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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]加工工具中的集成大气等离子体处理站-CN202280005283.1在审
发明人：纳瓦尼塔·克里希南·苏巴扬;帕特里克·利特尔;丹尼尔·马克·丁南;尚蒂纳特·古艾迪 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：大气等离子体处理站集成在半导体加工工具中。大气等离子体处理站直接与半导体加工工具的沉积室相接，而不增加半导体加工工具的占地面积或形状因数。大气压等离子体处理站包括可移动的大气压等离子体源，例如用于扫描衬底表面的线性头。大气等离子体处理站在受控环境中提供封闭空间，非反应性气体流经该封闭空间。可以基于被处理的衬底的表面状况将处理气体供应到线性头。
加工工具中的集成大气等离子体处理

[发明专利]用于管芯级电沉积厚度分布控制的微惰性阳极阵列-CN202280005377.9在审
发明人：史蒂文·T·迈耶;卡利·托尔凯尔森;本杰明·艾伦·哈斯凯尔 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：金属可以使用靠近具有一个或多个管芯的半导体衬底的微惰性阳极阵列，在电镀室中被电镀在半导体衬底上。微惰性阳极阵列包括多个独立可控的微惰性阳极元件。施加到微惰性阳极元件的电流在阵列中提供电流分布，其至少部分基于半导体衬底中的管芯布局，或至少部分基于全局晶片内校正。电流分布可实现电镀厚度均匀，即使半导体衬底的管芯中的特征分布不均匀。在一些实施例中，阵列中的电流分布可以根据半导体衬底的旋转路径，在衬底旋转期间调节。
用于管芯沉积厚度分布控制惰性阳极阵列

[发明专利]用于在电镀期间调整流体动力学的空间及尺寸上非均一槽形板-CN202280005381.5在审
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;加布里埃尔·海·格拉哈姆;布莱恩·L·巴卡柳;罗伯特·拉什;蔡利平;弗雷德里克·迪恩·威尔莫特;林倩倩 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：一种用于电镀设备的离子电阻性离子可渗透元件包含用以在电镀期间调整接近衬底的流体动力环境的肋状物。在一个实施方案中，离子电阻性离子可渗透元件包含至少与衬底的镀覆面共同延伸的槽形部分，以及从槽形部分的面向衬底表面朝向衬底延伸的多个肋状物。肋状物包含具有完整最大高度的第一多个肋状物和具有比完整最大高度更小的最大高度的第二多个肋状物。在一个实施方案中，具有较小最大高度的肋状物安置成使得肋状物的最大高度在从元件的一个边缘到元件的中心的方向上逐渐增加。
用于电镀期间调整流体动力学空间尺寸均一槽形板

[发明专利]用于底座和腔室的热管理的设备-CN202280005395.7在审
发明人：亚伦·布莱克·米勒;亚伦·德宾;拉梅什·钱德拉塞卡拉;布兰得利·泰勒·施特伦 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：设备不仅能够减小来自衬底处理系统的底座的不想要的辐射热损失，而且能够减小辐射热传递到所述衬底处理系统的腔室内的其它组件。
用于底座管理设备

[发明专利]钼的沉积-CN202280005423.5在审
发明人：施卢蒂·维维克·托姆贝尔;纳文·库马尔·马汉德卡;劳伦斯·施洛斯;帕特里克·A·范克利蒙布特 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文提供了沉积钼(Mo)薄膜的方法。所述方法涉及沉积诸如氧化钼、氮化钼或氮氧化钼的含钼(Mo)薄膜的薄层。然后将所述含Mo薄膜转化为元素Mo薄膜。然后可以在所述元素Mo薄膜上沉积本体Mo薄膜。在一些实施例中，工艺在相对低的温度下执行。
沉积

[发明专利]具有可旋转顶板组件的多站工具-CN202180044560.5在审
发明人：卡尔·弗雷德里克·利瑟;阿德里安·拉沃伊 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了具有多站处理室的半导体处理工具，其包括转动轴承机构，该转动轴承机构允许半导体处理工具的顶板组件在维修和保养操作期间转动。在一些实现方案中，可提供竖直位移机构，该竖直位移机构可用于将顶板组件在第一配置与第二配置之间转变，其中顶板组件至少在第二配置中是可转动的。
具有旋转顶板组件工具

[发明专利]半导体制造设备的预测性维护-CN202180044620.3在审
发明人：郭健;萨珊·罗汉姆;卡皮尔·索拉尼;金晓强;米卡尔·达内克;布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯;纳坦·所罗门 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中的各种实施方式涉及用于半导体制造设备的预测性维护系统和方法。在一些实施方式中，预测性维护系统包括处理器，该处理器被配置成：接收指示对应于进行制造工艺的制造设备的历史操作条件和历史制造信息的离线数据；通过使用将离线数据作为输入的训练模型来计算预测设备健康状态信息；接收指示制造设备的当前操作条件的实时数据；通过使用将实时数据作为输入的训练模型来计算估计设备健康状态信息；通过结合预测设备健康状态信息和估计设备健康状态信息来计算调整设备健康状态信息；以及呈现包括制造设备的至少一个部件的预期剩余使用寿命(RUL)的调整设备健康状态信息。
半导体制造设备预测维护

[发明专利]具有氟化铝等离子体暴露表面的远程等离子体源喷头组件-CN202180046549.2在审
发明人：埃里克·A·佩普;孔世钟;潘卡基·哈扎里卡;许临 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C8/08 文献下载
摘要：一种实施氟转化工艺以施加涂层至衬底处理系统的部件的表面的方法包括：将所述部件设置在处理室内；设定所述处理室的至少一个工艺参数；选择含氟气体以与所述部件的表面上的所述部件的所述基材进行反应；以及使所述含氟气体流至所述处理室中持续第一时段。所述含氟气体与所述部件的所述表面上的所述基材进行反应，以在所述表面上形成所述涂层，所述涂层由所述部件的所述基材和氟构成。
具有氟化等离子体暴露表面远程喷头组件

