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[发明专利]高频功率放大器件-CN202280009631.2在审
发明人： 大桥一彦;上谷昌稔 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：高频功率放大器件(200)具备：第二高频信号线(2)，向多层安装台基板(100)的第一主面(101)的载波放大器半导体器件(11)、峰值放大器半导体器件(12)、偏置电源半导体器件(13)及载波放大器半导体器件(11)或峰值放大器半导体器件(12)传输高频信号；以及载波放大器用偏置电源线(31)，在第三布线层(105)上布线，并供给偏置电源电压。第二高频信号线(2)与载波放大器用偏置电源线(31)在平面图中交叉，具备：作为接地电位的屏蔽图案(121)，在第一布线层(103)与第三布线层(105)之间的第二布线层(104)上；以及1个以上的连接导孔(131)，沿着载波放大器用偏置电源线(31)的延伸方向设置，1个以上的连接导孔(131)与屏蔽图案(121)连接。
高频功率放大器

[发明专利]功率放大装置-CN202080025389.9有效
发明人： 大桥一彦;上谷昌稔;山本兴辉 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：功率放大装置(100)具有：第1半导体芯片(103)，具有第1主面(301)以及第2主面(302)；第1场效应晶体管；第1漏极指状部(21)、多个第1栅极指状部(11)以及源极指状部(31)；底座基板(101)，具有第3主面(303)以及第4主面(304)；以及第1填充孔(108)，被设置成从第3主面(303)贯通到第4主面(304)，在平面图中，第1填充孔(108)的形状为长方形，第1填充孔(108)的长边方向被设置成与多个第1栅极指状部(11)的长边方向并排，在平面图中，第1填充孔(108)被设置在，与多个第1栅极指状部(11)中的一个第1栅极指状部(11)的一部分重叠的位置。
功率放大装置

[发明专利]高频装置-CN200410003528.0无效
发明人：山本兴辉;吉川则之;大桥一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本高频装置是在表面设有接地图形的电路基板的正面配置高频电路器件和传送线路，在电路基板上固定金属屏蔽罩以覆盖配置高频电路器件和传送线路。金属屏蔽罩由盖板和接地侧壁构成，该盖板被配置在高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被接合到电路基板的接地图形上，接地侧壁以外的侧面呈开放状。
高频装置