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- [发明专利]一种超结MOSFET器件及其加工方法-CN202311007239.7有效
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李睿;王思亮;马克强;胡敏
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成都森未科技有限公司
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2023-08-11
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2023-10-20
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H01L29/06
- 本发明涉及一种超结MOSFET器件及其加工方法，超结MOSFET器件至少包括衬底结构、耐压区和槽型栅极结构，耐压区设置在衬底结构上，耐压区至少包括属于第一导电类型的至少一个第一耐压区和属于第二导电类型的至少一个第二耐压区，槽型栅极结构设置在耐压区中的第一耐压区的顶部，第二耐压区内设置有至少一个第三耐压区；第一耐压区顶部设置有第一基区和第二基区，第二耐压区顶部未设置第一基区和第二基区，使得第二耐压区顶部区域形成凹槽结构；第二耐压区顶部区域设置有至少一层截止层使得第二耐压区的顶部空间区域形成凹面结构。针对超结MOSFET器件的反向恢复变硬、软度因子过小的缺陷，本发明降低了体二极管体内的非平衡载流子的数量；还增大了软度因子。
- 一种mosfet器件及其加工方法
- [发明专利]一种自对准沟槽栅结构IGBT-CN202310353311.5在审
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胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉
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成都森未科技有限公司
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2021-11-25
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2023-09-15
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H01L29/739
- 本发明涉及一种自对准沟槽栅结构IGBT，至少包括衬底(100)，所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a(101)，所述衬底上部设置有至少一根沟槽，所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a(101)，所述沟槽内设置有第一绝缘介质层(302)，所述第一绝缘介质层(302)内设置有第一导电层(201)，所述第一绝缘介质层(302)顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层(302)的第二绝缘介质层(303)，所述第二绝缘介质层(303)被刻蚀形成侧墙，所述第二绝缘介质层(303)在工艺过程成中起到掩膜的作用。本发明通过第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和第三绝缘介质层的材料属性和功能属性不同的特点，无需光刻制备出高密度的元胞结构，突破光刻限制。
- 一种对准沟槽结构igbt
- [发明专利]一种沟槽栅型IGBT-CN202310160351.8在审
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李睿;马克强;蒋兴莉
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成都森未科技有限公司
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2023-02-23
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2023-06-06
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H01L29/739
- 本发明涉及一种沟槽栅型IGBT。沟槽栅型IGBT至少包括第一类沟槽和P型掺杂深结区。在第一类沟槽与P型掺杂深结区之间还额外设置有第二类沟槽。第二类沟槽用于减缓或隔绝P型掺杂深结区对第一类沟槽的充电。本发明在带来IGBT开启阶段时增加少量延迟的情况下，实现功耗大幅降低，同时提高IGBT器件的开关可控性。由于IGBT器件一般为大功率器件，在保证延迟时间增加在可接受范围内的情况下，去大幅减小IGBT的功耗，是非常重要的技术手段。本发明带来的IGBT器件开关可控性的提高还能够避免IGBT器件的误开启，同时避免在某些情况下，IGBT出现开关振荡的问题。
- 一种沟槽igbt
- [发明专利]一种智能功率器件测试系统及方法-CN202310159255.1在审
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熊向杰;杨丹丹;张佳莹
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成都森未科技有限公司
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2023-02-23
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2023-05-05
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G01R31/26
- 本发明涉及一种智能功率器件测试系统及方法，系统至少包括处理单元、电流监控单元、门极驱动单元和信号发生单元，电流监控单元、门极驱动单元和信号发生单元分别与处理单元，处理单元被配置为：基于电流监控单元采集的电流信号检测实时电流斜率参数的变化，在实时电流斜率参数大于预设电流斜率的情况下，向门极驱动单元发出与关断主回路相关的驱动指令，使得被测试的功率器件的主回路被切断，其中，信号发生单元基于驱动指令的接收发出示波器采集功率器件的相关测试信号的触发信号。本发明采用斜率方式能更快发现故障发生的时刻，而不必等到电流超过设定值，故采用斜率方式进行电流保护能够更快动作，避免切断动作的延迟。
