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[实用新型]一种高压发光二极管-CN202320590616.3有效
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n发光单元，其中，第n发光单元的面积最大。本实用新型可以提升高压发光二极管的抗负向静电冲击的能力，有效改善爆点问题，明显提高高压发光二极管的ESD能力和可靠性。
一种高压发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310609174.7在审
发明人：张丽明;唐荷映;马全扬;陈星榕;杨人龙;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、透明导电层、第一电极和第二电极，半导体叠层由下到上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明导电层位于第二半导体层上，第一电极位于第一半导体层上，第二电极位于透明导电层上，俯视来看，半导体叠层具有尺寸x的最短侧边，透明导电层具倒角部，半导体叠层具有倒角边，倒角部的曲率半径大于倒角边的曲率半径，当70≤x300微米，倒角部的曲率半径为15~x/2‑20微米；当x≥300微米，倒角部的曲率半径为15~x/3+30微米。借此，可以使得透明导电层的电流横向扩散能力所带来的有益出光效果是大于遮光所带来的负面出光效果，进而提升发光二极管的外量子效率，加强出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管及发光装置-CN202310436174.1在审
发明人： 杨人龙;张平;林雅雯;黄事旺;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层、第一电极、第二电极、第一电流阻挡层，半导体叠层包括由下表面到上表面依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极位于第一半导体层上；第一电流阻挡层位于第一半导体层与第一电极之间；从发光二极管的上方朝半导体叠层俯视，第一电流阻挡层具有未与第一电极重叠的第二阻挡区；至少部分第二阻挡区设置于靠近第二电极一侧的第一电极局部边缘以外。本发明提供的发光二极管通过在第一电极位置对第一电流阻挡层进行设计，从而有效改善电场强度分布不均和电流聚集现象，提升发光二极管的光萃取能力和抗ESD冲击能力。
一种发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310427089.9在审
发明人： 杨人龙;张平;林雅雯;黄事旺;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，包括：半导体叠层、电流阻挡层、透明导电层、第一电极和第二电极。半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，电流阻挡层位于第二半导体层之上，包括至少一条状部，透明导电层位于电流阻挡层之上，第一电极位于第一半导体层之上，第二电极位于透明导电层之上，包括一第二电极垫与至少一第二电极延伸部，第二电极延伸部位于条状部之上。从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，同一条状部具有第一侧边和第二侧边，第一侧边到对应的第二电极延伸部的同向侧边具有第一距离，第二侧边到对应的第二电极延伸部的同向侧边具有第二距离，至少部分同一条状部的第一距离大于第二距离。借此提升芯片的发光效率和可靠性。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202111395331.6有效
发明人：曹林华;陈婉君;王绘凝;唐荷映;贺春兰;江莉莉;张丽明;杨人龙;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极位于外延结构上且电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构上且电连接第二半导体层，第二电极包括起始部和连接于起始部的延伸部，延伸部具有弧形部，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，弧形部具有第一弧形边与第二弧形边，第一弧形边的第一曲率半径小于第二弧形边的第二曲率半径，第一弧形边和第二弧形边朝向同一方向，第一弧形边的圆心到第二弧形边的圆心的距离小于等于5μm。借此，可加宽转角处弧形部的宽度，改善弧形区域的电流拥堵状况，增加载流子的注入面积，避免转角处烧伤。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种LED芯片-CN202310579771.X在审
发明人： 杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]一种LED芯片-CN202310579709.0在审
发明人： 杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211209957.8有效
发明人：张丽明;唐荷映;马全扬;陈星榕;杨人龙;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括半导体叠层、透明导电层、第一电极和第二电极，半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明导电层位于第二半导体层之上，第一电极位于第一半导体层之上，第二电极位于透明导电层之上，从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，半导体叠层具有一最短侧边，最短侧边的尺寸为x，透明导电层具有至少一个倒角部，倒角部的曲率半径范围为15~x/2。借此，可以使得透明导电层的电流横向扩散能力所带来的有益出光效果是大于遮光所带来的负面出光效果，进而提升发光二极管的外量子效率，加强出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管芯片-CN202310042108.6在审
发明人：王绘凝;夏宏伟;马全扬;卓佳利;史伟斌;林素慧;杨人龙;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片，包括衬底、半导体发光序列层、第一电极和第二电极，所述第一电极电连接第一导电型半导体层；所述第一电极包括反射层,所述反射层包括Al金属、Ti金属层组成的多对重复叠层，所述反射层中的Al金属层/Ti金属层的厚度从发光二极管芯片出光侧往电极侧方向依序减小。本发明可以增加发光二极管芯片的出光效率。
一种发光二极管芯片

