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- [发明专利]电池组管理系统-CN202280018117.5在审
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榊原努;羽谷尚久;小林仁;三宅二郎;丸山健;长泽俊伸;尾关俊明;森悟朗
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新唐科技日本株式会社
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2022-03-04
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2023-10-27
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H01M10/48
- 电池组管理系统(1)具备：单元监视组件(10)，测定多个蓄电单元(81)的输出电压；电池管理组件(20)，对电池组(8)进行管理；以及第一通信网络(NW1)，将单元监视组件(10)与电池管理组件(20)连接；电池管理组件(20)具有：第一通信电路(21)，与第一通信网络(NW1)连接；第二通信电路(22)，与用来与上位系统(2)连接的第二通信网络(NW2)连接；控制电路(23)，对电池管理组件(20)进行控制；以及控制电路用电源(33)；电池组管理系统(1)作为动作模式而具有通常模式和低耗电模式；第一通信电路(21)，在从低耗电模式向通常模式转移时，使控制电路用电源(33)、控制电路(23)及第二通信电路(22)的至少一个起动。
- 电池组管理系统
- [发明专利]制造方法及半导体装置-CN202280010919.1在审
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堤田和三;上久胜义;村山启一
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新唐科技日本株式会社
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2022-09-27
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2023-10-27
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H01L29/78
- 一种半导体装置(1)的制造方法，包括：对半导体层(40)形成深度H的第1槽(71)的工序；将第1槽(71)用氧化膜填充，在半导体层(40)的上表面形成厚度a的表面氧化膜(34)以使其高度与氧化膜一致的工序；形成距第3氧化膜(7)的最上表面为比a深的深度h的第2槽(72)的工序；对半导体层(40)形成比深度H深的栅极沟槽(17)的工序；堆积多晶硅直到多晶硅至少被填充到栅极沟槽(17)及第2槽(72)中的工序；向堆积在第2槽(72)中的多晶硅注入杂质而形成周边元件(51)的工序；以及将堆积在栅极沟槽(17)中的多晶硅与堆积在第2槽(72)中的多晶硅并行地除去以使其高度一致，使周边元件(51)的厚度与深度h一致的工序。
- 制造方法半导体装置
- [发明专利]电压测定装置-CN202280018111.8在审
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羽谷尚久;森悟朗
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新唐科技日本株式会社
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2022-03-04
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2023-10-24
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G01R19/00
- 电压测定装置(12)具备第一测定电路(31)、第二测定电路(32)、单元平衡开关(360)和修正电路(33)，第一测定电路(31)经由多个第一RC滤波器而与多个第一电池单元(211、212)、汇流条(23)及多个第二电池单元(221、222)连接，第二测定电路(32)经由多个第二RC滤波器而与多个第一电池单元(211、212)、汇流条(23)及多个第二电池单元(221、222)连接，单元平衡开关(360)经由与汇流条(23)连接的两个第二RC滤波器(511、521)而与汇流条(23)并联连接，修正电路(33)利用由第一测定电路(31)得到的汇流条(23)的两端间的电压的测定值而对第二测定电路(32)的测定值进行修正。
- 电压测定装置
- [发明专利]电压测定系统-CN202280018116.0在审
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小久江文昭;羽谷尚久;森悟朗
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新唐科技日本株式会社
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2022-03-04
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2023-10-20
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G01R31/382
- 电压测定系统(10)具备：第一基准信号发送装置(通信装置30)，具有生成第一主时钟信号的第一主振荡器(36)和基于第一主时钟信号生成第一基准信号的第一基准信号生成电路(33)；以及第一电压测定装置(40)，具有第一副振荡器(46)、基于第一基准信号来校正第一副振荡器(46)的振荡频率的第一校正电路(43)、和第一电压测定电路(48)；电压测定系统(10)具有：通常模式，在第一基准信号发送装置(通信装置30)与第一电压测定装置(40)之间收发命令信号；以及校正模式，将第一基准信号从第一基准信号发送装置(通信装置30)向第一电压测定装置(40)发送，利用第一基准信号，使第一副振荡器(46)的振荡频率与第一主振荡器(36)的振荡频率同步。
- 电压测定系统
- [发明专利]高频功率放大器件-CN202280009631.2在审
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大桥一彦;上谷昌稔
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新唐科技日本株式会社
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2022-02-17
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2023-10-20
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H03F1/26
- 高频功率放大器件(200)具备：第二高频信号线(2)，向多层安装台基板(100)的第一主面(101)的载波放大器半导体器件(11)、峰值放大器半导体器件(12)、偏置电源半导体器件(13)及载波放大器半导体器件(11)或峰值放大器半导体器件(12)传输高频信号；以及载波放大器用偏置电源线(31)，在第三布线层(105)上布线，并供给偏置电源电压。第二高频信号线(2)与载波放大器用偏置电源线(31)在平面图中交叉，具备：作为接地电位的屏蔽图案(121)，在第一布线层(103)与第三布线层(105)之间的第二布线层(104)上；以及1个以上的连接导孔(131)，沿着载波放大器用偏置电源线(31)的延伸方向设置，1个以上的连接导孔(131)与屏蔽图案(121)连接。
- 高频功率放大器
- [发明专利]氮化物系半导体发光元件-CN202280014555.4在审
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高山彻
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新唐科技日本株式会社
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2022-01-31
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2023-10-17
