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[发明专利]一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法-CN202310129692.9在审
发明人：田德伟;闫巍;孟岚;李兴鳌 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，包括以下步骤：将S粉放入硫石英舟，V2O5粉和KCl粉混合后放入钒石英舟，SiO2/Si衬底放入衬底石英舟；将硫石英舟、钒石英舟和衬底石英舟放入两端开口的小石英管内部，然后再将小石英管放入管式炉内，并将管式炉两端的法兰安装完成；将氩气充满管式炉，然后把管式炉内部氩气抽出；开启管式炉，通入氩气和氢气的混合气体，按照设定的程序进行升温，然后恒温保持一段时间，最后将管式炉自然冷却至室温。本发明还公开一种单晶二维二硫化钒纳米片，由上述制备方法制备得到。本发明提供的一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法，能够大规模生长较薄的单晶二硫化钒纳米片，提升二硫化钒的质量。
一种二维硫化纳米及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化锡/钙钛矿异质结的两端型光电神经突触器件-CN202211547521.X在审
发明人：黄稳;杭鹏杰;余学功;皮孝东;李兴鳌;杨德仁 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了基于氧化锡/钙钛矿异质结的两端型光电神经突触器件，属于神经形态计算领域。该器件从下往上是:底电极、电子传输层、光电响应层、空穴传输层和顶电极；光电响应层为钙钛矿薄膜，电子传输层为氧化锡薄膜，该器件在无需外加偏压的情况下能模拟神经突触功能。在该结构中，钙钛矿膜致密，吸光性能好，在光的刺激下能产生大量的载流子，而氧化锡膜用于传输电子，在氧化锡膜中，也易于形成氧空位，能有效捕获电子。因此该结构既能保证光生载流子的大量产生，又能对产生的载流子进行有效捕获，确保器件突触权重的累积效应以及记忆性能，使突触权重动态范围达到了14.3，整流比为～300，为目前在这些性能指标上最优异的两端型光电神经突触器件。
一种基于氧化钙钛矿异质结两端光电神经突触器件

[发明专利]一种自组装单分子层和钙钛矿太阳能电池的制备方法及钙钛矿太阳能电池-CN201910466109.7有效
发明人： 李兴鳌;王松乐;张茂;王雅;马逾辉 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种自组装单分子层的制备方法，包括以下步骤：1)将带有类卤素基团的羧酸衍生物溶于有机溶剂，在60oC～70oC加热溶解，得到前驱溶液；2)将前驱溶液在室温下旋涂在氧化镍/ITO衬底上，然后置于热台上进行退火；3)冷却到室温后，立即用有机溶剂旋涂两次洗去，然后再退火一次，得到自组装单分子层。本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明还公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括自下而上依次层叠的ITO、空穴传输层、自组装单分子层、钙钛矿层、电子传输层、BCP、银电极。本发明通过单分子层的修饰，在器件的电压和效率等多方面都得到了明显提升，提高了电池的性能。
一种组装单分子层钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]基于氧化铜量子点界面层的太阳能电池及界面层的制备方法-CN201911198031.1有效
发明人： 李兴鳌;马逾辉;王松乐;张业伟;李洋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化铜量子点界面层的太阳能电池，该方法创造性地在反式结构电池的空穴传输层和钙钛矿层之间引入氧化铜量子点作为界面层进行修饰，利用窄禁带氧化铜的高空穴迁移率和价带特点对载流子的运输进行优化，并且使窄禁带氧化铜与宽禁带氧化镍形成偶极子。这使得制备出来的钙钛矿薄膜具有较大且均匀的晶粒，改善了层级之间的载流子传输效率和重结合，进一步体现在提高了电池器件的开路电压、电流密度、填充因子和内量子转换效率，将其应用于发光器件和激光器件也能有效改善性能。同时利用该方法制备钙钛矿太阳能电池为实现产业化提供可能。
基于氧化铜量子界面太阳能电池制备方法

[发明专利]杨氏模量测定仪及其测量方法-CN202210528145.3在审
发明人：孙鹏佳;熊必涛;潘卫清;徐兴亮;沈艳婷;王恒岩;李兴鳌;刘逸志 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N3/14 文献下载
摘要：本发明公开了杨氏模量测定仪，包括底座(1)，底座(1)上部两侧设有支板(2)，支板(2)上部设有横板(3)，横板(3)上设有圆柱体(4)，圆柱体(4)的下端连接有金属丝(5)；一侧所述的支板(2)侧部设有电机支架(6)，电机支架(6)上固定有调节电机(7)，调节电机(7)的伸长端设有主动齿轮(8)，所述的支板(2)之间设有装置板(20)，装置板(20)上设有光杠杆调节机构(21)。本发明能够有效提升实验的准确性，提高实验效率，同时保证实验的安全性。
杨氏模量测定及其测量方法