[发明专利]一种LED芯片-CN202110864342.8有效
发明人： 杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]一种高压发光二极管芯片-CN202211653257.8在审
发明人：孙旭;陈亭玉;杨人龙;林兓兓;张中英 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，所述LED发光单元包括发光叠层和透明导电层，所述透明导电层覆盖所述发光叠层的部分外表面；所述桥接结构包括连接部和延伸部，所述连接部下设有第一阻挡层，以实现绝缘，位于第n个LED发光单元上的延伸部与透明导电层至少部分接触。本发明能明显提升高压发光二极管芯片的ESD能力，有效改善爆点问题，提高芯片的可靠性。
一种高压发光二极管芯片

[发明专利]一种发光二极管芯片-CN202110820138.6有效
发明人：王绘凝;夏宏伟;马全扬;卓佳利;史伟斌;林素慧;杨人龙;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及种发光二极管芯片，包括衬底、半导体发光序列层、第一电极和第二电极，所述第一电极电连接第一导电型半导体层；所述第一电极包括反射层、中间层和导电层，反射层用于反射来自发光层的光；所述的中间层包括阻挡层，阻挡层至少包括第一层和第二层，第一层比第二层更接近导电层，第一层和第二层均包括有Pt金属层，且第一层中Pt金属层的厚度大于第二层中Pt金属层的厚度，以解决电极结构中金属互溶的问题。
一种发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管-CN202210825345.5在审
发明人： 杨人龙;张平;张丽明;张玉杰;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请公开的发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所述第二半导体层形成电连接，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部；电流阻挡层，设置在所述半导体叠层上，并位于所述第二扩展部之下；其中，所述电流阻挡层包括第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分，所述第一部分与所述绝缘层开口在所述半导体叠层的投影方向上具有重叠的面积，所述第一部分与所述第二扩展部的距离为T1，所述第二部分与所述第二扩展部的距离为T2，所述T1大于T2。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211208152.1在审
发明人： 杨人龙;张丽明;陈星榕;马全扬;唐荷映;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括半导体叠层、透明导电层、第一电极和第二电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明导电层位于第二半导体层之上，第一电极位于第一半导体层之上，第二电极位于透明导电层之上，从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，透明导电层具有近边和远边，近边到第一电极的距离小于远边到第一电极的距离，近边到第二半导体层的边缘的距离小于远边到第二半导体层的边缘的距离。借此，可以提升发光二极管的外量子效率和电光转换效率，加强出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种倒装深紫外发光二极管芯片-CN202210814793.5在审
发明人：伍熙阳;林岳;杨人龙;郑曦;黄伟志;郭伟杰;陈忠 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装深紫外发光二极管芯片，包括区块式排列于一衬底上的若干发光二极管和覆盖所述若干发光二极管的绝缘层；各发光二级管分别包括半导体发光堆叠层、第一电极和第二电极，若干发光二极管通过电极连接形成串联的结构，并在电极连接处下方设有电子阻挡层；绝缘层对应串联的若干发光二极管两末端的电极设有开口，两末端的电极通过所述开口引出并与设于所述绝缘层上的第一焊盘和第二焊盘一一对应连接。这种结构增大了出光面积并改善了电流分布，提升了UVC‑LED的光效，提高了其杀菌消毒的能力。
一种倒装深紫发光二极管芯片

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