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[发明专利]固体摄像装置以及摄像装置-CN201880026518.9有效
发明人：清水祐介;小野泽和利 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像装置(1)具备：第一半导体基板(10)，具有多个像素呈矩阵状地配置的像素阵列部(12)、以及第一连接部(130)；和第二半导体基板(20)，具有由用于与外部电连接的多个焊盘电极(259)构成的焊盘部(250)、以及第二连接部(230)，对上述像素阵列部(12)进行控制。上述第一半导体基板(10)与上述第二半导体基板(20)层叠并且接合，上述第一连接部(130)与上述第二连接部(230)电连接，上述第一半导体基板(10)是与上述第二半导体基板(20)实质上相同的尺寸，仅在上述第二半导体基板(20)具有上述焊盘电极(259)。
固体摄像装置以及

[发明专利]固体摄像装置以及摄像装置-CN202180013545.4在审
发明人：网川裕之;生熊诚;小野泽和利 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像装置(100)具备：光电转换元件(120)，被形成在半导体衬底(150)，对通过光电转换而生成的信号电荷进行蓄积；第1扩散层(FD1)，对从光电转换元件(120)传输的信号电荷进行保持；电容元件(126)，对从光电转换元件(120)溢出的信号电荷进行保持；放大晶体管(124)，输出与第1扩散层(FD1)的信号电荷量相应的信号；与第1扩散层(FD1)连接的触点(c1)、与所述放大晶体管(124)的栅极连接的触点(c2)、以及对触点(c1)与触点(c2)进行连接的第1布线(w1)，半导体衬底(150)与第1布线(w1)的最短距离，比半导体衬底(150)与电容元件(126)的最短距离小。
固体摄像装置以及

[发明专利]固体摄像装置及使用该固体摄像装置的摄像装置-CN202080039147.5在审
发明人：生熊诚;网川裕之;小野泽和利 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H04N5/347 文献下载
摘要：固体摄装置具备：溢出元件群，积蓄在光电二极管(PD)中溢出的信号电荷；以及浮动扩散层(FD)，有选择地保持从光电二极管(PD)传输来的信号电荷及从溢出元件群传输来的信号电荷；溢出元件群以溢出元件(OF1)和积蓄电容元件(C1)为1组，由串联地级联连接的m组(m≥2)构成；溢出元件(OF1～OFm)将在光电二极管(PD)中溢出的信号电荷或前级的积蓄电容元件(C1)的信号电荷向与该溢出元件(OF1～OFm)相同的组内的积蓄电容元件(C1～Cm)传输。
固体摄像装置使用

[发明专利]固体摄像装置、摄像装置以及摄像方法-CN202080039757.5在审
发明人：网川裕之;生熊诚;小野泽和利 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：像素单元(101)被配置成矩阵状的固体摄像装置(100)，像素单元(101)具备：第1光电二极管(120)，蓄积通过光电转换而生成的信号电荷；作为第1保持部的第2光电二极管(126)，保持从第1光电二极管(120)溢出的信号电荷；第2保持部(127)；第1传输晶体管(130)，将第2光电二极管(126)中保持的信号电荷传输给第2保持部(127)。
固体摄像装置以及方法

[发明专利]固体摄像装置以及内窥镜相机-CN201980040652.9在审
发明人： 小野泽和利 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：固体摄像装置(1)具备具有接受入射光的受光部(11)的第一半导体基板(1A)、和具有处理来自受光部(11)的信号而生成图像信号的图像处理电路(12)的第二半导体基板(1B)，第二半导体基板(1B)具备具有保存使用履历数据的区域的非易失性存储器(14)、和当在非易失性存储器(14)中保存有使用履历数据时限制图像信号的输出的控制电路(使用履历担保电路)(13)。
固体摄像装置以及内窥镜相机

[发明专利]固体摄像装置-CN201280045139.7有效
发明人：香山信三;小野泽和利 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：在本公开的固体摄像装置的多个单位单元的各单位单元中，在多个单位单元中的第一单位单元（201）中，由聚光元件，以使射入受光元件的光的光量在光按第一入射角度射入时成为最大的方式来进行聚光，在多个单位单元中的与第一单位单元（201）相邻的第二单位单元（202）中，由聚光元件，以使射入受光元件的光的光量在光按第二入射角度射入时成为最大的方式来进行聚光，在第一单位单元（201）中，当光按第三入射角度射入时射入受光元件的光的光量和，在第二单位单元（202）中，当光按第三入射角度射入时射入受光元件的光的光量是相等的，第一入射角度比第三入射角度大规定的量，第二入射角度比第三入射角度小上述规定的量。
固体摄像装置

[发明专利]固体摄像元件以及摄像装置-CN201280031195.5有效
发明人：薄田学;斋藤繁;田中圭介;小野泽和利 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：在本发明的固体摄像元件，单位像素（3）的聚光元件（11）具有以射入单位像素（3）的受光元件（14）的光的波长以下的线宽被分离的、以相对于聚光元件（11）的受光面垂直方向的轴为中心的同心结构的多个光透过膜（33），并具有由多个光透过膜（33）的组合所控制的有效折射率分布，同心结构的多个光透过膜（33）的外缘的形状在受光面上为，与同心结构的中心最近的光透过膜（33）呈正圆、与同心结构的中心远离的光透过膜（33）呈椭圆，椭圆的长轴相对于短轴的比率为，越是与同心结构的中心远离的光透过膜（33）的外缘的形状比率越高，多个单位像素（3）各自的椭圆的长轴方向，在受光面上与连接多个单位像素各自的同心结构的中心和固体摄像元件的中心的矢量相正交。
固体摄像元件以及装置

