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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件-CN201811178401.0有效
发明人：林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。
用于形成场效应晶体管方法以及半导体器件

[发明专利]离子束蚀刻系统-CN202210842269.9在审
发明人：杨建勋;张克正;杨建伦;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例有关于包含工艺腔的离子束蚀刻系统。工艺腔包含被配置以提供等离子体的等离子体室。此外，工艺腔包含加速器栅，上述加速器栅具有包含第一加速器栅元件及第二加速器栅元件的多个加速器栅元件。第一导线耦接至第一加速器栅元件，被配置以将第一电压供应至第一加速器栅元件。第二导线耦接至第二加速器栅元件，被配置以将不同于第一电压的第二电压供应至第二加速器栅元件。通过第一洞的第一离子束由第一加速器栅元件控制，通过第二洞的第二离子束由第二加速器栅元件控制。
离子束蚀刻系统

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210529991.7在审
发明人：杨建勋;喻鹏飞;张克正;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及制造所述半导体装置的方法，此半导体装置具有不同配置的纳米结构通道区。所述半导体装置包括设置在基板上的鳍式结构、设置在鳍式结构上的纳米结构水平通道(nanostructured horizontalchannel；NHC)区堆叠、设置在NHC区堆叠内的纳米结构垂直通道(nanostructured vertical channel；NVC)区、设置在鳍式结构上的源极/漏极(source/drain；S/D)区，以及设置在NHC区和NVC区未被NHC区覆盖的多个部分和鳍式结构上的栅极结构。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210523144.X在审
发明人：杨建勋;喻鹏飞;张克正;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开具有栅极结构的不同配置的一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括：多个纳米结构通道区的一堆叠物，置于一鳍状物结构上；一第一栅极结构，置于上述纳米结构通道区的上述堆叠物内；一第二栅极结构，其在一第一轴的四周围绕上述第一栅极结构且在一第二轴的四周围绕上述纳米结构通道区的上述堆叠物，上述第二轴异于上述第一轴；以及一第一接触结构与一第二接触结构，分别置于上述第一栅极结构上及上述第二栅极结构上。
半导体装置制造方法

[发明专利]离子束蚀刻系统-CN202210329815.9在审
发明人：杨建勋;张克正;杨建伦;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开关于一种离子束蚀刻系统，包括配置以提供等离子体的等离子体腔室、屏栅、萃取格栅、加速器格栅和减速器格栅。屏栅接收屏栅电压以从等离子体腔室内的等离子体中萃取离子以形成穿过孔洞的离子束。萃取格栅接收萃取格栅电压，其中屏栅电压与萃取格栅电压之间的电压差决定离子束的离子电流密度。加速器格栅接收加速器格栅电压。萃取格栅电压和加速器格栅电压之间的电压差决定离子束的离子束能量。离子束蚀刻系统可更包括偏转器系统，偏转器系统具有位于孔洞周围的第一偏转器板和第二偏转器板，以控制离子束的方向。
离子束蚀刻系统

[发明专利]用于实时补偿控制蚀刻工艺的设备、系统和方法-CN202210128406.2在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于蚀刻工艺的实时补偿控制的设备、系统及方法，所述设备包含光束调节组合件以及机器学习装置。光束调节组合件配置成向所处理的衬底输出一或多个波长且从衬底接收一或多个反射波长。机器学习装置配置成处理一或多个反射波长以预测工艺变量且将所预测的工艺变量与所测量的工艺变量进行比较以获得比较结果。
用于实时补偿控制蚀刻工艺设备系统方法

[发明专利]等离子体蚀刻系统-CN202110788799.5在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正;喻鹏飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提出一种等离子体蚀刻系统。等离子体蚀刻系统用于金属氧化物的自由基活化蚀刻。等离子体蚀刻系统包括腔室；配置以保持其上设置有一金属氧化物的芯片的芯片保持器；流体地连接至腔室，且配置以将气体供应至腔室的第一气体管线；配置以从气体产生等离子体的等离子体产生器；在等离子体产生器及芯片保持器之间，配置以增加来自等离子体的离子的动能的栅系统；在栅系统及芯片保持器之间，配置以产生电子且中和离子以产生自由基的中和器；以及流体地连接至腔室，且配置以将一前驱物供应到芯片上的第二气体管线。自由基促进通过前驱物的金属氧化物的蚀刻。
等离子体蚀刻系统

