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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310016507.5在审
发明人： 林伯融;刘嘉哲 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括碳化硅衬底、成核层以及氮化镓层。碳化硅衬底具有第一厚度T1。成核层位于碳化硅衬底上且具有第二厚度T2。成核层由氮化铝镓所构成，且第二厚度T2为符合T1*0.002％至T1*0.006％的范围内的厚度。氮化镓层位于成核层上且与碳化硅衬底间隔开。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管结构及其制造方法-CN202211168331.7在审
发明人： 林伯融;刘嘉哲 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管改良结构包括有一基板、一氮化物成核层、一氮化物缓冲层、一氮化物通道层及一阻障层，所述氮化物缓冲层包含金属掺杂物；所述氮化物通道层相较于所述氮化物缓冲层具有较低的金属掺杂浓度；一二维电子气体沿所述氮化物通道层与所述阻障层间的界面形成于所述氮化物通道层中；所述氮化物缓冲层与所述氮化物通道层交界处的金属掺杂浓度X定义为每立方公分的金属原子数量，所述氮化物通道层的厚度Y的单位为微米(μm)且满足：Y≤(0.2171)ln(X)‑8.34，以降低金属掺杂物对所述氮化物通道层的片电阻值的影响并提供具有良好效能的高电子迁移率晶体管改良结构。
电子迁移率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管结构及其制造方法-CN202211168336.X在审
发明人： 林伯融;刘嘉哲 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管改良结构，依序包含：一基板、一成核层、一缓冲层、一通道层及一阻障层；所述缓冲层包含一掺杂物；相较于所述缓冲层，所述通道层具有较低的所述掺杂物掺杂浓度；一二维电子气体沿所述通道层与所述阻障层间的界面形成于所述通道层中；所述通道层于所述通道层与所述阻障层间的界面处的所述掺杂物掺杂浓度大于或等于1×1015cm‑3。
电子迁移率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202211311890.9在审
发明人： 林伯融;施英汝;曹正翰 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板、第一氮化物层、极性反转层、第二氮化物层以及第三氮化物层。第一氮化物层位于基板上。极性反转层位于第一氮化物层的表面，以将第一氮化物层的非金属极性表面转换为极性反转层的金属极性表面。第二氮化物层位于极性反转层上。第三氮化物层位于第二氮化物层上。基板、第一氮化物层、极性反转层以及第二氮化物层包含铁元素。本发明的半导体结构抑制具有寄生通道产生的功效。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210587745.7在审
发明人： 林伯融;林子尧 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括基板、第一氮化物层、第二氮化物层、第三氮化物层与极性反转层。第一氮化物层形成于所述基板上，极性反转层形成于所述第一氮化物层的表面，以将第一氮化物层的非金属极性表面转换为极性反转层的金属极性表面。第二氮化物层则形成于所述极性反转层上。第三氮化物层形成于所述第二氮化物层上。
半导体结构

[发明专利]电子设备开机方法及电子设备-CN201910584477.1有效
发明人： 林伯融 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G06F21/32 文献下载
摘要：本申请一种电子设备开机方法及电子设备，在用户操作电子设备的开机功能键的同时，会采集用户操作该开机功能键产生的用户生物特征，这样，电子设备的控制器检测到用户对开机功能键的操作，响应于开机指令，读取该用户生物特征后，将验证该用户生物特征，若验证通过，将执行开机操作，启动电子设备的操作系统。可见，本申请用户只需要对开机功能键进行操作，就能够自动开机，相对于传统开机方法，简化了开机步骤，缩短了开机时间。
电子设备开机方法

[发明专利]一种形态检测方法、形态检测装置及电子设备-CN201810661609.1有效
发明人： 林伯融 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种形态检测方法，应用于一电子设备，所述电子设备包括通过转轴相对转动连接的第一本体和第二本体，所述方法包括：获得由所述第一本体侧发出的测量信号；基于所述测量信号，获得第一参数和第二参数，其中，所述第一参数和所述第二参数通过设在所述第二本体不同位置上的接收部件获得；基于所述第一参数、所述第二参数和预设参数，确定所述第一本体和所述第二本体的形态信息，使得电子设备对于其第一本体和第二本体的形态信息的检测的算法变得更加简单，同时，能够减少在检测形态信息时所需的时间，在保证检测准确度的情况下提高检测效率，进一步提高了用户的使用体验。
一种形态检测方法装置电子设备

