的第一侧附接到第一组件的第一侧，将伪管芯附接到第一组件的划线区域中的第一组件的第一侧，将覆盖结构粘附到第二管芯的第二侧，并且分割第一组件和伪管芯以形成封装件结构。本发明的实施例还涉及封装件结构及其形成方法。
封装结构及其形成方法

[发明专利]具有高低不平的互连件的集成扇出结构-CN201611119842.4有效
发明人：林士庭;卢思维;林俊成;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种形成封装组件的方法，包括：在载体衬底上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成导电通孔；利用第一化学物质处理导电通孔，从而使导电通孔的表面变得粗糙；以及将器件管芯和导电通孔模制在模制材料中。本发明实施例涉及具有高低不平的互连件的集成扇出结构。
具有高低不平互连集成结构

[发明专利]封装件及其形成方法-CN201711342088.5有效
发明人： 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在离型膜上方；将器件包封在包封材料中；在包封材料上进行平坦化以暴露器件；将器件和包封材料与载体分离；蚀刻管芯附接膜以暴露器件的背面；以及在器件的背面上施加导热材料。本发明的实施例还提供了一种封装件。
封装及其形成方法

[发明专利]卷料装置及恒张力运转运动曲线规划方法-CN201811417401.1在审
发明人：吴鸿志;邱重融;唐世谦;林俊成;郭永麟 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B65H23/198 文献下载
摘要：本发明提供一种恒张力运转运动曲线规划方法，用于一卷料装置，其中该卷料装置包括一送料电机及一卷料电机，该方法包括：依据该卷料电机的一卷芯的形状建立相应的一运转运动曲线；控制该送料电机以一固定线速度输送一卷料至该卷料电机；以及依据该运转运动曲线控制该卷料电机的该卷芯的转速，使得该卷料卷绕于该卷芯上时具有一恒定张力。
装置张力运转运动曲线规划方法

[实用新型]一种立式真空均温加热腔体-CN201921744446.X有效
发明人：王俊富;林俊成;郑耀璿;吴柔旻 -专利权人：鑫天虹（厦门）科技有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种立式真空均温加热腔体，包括机架、立式腔体、真空泵、加热单元、均温控制组件和温控箱。立式腔体固设在机架上方，立式腔体的侧壁中部位置开设有真空抽气口，真空泵通过法兰与真空抽气口连接，加热单元固设在立式腔体的内部上部。均温控制组件包括散热风扇、温度传感器、第一温度监控装置和第二温度监控装置，散热风扇固定安装在立式腔体内部的顶部并朝下吹风，温度传感器设在加热单元的上方。第一温度监控装置和第二温度监控装置固设在立式腔体内部并分别位于真空抽气口的上方和下方。本实用新型能够使整个真空加热腔体有效地达到温度的均匀性，使预烤的晶片能够有效地达到去水汽的功效，在调节温度的同时实现精确控温。
一种立式真空加热

[实用新型]一种电浆蚀刻反应室-CN201921744405.0有效
发明人： 林俊成;郑耀璿;陈英信 -专利权人：鑫天虹（厦门）科技有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电浆蚀刻反应室，包括机壳、基座、第一电极、第二电极、铝基板、陶瓷板和遮板，机壳的内部具有一腔室。基座设在腔室的底部，第一电极呈盘状设在基座上并承载待蚀刻的晶圆，铝基板固设在基座上并环接于第一电极的周面上缘。第二电极设在腔室的上部，陶瓷板固设在第二电极底部，遮板设在陶瓷板下方并与陶瓷板合围形成电浆室，遮板上开设有若干个通孔。本实用新型通过在陶瓷板的下方设置带有通孔的遮板，使得铝基板被轰击出来的铝分子大部分被溅镀到遮板上，小部分的铝分子透过遮板被镀到陶瓷板上但不影响线圈产生的感应磁场进入到腔室内，陶瓷板与遮板之间形成高密度电浆，电浆可通过该遮板上的通孔对下方的晶圆进行蚀刻。
一种蚀刻反应

[实用新型]带可调式射频线圈的电浆蚀刻反应室-CN201921754073.4有效
发明人： 林俊成;陈英信;沈佑德 -专利权人：鑫天虹（厦门）科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及带可调式射频线圈的电浆蚀刻反应室，包括机壳、金属基座、铝基板和陶瓷板，机壳内部形成一容室，金属基座设于容室的下方并通过导线与外部电源连接；铝基板设置在金属基座上用于承载晶圆；机壳上方开有一通孔，陶瓷板封盖该通孔；其特征在于，还包括设置在陶瓷板上方的射频线圈及其调节装置，调节装置由绝缘材料制成，包括底座、螺杆、固定座，螺杆上端为螺旋部，下端为光杆，光杆连接底座，固定座与螺旋部螺纹连接；射频线圈的中心固定在固定座上，射频线圈的外圈固定在底座上。通过调节装置来上下调节射频线圈，改变射频线圈产生的磁场，从而达到调节反应室容室内电浆密度分配的目的。此外，调节动作通过螺杆调节，精度更高。
调式射频线圈蚀刻反应

[实用新型]一种带遮板的电浆蚀刻反应室-CN201921755091.4有效
发明人： 林俊成;郑耀璿;陈英信 -专利权人：鑫天虹（厦门）科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带遮板的电浆蚀刻反应室，包括机壳、基座、第一电极、第二电极、铝基板、陶瓷板，机壳内部形成一容室，机壳内壁上设有绝缘板；基座设于容室的下方，第二电极设于该基座上；铝基板设置在第二电极上用于承载晶圆；机壳上方开有一通孔，陶瓷板封盖该通孔，第一电极设于该陶瓷板上方；还包括有遮板，遮板设置在陶瓷板下方，并且该遮板靠近陶瓷板一端的末端设有一导角，该导角与陶瓷板之间形成间隙；遮板及导角由绝缘材料制成。本实用新型的导角设计，使得溅镀覆盖在陶瓷板和遮板上的金属不导通，克服高密度电浆无法形成的问题；而且可以减少反应室的维护工作量及次数。另外，本实用新型使用平板陶瓷即可满足要求，设备成本降低。
一种带遮板蚀刻反应

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