[发明专利]具有受控膜性质和高沉积速率的保形热CVD-CN202180046997.2在审
发明人：阿维尼什·古普塔;巴特·J·范施拉芬迪克;弗兰克·洛伦·帕斯夸里;阿德里安·拉沃伊;詹森·亚历山大·瓦内尔;普兰尼斯·拉玛萨加拉姆;约瑟夫·R·阿贝尔;詹尼弗·利·佩特拉利亚;达斯汀·扎卡里·奥斯丁 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述了用于将介电膜沉积进入半导体衬底上的特征的方法和装置。方法涉及使用具有周期性钝化操作和致密化以调节膜性质的受控热化学气相沉积法来沉积介电膜。
具有受控性质沉积速率保形热 cvd

[发明专利]使用硅烷作为抑制剂的金属氧化物的选择性沉积-CN202180047011.3在审
发明人：卡希什·沙玛;保罗·C·莱曼利;丹尼斯·M·豪斯曼 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本公开内容涉及在表面上进行选择性沉积的方法和装置。具体而言，可使用含硅抑制剂以选择性地结合至第一区域，因而抑制在该第一区域上的材料的沉积。
使用硅烷作为抑制剂金属氧化物选择性沉积

[发明专利]间歇性停滞流-CN202180047012.8在审
发明人：道格拉斯·L·凯尔;爱丽丝·G·霍利斯特;卡尔·弗雷德里克·利瑟 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种从反应室清除残留沉积物的方法包括从远程等离子体源(RPS)通过直接输送将清洗气体供应至所述反应室。所述清洗气体在所述反应室中形成多个气流流线。每个流线起始于用于接收清洗气体的注入点，并终止于耦接至用于排空清洗气体的前线的室泵口。修改所述清洗气体的流动特性，以使所述气流流线的至少一部分重定向，以在所述反应室的内周附近循环，从而清除残留沉积物或加强清洗物向待清洁表面扩散。所述内周沿着所述反应室的一个或多个垂直面设置，所述一个或多个垂直面正交于包括所述注入点的水平面。
间歇性停滞

[发明专利]无外部电压偏置的水溶液中的选择性无电电化学电原子层沉积-CN201880053047.0有效
发明人：安鲁达哈·乔伊;凯拉什·文卡特拉曼;耶兹迪·多尔迪 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C18/54 文献下载
摘要：提供了一种进行无电电化学原子层沉积的方法，并且其包括：提供包括暴露的上金属层的衬底；将所述衬底暴露于第一前体溶液中以经由欠电位沉积在所述暴露的上金属层上产生牺牲金属单层，其中所述第一前体溶液是包含还原剂的水溶液；在形成所述牺牲金属单层之后，漂洗所述衬底；在漂洗所述衬底之后，将所述衬底暴露于第二前体溶液中，以用第一沉积层置换所述牺牲金属单层，以及在用所述第一沉积层置换所述牺牲金属单层之后，漂洗所述衬底。将所述衬底暴露于所述第一前体溶液和将所述衬底暴露于所述第二前体溶液是无电工艺。
外部电压偏置水溶液中的选择性电化学原子沉积

[发明专利]特征中的钼沉积-CN202280005320.9在审
发明人：罗郑硕;施卢蒂·维维克·托姆贝尔;谢耀宗;大卫·约瑟夫·曼迪亚;照健·史蒂文·黎 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供包含使用氯化钼(MoClx)前体沉积薄保护性Mo层的沉积工艺。这可随后为使用卤氧化钼(MoOyXz)前体来填充特征的Mo沉积。保护性Mo层实现使用MoOyXz前体的Mo填充，而不氧化下伏表面。还提供一种原位清洁工艺，其中在沉积之前使用MoClx前体从下伏表面去除氧化物。使用MoClx前体的后续沉积可沉积初始层和/或填充特征。
特征中的沉积

[发明专利]最大限度地减少氧化锡室清洁时间-CN202280005167.X在审
发明人：张净云;何钟硕;刘培基 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文描述的技术涉及用于最小化氧化锡室清洁时间的方法和装置。在许多情况下，该室是用于在半导体衬底上沉积氧化锡的沉积室。该技术涉及将室表面暴露于由包括还原化学物质的第一等离子体产生气体产生的第一等离子体以将氧化锡还原成锡，然后将室表面暴露于由包括还原化学物质的第二等离子体产生气体产生的第二等离子体和有机添加剂化学从室表面去除锡。在一些情况下，用于将氧化锡还原为锡的第一等离子体还包括惰性气体。
最大限度减少氧化清洁时间

[发明专利]非金属掺入介电表面的钼中-CN202280005186.2在审
发明人：劳伦斯·施洛斯;约瑟亚·科林斯;格里芬·约翰·肯尼迪;汉娜·班诺克尔;李尚孝;帕特里克·范克利蒙布特;桑杰·戈皮纳特 -专利权人： 朗姆研究公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本文提供了用于3D‑NAND应用的低电阻金属化堆叠件结构和相关制造方法。在一些实施方案中，薄金属氮氧化物成核层沉积在电介质材料上，随后使用增加氮氧化物‑电介质界面处的非钼组分元素含量的工艺条件沉积纯金属导体。下面描述的方法的某些实施方案将少于所有的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低了电阻率。
非金属掺入表面

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