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H01S5/20
- 氮化物系半导体发光元件(100)具备半导体层叠体(100S)，半导体层叠体(100S)具有：N型第1包覆层(102)、N侧引导层(104)、活性层(105)、P侧第1引导层(106)、P侧第2引导层(107)、以及P型包覆层(110)，P侧第2引导层(107)的带隙能量比N侧引导层(104)的带隙能量大，N侧引导层(104)的带隙能量为P侧第1引导层(106)的带隙能量以上，在将P侧第1引导层(106)的膜厚设为Tp1、将P侧第2引导层(107)的膜厚设为Tp2、将N侧引导层(104)的膜厚设为Tn1时，满足Tn1＜Tp1+Tp2的关系。
- 氮化物半导体发光元件
- [发明专利]固体摄像装置以及摄像装置-CN201880026518.9有效
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清水祐介;小野泽和利
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新唐科技日本株式会社
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2018-04-12
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2023-10-13
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H01L27/146
- 固体摄像装置(1)具备：第一半导体基板(10)，具有多个像素呈矩阵状地配置的像素阵列部(12)、以及第一连接部(130)；和第二半导体基板(20)，具有由用于与外部电连接的多个焊盘电极(259)构成的焊盘部(250)、以及第二连接部(230)，对上述像素阵列部(12)进行控制。上述第一半导体基板(10)与上述第二半导体基板(20)层叠并且接合，上述第一连接部(130)与上述第二连接部(230)电连接，上述第一半导体基板(10)是与上述第二半导体基板(20)实质上相同的尺寸，仅在上述第二半导体基板(20)具有上述焊盘电极(259)。
- 固体摄像装置以及
- [发明专利]半导体装置-CN202280007312.8有效
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田口晶英;安田英司
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新唐科技日本株式会社
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2022-07-21
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2023-09-29
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H01L29/78
- 半导体装置(1)，具有在平面视图中为矩形形状的半导体层(40)、形成在第1区域(A1)中的晶体管(10)和形成在第2区域(A2)中的漏极上拉区域(38)；边界线(90)是与半导体层(40)的长边并行的一直线状；第1区域(A1)具有多个源极焊盘(116)及栅极焊盘(119)；第2区域(A2)具有多个漏极焊盘(141)；1个栅极焊盘(119)以在与一方的长边(91)及一方的短边(93)之间完全不夹着其他的源极焊盘(116)的方式配置；1个漏极焊盘(142)是与1个栅极焊盘(119)相同的形状，接近于第2顶点(99)而配置；在多个源极焊盘(116)中，包括长边方向与半导体层(40)的长边平行的长方形或长圆形的源极焊盘。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体激光器元件-CN202180091975.8在审
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久纳康光;山田笃志;永井洋希;中谷东吾;柳田直人;畑雅幸
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新唐科技日本株式会社
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2021-12-22
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2023-09-12
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H01S5/22
- 半导体激光器元件(10)具备基板(21)和半导体层叠体(10S)，半导体层叠体(10S)具有N侧半导体层(22)、活性层(23)、P侧半导体层(24)和P型接触层(25)，半导体层叠体(10S)具有两个端面，激光在两个端面之间谐振，半导体层叠体(10S)具有在谐振方向上延伸的脊部(20r)、和在半导体层叠体(10S)的俯视图中将脊部(20r)的周围包围的底部(20b)，脊部(20r)从底部(20b)朝向上方突出并从两个端面离开，并且包含P型接触层(25)的至少一部分，在半导体层叠体(10S)的上表面中，仅在脊部(20r)上形成作为被注入电流的区域的电流注入窗(25a)，从活性层(23)的上表面到底部(20b)的距离是均匀的。
- 半导体激光器元件
- [发明专利]半导体装置-CN202180050391.6有效
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太田朋成;田口晶英;中山佑介;中村浩尚
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新唐科技日本株式会社
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2021-10-21
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2023-09-08
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H01L29/78
- 在第1沟槽(17)延伸的第1方向(Y方向)上交替地且周期性地设置有第1源极区域(14)、和第1体区域(18)与第1源极电极(11)连接的第1连接部(18A)的第1纵型场效应晶体管(10)中，设第1方向上的第1源极区域(14)的长度为LS[μm]，设第1方向上的第1连接部(18A)的长度为LB[μm]，则LS相对于LB的比是1/7以上且1/3以下，对于以第1源极电极(11)的电位为基准向第1栅极导体(15)施加的半导体装置(1)的规格值的电压VGS[V]，LB≤－0.024×(VGS)2+0.633×VGS－0.721成立。
- 半导体装置
- [发明专利]发光装置-CN202011048773.9有效
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小原正美;林茂生
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新唐科技日本株式会社
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2020-09-29
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2023-08-04
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H01L33/54
- 发光装置(10)具备：安装面(170)的安装基板(110)；被配置在安装面(170)的发光元件(120)；被配置在发光元件(120)上的光透射部件(130)；以及覆盖发光元件(120)的侧面(180)以及光透射部件(130)的侧面(181)的树脂部件(160)。树脂部件(160)具有，覆盖光透射部件(130)的最上面(190)的外缘部的覆盖部(250)。从安装面(170)到覆盖部(250)的最上部的高度(A1)，比从安装面(170)到光透射部件(130)的最上面(190)的高度(A2)大。光透射部件(130)的最上面(190)具有，从树脂部件(160)露出的露出区域(260)。
- 发光装置
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