[发明专利]集成电路的形成方法-CN202110368562.1在审
发明人：杨建勋;张克正;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明说明形成具有电源轨的堆叠半导体装置的方法和集成电路的形成方法。方法包括形成堆叠半导体装置于基板的第一表面上。堆叠半导体装置包括第一鳍状结构；隔离结构，位于第一鳍状结构上；以及第二鳍状结构，位于第一鳍状结构上并接触隔离结构。第一鳍状结构包含第一源极/漏极区，而第二鳍状结构包含第二源极/漏极区。方法亦包括蚀刻基板的第二表面与第一源极/漏极区或第二源极/漏极区的一部分以形成开口。第二表面与第一表面对向。方法亦包括形成介电阻障层于开口中，以及形成源极/漏极接点于开口中。
集成电路形成方法

[发明专利]用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物的方法-CN202110734492.7在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开描述了用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物的方法。方法包括用第一气体修饰金属氧化物的表面，通过配位基交换反应去除金属氧化物的顶部，以及用第二气体清洁金属氧化物的表面。
用于等离子体辅助蚀刻金属氧化物方法

[发明专利]场效应晶体管的制造方法-CN202110732760.1在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开所提供的具有负电容层的场效应晶体管的制造方法包含形成一鳍片结构，该鳍片结构包含在一基板上的一鳍片基底部分以及一堆叠的鳍片部分。堆叠的鳍片部分包含在鳍片基底部分上的一第一半导体层、在第一半导体层上的一第二半导体层、以及在第一以及第二半导体层之间的一牺牲半导体层。该方法进一步包含以一负电容(negative capacitance；NC)层取代牺牲半导体层。在负电容层、第一半导体层、以及第二半导体层周围形成栅极电极。负电容层包含一负电容介电材料。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]半导体元件-CN202110586394.3在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括第一鳍片结构、隔离结构接触第一鳍片结构的顶面、基底层接触隔离结构、外延层接触隔离结构和基底层、以及第二鳍片结构于第一鳍片结构之上并接触外延层。
半导体元件

[发明专利]产生极紫外辐射的方法-CN202011606332.6在审
发明人：杨建勋;张克正;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种产生极紫外辐射的方法。产生极紫外辐射的方法包括在极紫外辐射源设备中用激光同时照射两个或多个目标微滴以生成极紫外辐射，并通过成像镜收集并且引导从两个或多个目标微滴生成的极紫外辐射。
产生紫外辐射方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010825057.0在审
发明人：杨建勋;杨建伦;张克正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有负电容介电结构的半导体装置结构以及上述半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法包括：形成一鳍部结构于一基底上，鳍部结构具有一鳍部基体部及一鳍部顶部；形成一间隙壁结构于鳍部顶部的一第一区域内，其中间隙壁结构包括第一负电容介电材料；以及形成一栅极结构于鳍部顶部的一第二区域上，其中栅极结构包括一栅极介电层，栅极介电层具有不同于第一负电容介电材料的一第二负电容介电材料。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的鳍结构及其制造方法和有源区域的制造方法-CN201610723024.9有效
发明人：林哲宇;游明华;李资良;杨建伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的有源区域的方法包括在衬底中形成注入区域。该注入区域邻近衬底的顶面。对衬底的顶面实施清洗处理。烘烤衬底的顶面。在衬底的顶面上形成外延层。本发明的实施例还涉及半导体器件的鳍结构及其制造方法。
半导体器件结构及其制造方法有源区域

[发明专利]一种利用手势快速复制对象的方法和装置-CN201410837424.3有效
发明人： 杨建伦 -专利权人：鸿合科技股份有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F3/0484 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用手势快速复制对象的方法和装置，应用于通过触摸设备输入的电子白板软件，所述方法包括以下步骤：检测用户单手连续输入的三至五点的点触控操作；当所有所述点触控操作均在预设的时间间隔和距离间隔之内，且均落在同一个可编辑对象上时，进入复制模式；在所述复制模式下，将所述可编辑对象做突出效果显示，直至退出所述复制模式，当检测到作用于所述可编辑对象的后续点触控操作后，在所述后续点触控操作位置处复制生成一个所述可编辑对象的副本，并将所述后续点触控操作转换识别为对于所述副本的拖拽操作；本发明通过触控方式，极大的简化了复制对象的操作步骤，整个处理过程简单、快速、易实现，显著的提高了用户的工作效率。
一种利用手势快速复制对象方法装置

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