[发明专利]立体摄像装置-CN201280015564.1有效
发明人：薄田学;小野泽和利;藤原一夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01C3/06 文献下载
摘要：立体摄像装置(100)具备：第一摄像机(C1)，生成用于计算表示被摄体的立体形状的第一距离图像的基准图像；第二摄像机(C2)，生成用于计算第一距离图像的参考图像；立体匹配部(3)，搜索基准图像与参考图像之间的对应像素，根据该对应像素计算视差，生成第一距离图像；以及光源(1)，向被摄体照射强度调制后的红外光，第一摄像机(C1)，将由被摄体反射的、强度调制后的红外光的反射光，与该强度调制同步来接受，从而还生成包含距被摄体的反射点的距离信息的第二距离图像。
立体摄像装置

[发明专利]氮化物半导体激光元件-CN200980108300.9无效
发明人： 小野泽和利;田村聪之;春日井秀纪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及的氮化物半导体激光元件具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层(106)；和形成在活性层(106)上，具有使电流选择性地向活性层(106)流动的开口部(109a)的电流缩窄层(109)；在将开口部(109a)与电流缩窄层(109)之间的有效折射率差设为Δn、将从活性层(106)发出的激光之中被封闭在活性层(106)中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。
氮化物半导体激光元件

[发明专利]相机模块以及制造相机模块的方法-CN200880022150.5无效
发明人：德田公男;小野泽和利 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-10-02 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：提供了一种小尺寸和低高度的相机模块。相机模块(100)包括结合的固态成像器件(1)和成像透镜，以便在透镜和固态成像器件(1)之间具有空隙。成像透镜被配置以形成同心圆结构的折射率分布(3)，以便将光线会聚到固态成像器件(1)的成像区。
相机模块以及制造方法

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200980000087.X无效
发明人： 小野泽和利;田村聪之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括：主面的晶面方位为(1-100)的基板(11)，形成在基板(11)上且具有条状光波导部的半导体叠层体(12)，以及形成在基板(11)上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部(13)。出射端面的晶面方位为(000-1)。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03147458.6无效
发明人： 小野泽和利;上田哲三;上田大助 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。
半导体装置制造方法

[发明专利]固体摄像元件-CN200810178323.4无效
发明人： 小野泽和利 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G02B7/02 文献下载
摘要：提供一种固体摄像元件等，从广角到长焦，即使在将需要更换各种镜头的单反相机中的摄像透镜用于数码相机等时，也可以得到就连周边部都会比较亮的图像。具有聚光元件(1)的单位像素被排列为二维的固体摄像元件，其中，一个单位像素中的所述聚光元件(1)由多个同心结构的圆弧状的聚光元件的组合形成，所述多个同心结构以该聚光元件的受光面的垂直方向上的轴为中心轴；并且，所述圆弧状的聚光元件以与入射光的波长同等程度或比入射光的波长短的宽度的带区域而被分割，所述多个所述同心结构互不相同。入射到单位像素的光即使从广角入射变化为远心(光轴与主光线几乎平行)入射，也可以在拍摄时使周边部都变得比较亮。
固体摄像元件

[发明专利]改进读信号特性的光学头-CN200580041365.8无效
发明人： 小野泽和利;山中一彦;东条友昭;奥田拓也;井岛新一;久保淳一 -专利权人：松下电器产业株式会社;纳卢克斯株式会社
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G11B7/135 文献下载
摘要：在一种可操作用于从光学记录介质读取和向光学记录介质记录的光学头中，由第一反射镜将由光发射元件发射的光束反射向光发射元件，并且由第二反射镜将该反射的光束反射向光学记录介质，并且将其聚焦到光学记录介质的记录表面上。在这种情况下，第一反射镜阻挡了从第二反射镜向光学记录介质传播的光束的主光线，并且第二反射镜包括以光束的主光线为中心的、并且彼此分离预定间隔的多个同心环形镜。
改进信号特性光学

[发明专利]聚光元件、固体摄像器件及其制造方法-CN200580026622.0有效
发明人：岁清公明;小野泽和利;上田大助;河原卓 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明实现也对应于焦距较短的光学系统(入射角θ较大的光学系统)并且高灵敏度的固体摄像器件。各像素(尺寸□2.8mm)由梯度折射率透镜(1)、G用滤色片(2)、Al布线(3)、信号传送部(4)、平坦化层(5)、受光元件(Si光敏二极管)(6)、Si基板(7)构成。梯度折射率透镜的同心圆结构由折射率不同的4种材料TiO₂(n＝2.53)、SiN(n＝2.53)、SiO₂(n＝2.53)、空气(n＝1)构成，相邻的圆形透光膜的外周的半径差为100nm。并且，膜厚为0.4μm。
聚光元件固体摄像器件及其制造方法

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