[发明专利]一种数据发送和接收方法、装置及系统-CN201710076073.2有效
发明人： 林伯融 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F15/163 文献下载
摘要：本发明提供了一种数据发送和接收方法、装置及系统，数据发送方法用于第一处理器，方法包括：将待发送数据的数字信号转换为模拟信号；采用第一处理器和第二处理器之间时钟信号的信号通路，将该模拟信号发送至第二处理器。
一种数据发送接收方法装置系统

[实用新型]一种电子设备、定位装置及定位组件-CN201922453745.4有效
发明人： 林伯融;曾显栓 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请公开了一种电子设备、定位装置及定位组件，包括：第一本体，第二本体，转轴，至少三个收音装置及处理装置，其中，第一本体与第二本体通过转轴连接，至少三个收音装置分别设置在第一本体及第二本体上，用于获取定位装置发送的音频信号，处理装置基于转轴的转动角度及至少三个收音装置获取的音频信号，得到定位装置的位置数据。本方案通过分别设置在第一本体及第二本体上的至少三个收音装置以及转轴的转动角度确定定位装置的位置，避免了现有技术中由于不能确定定位装置的具体位置而导致的在电子设备处于笔记本模式时由于不能确定触控笔的位置而不能对其进行定位并使用的缺陷。
一种电子设备定位装置组件

[发明专利]应用于半导体设备的气体喷射装置-CN201710783714.8有效
发明人：黄灿华;林伯融 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种应用于半导体设备的气体喷射装置，其包含底板、中心套盖、进气本体、内环盖及外环盖。底板包含中心区域及多个通道，通道以中心区域为中心而依序相邻环设于底板上，且通道包含多个第一、第二及第三通道。中心套盖配置于中心区域上且与底板形成第一进气腔体，其中中心套盖的环壁套接于通道上，且具有多个第一连通开口，以分别对应连接至第一通道。进气本体具有顶部、内环壁及外环壁，外环盖配置于通道上并且介于内环壁与外环壁之间。本发明目的之一在于提出一种应用于半导体设备的自动化气体喷射装置，使得输出气体可具有水平多向的分隔分布流动，并且避免气体在喷射处即相互产生混合，同时亦提供可有效即时调整其气体流速。
应用于半导体设备气体喷射装置

[发明专利]半导体模板及其制造方法-CN201610075773.5有效
发明人： 林伯融;吴致升;小林隆;锺步青 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一半导体模板，其包含：一基板、一缓冲层及一磊晶层。缓冲层位于基板的一表面，且缓冲层包括一第一次缓冲层及一第二次缓冲层，两者依序相叠。缓冲层具有不规则的裂痕，使缓冲层具有不连续之上表面。裂痕的深度大于或等于第二次缓冲层的厚度，且小于或等于第一次缓冲层及第二次缓冲层厚度的总合。磊晶层位于缓冲层之上，并为一连续层。
半导体模板及其制造方法

[发明专利]应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头-CN201611154916.8在审
发明人： 林伯融;陈哲霖;蔡长达;钟步青 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明相关于一种应用于化学气相沉积装置的气体分流喷头，该气体分流喷头包含至少一个单层结构的气体分流层，用以对各种气体进行分流。此气体分流层包含圆盘状主体、多条第一气体通道、多条第二气体通道、以及多条第三气体通道，其中，第一气体通道、第二气体通道、以及第三气体通道以放射状排列于圆盘状主体中的同一水平面，用以供不同的气体通过，而将不同的气体经由不同的气体通道在同一平面横向注入化学气相沉积装置。借此，本发明的气体分流喷头可以单层结构进行气体分流。
应用于化学沉积装置气体分流喷头

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610149806.6在审
发明人：小林隆;林伯融;陈哲霖 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含：一基板、一缓冲层、及一装置层。缓冲层沉积于基板上，且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于氮化镓磊晶层上的至少一插入层，其中一电子捕捉元素被掺杂入氮化镓磊晶层的一区域，该区域是为邻近该氮化镓磊晶层及其上的插入层之间的一介面。装置层则形成于缓冲层之上。借由上述结构，氮化镓磊晶层的电子被捕捉，而降低电子迁移率，并使得来自缓冲层漏电流被抑制，因此半导体装置的性能也就被提升。本发明亦揭露一种制造上述半导体装置的方法。
半导体装置及其制造方法

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