[发明专利]一种基于UWB室内定位的智能垃圾回收方法-CN202210206695.3在审
发明人：沈幸银;熊必涛;周飞来;周思汗;隋成朋;楼雨康;徐兴亮;沈艳婷;王恒岩;李兴鳌;潘卫清 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于UWB室内定位的智能垃圾回收方法及无人物流车，包括在室内布置多个已知坐标的定位基站，在垃圾回收小车上设置定位标签，垃圾回收小车接收到回收垃圾的信号后向指定位置进行移动，移动过程定位标签按照一定的频率发射UWB脉冲，通过UWB脉冲不断和已知位置的定位基站进行信号交互，从而计算出垃圾回收小车的实时位置，再利用实时位置进行路径规划直至抵达指定位置，实现垃圾回收。本发明可以使得人们在无接触的情况下进行垃圾的回收，减少人员接触的次数，避免疫情的传播，此外具抗干扰能力，定位精度高的优点。
一种基于 uwb 室内定位智能垃圾回收方法

[发明专利]基于干涉效应的成像光谱仪及高空间分辨率光谱成像方法-CN201811513996.0有效
发明人：杨涛;黄维;耿清风;李兴鳌 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明提出一种基于干涉效应的成像光谱仪及高空间分辨率成像光谱成像方法；通过控制器件不同控制条件下同一个像素元所探测到的相干光强度互不相同，代入到矩阵方程计算光谱，可通过控制器件输出更多的控制参数实现更高的光谱分辨率；由于阵列式探测芯片上的像素元数量较多，通过对待测目标进行区域划分，每个像素元都可以用来对待测成像区域的不同子单元区域进行光谱测量，因此光谱成像的空间分辨率较高；在使用过程中可通过选择合适的波长转换光学材料，或选择合适的阵列式探测芯片，使得成像光谱仪的频谱测量范围较宽。本成像系统制备工艺简单，不需要光栅等精密光学器件，与传统超光谱成像系统相比，体积较小，成本较低，性能较高。
基于干涉效应成像光谱仪空间分辨率光谱方法

[发明专利]一种含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒的制备方法-CN201810727811.X有效
发明人： 李兴鳌;胡瑞媛;楚亮;张健;毛巍威 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒的制备方法，首次使用含硫的有机阳离子合成钙钛矿薄膜，制得的钙钛矿材料具有稳定的六方相晶体结构，在空气中可以稳定存放，该新型含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒材料的结构式为(CH3)3SPbI3，用两步法制备钙钛矿薄膜，通过延长第二步的浸泡时间可以得到具有一维六方相的纳米棒阵列，制备出的含硫杂化钙钛矿纳米棒阵列具有吸收系数高、宽带隙、稳定性高的特性，在太阳能电池和光电探测器等领域具有广阔的应用前景。
一种有机无机杂化钙钛矿薄膜纳米制备方法

[发明专利]一种导电泡沫电极结合柔性应变片的传感器及制备方法-CN202011292126.2有效
发明人：楚亮;栾瑞霏;安航;巩冉;毛巍威;李兴鳌 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电泡沫电极结合柔性应变片的传感器及制备方法，传感器包括柔性片以及沿柔性片两端对称设置的导电泡沫；柔性片与泡沫电极接触；柔性片由导电纳米线分散在含固化剂的有机溶剂中制备；导电泡沫上设置有导线。制备过程为取导电纳米线分散在含固化剂的有机溶剂中得到混合溶液；然后将混合溶液滴定在对称放置的留有空隙的导电泡沫之间，使混合溶液填满空隙并固化；固化完成后，从导电泡沫上引出导线作为电极得到应力阻变传感器。本发明保证了应变片和电极间的充分和强烈的接触，调控工艺简单易行、成本低、制备的传感器阻变稳定、灵敏度高。
一种导电泡沫电极结合柔性应变传感器制备方法

[发明专利]一种基于衍射效应的多输入多输出光通信系统及通信方法-CN201811181073.X有效
发明人：杨涛;王源;张岳;李兴鳌;闫永红;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于衍射效应的多输入多输出光通信系统，包括光信号发射端和光信号接收端，光信号发射端包括光强调制器和与之相连的光信号发送阵列，光信号接收端包括第一准直器件、色散器件、第二准直器件、探测器，以及与探测器连接的信号处理单元，所述色散器件可令信号发送区域各光源发出的信号光发生衍射效应，且相同频率、相同强度的信号光入射到色散器件的不同位置出射的衍射光的光强角分布互不相同。本发明利用光源组成光信号发送阵列进行多路信号的并行传输，并利用色散器件及阵列式探测芯片结合解矩阵方程或线性方程组的方法复原出所传输的多路信号。可在实现照明功能的同时实现大容量信号的传输，且结构简单、成本低廉。
一种基于衍射效应输入输出光通信系统通信方法

