“李相炫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成电路器件和制造其的方法-CN201910231444.9有效
发明人：安学润;李相炫;康诚右;申洪湜;吴省翰;吴怜默;李仁根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。
集成电路器件制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法-CN201711120568.7有效
发明人： 李相炫;李正允;朴胜周;成金重;吴怜默;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种能够改善操作性能和可靠性的半导体器件，该半导体器件可以包括用于隔离在长度方向上相邻的栅电极的栅极绝缘支撑物。该半导体器件包括：在基板上的第一栅结构，第一栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第一栅极间隔物；在基板上的第二栅结构，第二栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第二栅极间隔物，其中第二栅结构的第一短侧面对第一栅结构的第一短侧；以及栅极绝缘支撑物，设置在第一栅结构的第一短侧和第二栅结构的第一短侧之间并在不同于第一方向的第二方向上纵向地延伸，栅极绝缘支撑物在第二方向上的长度大于第一栅结构和第二栅结构的每个在第二方向上的宽度。
半导体器件以及用于制造方法

[外观设计]冰箱门-CN202030068624.3有效
发明人：李鲜姝;徐哲雄;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： 15-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：冰箱门。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作冰箱的门。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
冰箱门

[外观设计]冰箱门-CN202030068725.0有效
发明人：李鲜姝;徐哲雄;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： 15-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：冰箱门。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作冰箱的门。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
冰箱门

[外观设计]冰箱-CN202030049814.0有效
发明人：李鲜姝;徐哲雄;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： 15-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：冰箱。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于冷冻或冷藏物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于该冰箱的形状、图案或者其结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
冰箱

[外观设计]冰箱（相似设计1-2）-CN202030049780.5有效
发明人：李鲜姝;徐哲雄;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： 15-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：冰箱（相似设计1‑2）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于冷冻或冷藏物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于该冰箱的形状、图案或者其结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
冰箱相似设计

[发明专利]显示装置和显示系统-CN202010041782.9在审
发明人：全泰锺;朴大基;林南栽;裵栽成;李相炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请涉及显示装置和显示系统。该显示装置包括显示面板和驱动器，其中，显示面板包括多个像素；驱动器接收输入图像数据，将显示面板的边界部分划分成边缘区域和拐角区域，通过对输入图像数据进行补偿使得边缘区域的亮度增加第一乘积因子且拐角区域的亮度增加比第一乘积因子大的第二乘积因子来生成最终图像数据，并且基于最终图像数据驱动显示面板。
显示装置显示系统

[发明专利]显示设备及显示系统-CN202010041511.3在审
发明人：全泰锺;裵栽成;李相炫;朴大基;林南栽 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请涉及显示设备和显示系统。显示设备包括：显示面板，包括多个像素；以及驱动器，该驱动器接收输入图像数据，通过补偿输入图像数据以增加多个像素中设置在显示面板的至少一个边缘部分中的像素的亮度来生成最终图像数据，并且基于最终图像数据驱动显示面板。当用于多个像素中的像素的输入图像数据表示高于或等于第一参考灰度级的灰度级时，基于根据像素的位置而确定的补偿常数来补偿像素的输入图像数据，以及当用于像素的输入图像数据表示低于第一参考灰度级的灰度级时，基于减小的补偿常数来补偿像素的输入图像数据，其中，减小的补偿常数从所确定的补偿常数减小。
显示设备系统

[发明专利]半导体器件-CN201910374990.8在审
发明人： 李相炫;康诚右;裴根熙;安学润;吴省翰;吴怜默 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。
接触插塞绝缘间隔物上表面栅电极半导体器件栅极绝缘层侧壁间隔衬底接触方向延伸相邻栅极间隔物侧壁衬底

[发明专利]半导体装置-CN201910119085.8在审
发明人：全辉璨;洪瑟气;金贤洙;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
接触插塞栅极结构绝缘中间层上表面源图案半导体装置连接图案延伸穿过栅电极接触栅极绝缘层栅电极侧壁覆盖基底图案

[发明专利]半导体装置-CN201910206680.5在审
发明人：李仁根;朴钟撤;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。
蚀刻停止层半导体装置接触插塞栅极结构基底绝缘层层间绝缘层台阶形状穿透层下表面侧壁堆叠

[发明专利]包括自对准接触的半导体器件及其制造方法-CN201910071670.5在审
发明人：裴根熙;康诚右;权奇相;李东锡;李相炫;李正允;全庸淏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。
栅电极侧壁半导体器件导电接触顶表面间隔物蚀刻停止层介电常数氧化硅衬底图案产品可靠性自对准接触表面延伸低k材料覆盖填充制造改进

[发明专利]刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法-CN201811416581.1在审
发明人： 李相炫;李全一;康诚右;申洪湜;吴怜默;李升玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。
刻蚀对象刻蚀处理气体等离子体惰性气体半导体器件沉积层氧化硅碳氟化合物气体负直流电压含氧气体刻蚀表面氮化硅第一区分隔活化去除制造施加

[发明专利]包括接触插塞的半导体器件及形成其的方法-CN201810567838.7在审
发明人：郭玟灿;全辉璨;申宪宗;刘素罗;李相炫;黄寅灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括在衬底上彼此间隔开并平行地线形延伸的多个有源区域。栅电极跨越所述多个有源区域，并且相应漏极区域在有源区域的位于栅电极的第一侧的相应有源区域上和/或中，相应源极区域在有源区域的位于栅电极的第二侧的相应有源区域上和/或中。漏极插塞设置在漏极区域上，源极插塞设置在源极区域上。栅极插塞在漏极插塞与源极插塞之间设置于栅电极上，使得穿过漏极插塞的中心和源极插塞的中心的直线交叉栅极插塞。
插塞源区域栅电极半导体器件漏极源极漏极区域源极区域接触插塞衬底平行穿过延伸

[发明专利]发光器件封装件-CN201410059748.9有效
发明人： 李相炫;甘东爀;龙戡翰;洪镇基;黄圣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。
发光器件封装

1
2
下一页»
尾页
共 28 条