专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电池组管理系统-CN202280018117.5在审
  • 榊原努;羽谷尚久;小林仁;三宅二郎;丸山健;长泽俊伸;尾关俊明;森悟朗 - 新唐科技日本株式会社
  • 2022-03-04 - 2023-10-27 - H01M10/48
  • 电池组管理系统(1)具备:单元监视组件(10),测定多个蓄电单元(81)的输出电压;电池管理组件(20),对电池组(8)进行管理;以及第一通信网络(NW1),将单元监视组件(10)与电池管理组件(20)连接;电池管理组件(20)具有:第一通信电路(21),与第一通信网络(NW1)连接;第二通信电路(22),与用来与上位系统(2)连接的第二通信网络(NW2)连接;控制电路(23),对电池管理组件(20)进行控制;以及控制电路用电源(33);电池组管理系统(1)作为动作模式而具有通常模式和低耗电模式;第一通信电路(21),在从低耗电模式向通常模式转移时,使控制电路用电源(33)、控制电路(23)及第二通信电路(22)的至少一个起动。
  • 电池组管理系统
  • [发明专利]半导体装置-CN202210076987.X在审
  • 杉山亨;吉冈启;洪洪;矶部康裕;小林仁 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-01-24 - 2023-03-17 - H01L25/16
  • 实施方式提供一种能够抑制因漏极电极与基板之间的基板电容引起的振铃的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:第一端子;第二端子;第一芯片,具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容;以及电阻部,串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110842710.9在审
  • 吉冈启;洪洪;矶部康裕;杉山亨;小林仁 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-07-26 - 2022-10-14 - H01L29/778
  • 提供降低了输出电容的半导体装置,具备:基板;第一氮化物半导体层,设置于基板上;第二氮化物半导体层,设置于第一氮化物半导体层的上方,带隙比第一氮化物半导体层大;第一布线,设置于第二氮化物半导体层的上方,沿第一方向延伸;第一源极电极及第一栅极电极,设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸,第一源极电极与第一布线电连接;及第一漏极电极,具有:沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域,在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔,第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110842431.2在审
  • 小林仁;矶部康裕;洪洪 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-07-26 - 2022-09-27 - H01L29/778
  • 实施方式提供可靠性出色的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:半导体层,具有元件区域和元件分离区域;第一绝缘膜,设置在半导体层上;第一电极,设置在第一绝缘膜上,并沿第一方向延伸;第二电极,设置在半导体层上,在与第一方向交叉的第二方向上排列并沿第一方向延伸;第三电极,设置在半导体层上,在第二方向上排列并沿第一方向延伸;第二绝缘膜,设置在第一绝缘膜与半导体层之间,沿第二方向夹着第三电极;第一场板电极,设置在第一电极上,与第一电极连接;第二场板电极,设置在第一场板电极上,与第二电极连接;以及第三场板电极,设置在第三电极上,与第三电极连接。第二绝缘膜从元件分离区域上延伸至元件区域上的一部分。
  • 半导体装置
  • [发明专利]电动车辆-CN202210457207.6在审
  • 小林仁 - 丰田自动车株式会社
  • 2019-07-25 - 2022-07-22 - B62D25/08
  • 本发明提供一种电动车辆,具备蓄电装置、前舱、供电口及外部供电装置。上述蓄电装置构成为对行驶用的电动机供给电力。上述前舱设于比上述电动车辆的车室靠上述电动车辆的前方侧。上述供电口构成为设于上述前舱并连接供电线缆。上述外部供电装置构成为从上述供电口向上述电动车辆的外部供给上述蓄电装置的电力。
  • 电动车辆
  • [发明专利]电动车辆-CN201910675604.9有效
  • 小林仁 - 丰田自动车株式会社
  • 2019-07-25 - 2022-05-24 - B62D25/08
  • 本发明提供一种电动车辆,具备蓄电装置、前舱、供电口及外部供电装置。上述蓄电装置构成为对行驶用的电动机供给电力。上述前舱设于比上述电动车辆的车室靠上述电动车辆的前方侧。上述供电口构成为设于上述前舱并连接供电线缆。上述外部供电装置构成为从上述供电口向上述电动车辆的外部供给上述蓄电装置的电力。
  • 电动车辆
  • [发明专利]蓄电系统、蓄电装置以及充电方法-CN202080058370.4在审
  • 小林仁 - 新唐科技日本株式会社
  • 2020-09-03 - 2022-04-01 - H02J7/04
  • 蓄电系统(1)具备:蓄电装置(100),具备包含串联连接的多个蓄电单元的电池组(101);以及充电装置(200),向蓄电装置(100)供给充电电流,该蓄电系统(1)具备:交流叠加电路(148),属于蓄电装置(100)和充电装置(200)中的一方,在充电电流上叠加交流电流;复阻抗测定部(110),属于蓄电装置(100),测定被叠加的交流电流的电流值和各个蓄电单元(B0~B5)的电压值,并根据测定出的电流值和测定出的电压值,测定各个蓄电单元的复阻抗;以及充电控制部,属于蓄电装置(100)和充电装置(200)中的一方,基于复阻抗来控制充电电流。
  • 系统装置以及充电方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202110016194.4在审
  • 小林仁 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-01-07 - 2022-03-29 - H01L23/485
  • 一种可靠性优异的半导体装置,具备具有半导体层的半导体元件及设在半导体元件上的布线层,布线层具有第一至第三电极、绝缘膜、第一及第二电极焊盘,第一至第三电极位于半导体元件与绝缘膜之间,第二电极和第一电极焊盘绝缘,第一电极和第二电极焊盘绝缘,第一电极和第一电极焊盘电连接,第二电极和第二电极焊盘电连接,从第一电极和第一电极焊盘连接的部分的第一电极焊盘的第一面到半导体层的距离比从第二电极和第一电极焊盘绝缘的部分的第一电极焊盘的第一面到半导体层的距离大,从第二电极和第二电极焊盘连接的部分的第二电极焊盘的第一面到半导体层的距离比从第一电极和第二电极焊盘绝缘的部分的第二电极焊盘的第一面到半导体层的距离大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110022665.2在审
  • 大野哲也;吉冈启;杉山亨;洪洪;矶部康裕;小林仁 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-01-08 - 2022-03-29 - H01L29/778
  • 提供可靠性优异的半导体装置,从下到上具备:第一氮化物半导体层、带隙更大的第二氮化物半导体层、电连接于第一氮化物半导体层的第一电极,还具备:第一氮化物半导体层之上且与其电连接的第二电极;第一电极与第二电极间的栅极电极;栅极电极上且与其电连接的栅极场板电极;第一场板电极,位于第二氮化物半导体层上且栅极场板电极与第二电极间,与第一电极电连接;以及位于第一场板电极与栅极场板电极间且与第一电极电连接的第二场板电极。第二场板电极的底面与第一氮化物半导体层的距离,比栅极场板电极的最向第二电极侧突出的部分的底面与第一氮化物半导体层的距离短,比第一场板电极的第一电极侧的端面的底部与第一氮化物半导体层的距离短。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110023207.0在审
  • 吉冈启;矶部康裕;洪洪;小林仁;大野哲也;杉山亨 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-01-08 - 2022-03-15 - H01L29/778
  • 提供输出电容小的半导体装置,从下到上具备:基板;第一氮化物半导体层;带隙更大的第二氮化物半导体层;第一源极电极;第二源极电极,还具备:设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极;设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极;漏极电极,设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上,具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线;以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。
  • 半导体装置

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