[发明专利]一种基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜的制备方法及其产品和应用-CN202110161969.7有效
发明人：顾明道;李兴鳌;杜明;张健 -专利权人：江苏镕耀新材料有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及光催化薄膜材料技术领域，具体涉及一种基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜的制备方法及其产品和应用；具体的以氩气作为溅射气体，氮气作为反应气体，采用双靶共溅射的方法在衬底表面制备基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜，所述双靶分别为钽靶和钼靶；本发明提供一种基于Mo掺杂TaN的光催化薄膜的制备方法。首次将TaN薄膜应用于光催化领域，通过磁控溅射真空镀膜技术，选择Mo作为掺杂剂来改善TaN薄膜光催化性能从而改善薄膜的光吸收性能和薄膜内载流子迁移特性，提高光催化性能。
一种基于 mo 掺杂 tan 光催化薄膜制备方法及其产品应用

[发明专利]一种基于滤波效应的多输入多输出光通信系统及通信方法-CN201811422463.1有效
发明人：杨涛;张岳;黄维;李兴鳌;何浩培 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于滤波效应的多输入多输出光通信系统，包括发射端和接收端。发射端包括光强调制器和与之相连的光信号发送阵列，接收端包括前置器件、滤波器件、探测器以及信号处理单元。其中，前置器件使光信号发送阵列内各信号发送区域光源所发出的其中一束光以固定角度分别入射到滤波器件表面的不同部位。本发明通过将光信号发送阵列分成许多个不同信号发送区域，各区域内光源所发射的信号光在经过滤波之后分别投射在探测器不同信号接收区域内的像素元，从而利用多个光源发出的调制光进行多路信号并行传输。最终，通过将不同区域内像素元所测数据分别代入到多个矩阵方程复原信号。该技术可在实现照明功能的同时实现大容量信号的传输。
一种基于滤波效应输入输出光通信系统通信方法

[发明专利]一种快速制备磷化钴的方法及其产品-CN201810748676.7有效
发明人： 李兴鳌;贺艳娜;张健;崔任杰;陈爱诗 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速制备磷化钴的方法及其产品，由氯化钴CoCl2·6H2O钴源和次亚磷酸钠NaH2PO2·H2O磷源为原料，称取适量比例的原料溶于去离子水中混合形成前驱液，再与表面活性剂经水热反应一段时间，经离心清洗后制备得到磷化钴。本发明提供的一种快速制备磷化钴的方法及其产品，采用一步水热法制备出磷化钴Co2P产物的理想反应时间为3h，实验反应1h后就出现预期产物，但结晶度低，随着反应时间的延长，晶体生长完整且颗粒均匀，制备工艺简单、成本低，结晶度较高，反应时间短，有可重复性，便于快速获得多面体组成的球形结构的磷化钴。
一种快速制备磷化方法及其产品

[发明专利]一种多层透明导电膜及其制备方法-CN201810269246.7有效
发明人： 李兴鳌;张杰;胡瑞媛;毛巍威;陈爱诗 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag纳米颗粒井然有序且连续性佳，从而改善了Ag层的形貌，降低了Ag层对光的吸收；由上述方法制备的多层透明导电膜，表面电阻降低，导电性和透光性提高。
一种多层透明导电及其制备方法

[发明专利]一种刮涂制备铁酸铋薄膜的方法-CN201610645297.6有效
发明人： 李兴鳌;朱祎祎;毛巍威;马寸亮 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B05D1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种刮涂制备铁酸铋薄膜的方法，通过将铁酸铋粉末分散于醇溶液中，通过后续的超声、分散、刮涂和煅烧过程制备获得铁酸铋薄膜。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)将原来铋位及铁位的一部分离子替换为同价态或离子半径相近的稀土元素及过渡金属，从而抑制铁离子的价态变化导致的氧空位以及铋挥发造成的铋空位的方法，从而达到优化结构，提升性能；(2)操作简单，成本低廉，并且出产率高，所制备的掺杂薄膜较普通的掺杂铁酸铋薄膜，在形貌和成相度方面都有显著的提升，因此利用此方法对铁酸铋进行过渡金属、稀土元素或过渡金属与稀土元素共掺将得到性能更优越的铁酸铋材料，从而提高其在新型电磁材料等领域的应用。
一种制备铁酸铋薄膜方法

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