- 一种智能功率器件测试系统方法
- [发明专利]一种IGBT器件母排连接结构及方法-CN202310160352.2在审
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孙燥;李润;何雨龙
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成都森未科技有限公司
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2023-02-23
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2023-05-02
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G01R1/04
- 本发明涉及一种IGBT器件母排连接结构及方法。连接结构至少包括短接块和接触弹簧；至少两个接触弹簧以分别贴合母排和测试夹具的方式减小或隔绝连接结构中的杂散电感；其中，母排和测试夹具形成的电路回路在接触弹簧的贴合下在平行叠层中连接。本发明通过设置的短接块和接触弹簧将电路回路在平行叠层连接，并且将电流传感器罗氏线圈叠加，从而缩短电流回路长度，以最小化回路长度、最大限度地减小寄生电感以及尽可能地消除杂散磁场的方式来实现杂散电感的减少。杂散电感的减少能够减小在IGBT器件中，较大di/dt关断时产生的尖峰电压，防止IGBT器件被击穿，增加IGBT器件的使用寿命和开关损耗。较低的杂散电感还使得在IGBT器件动态测试中测得的动态参数更准确。
- 一种igbt器件连接结构方法
- [实用新型]一种功率模块测试夹具-CN202222056039.8有效
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李润;余敬垟;杨丹丹;何雨龙
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成都森未科技有限公司
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2022-08-05
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2022-12-09
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G01R1/04
- 本实用新型提供的功率模块测试夹具，涉及测试夹具领域。该功率模块测试夹具包括夹钳压扣、测试板组件、上绝缘板、左支撑铝板、右支撑铝板、气缸安装铝板、下绝缘板、模块定位板和驱动气缸；测试板组件安装在上绝缘板，且夹钳压扣能够压扣测试板组件；上绝缘板、左支撑铝板、右支撑铝板以及气缸安装铝板围成空间；模块定位板和下绝缘板均位于空间内，模块定位板用于定位待测试的功率模块；驱动气缸与下绝缘板传动连接，以使模板定位板以及安装在模板定位板上的功率模块朝向或背离测试板组件运动，并使功率模块与测试板组件对接测试。本实用新型能够实现对功率模块的测试，具有良好的测试准确性和统一性，并具有通用性强的特点。
- 一种功率模块测试夹具
- [实用新型]一种用于高压大容量储能开关及保护的电路-CN202122796200.0有效
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孙燥
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成都森未科技有限公司
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2021-11-16
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2022-05-06
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H02M1/088
- 本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种用于高压大容量储能开关及保护的电路，包括一部分IGBT开关相互并联形成并联驱动回路和另一部分IGBT开关相互串联形成串联驱动回路；所述并联驱动回路和串联驱动回路均与被测试器件的上管与下管相连，所有的IGBT开关各自与一个电容串联，且每个电容均与一个电源相连，模拟信号电源与IGBT开关的发射极相连，模拟信号地与IGBT开关的集电极相连。本申请采用了串联驱动回路和并联驱动回路相结合的方式开关及保护功能，其中对于串并联而言，低压电源可形成高压，并且由于器件应力更好，会使得大电流下短路能得到及时保护；还能够减小测试杂散电感，扩展性强。
- 一种用于高压容量开关保护电路
- [实用新型]一种自对准分离栅极结构-CN202122903859.1有效
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胡强;杨柯;马克强;王思亮;蒋兴莉
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成都森未科技有限公司
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2021-11-25
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2022-05-06
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H01L29/423
- 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种自对准分离栅极结构，其包括衬底，衬底上方设置有第二导电类型，衬底正面的上部设置有多根沟槽，且沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型，沟槽底部设置有第一绝缘层，第一绝缘层上方连接有第二绝缘层，第二绝缘层突出于第二导电类型顶部，第二绝缘层的上方连接有宽度大于第二绝缘层的第三绝缘层，在第二绝缘层长度方向贯穿有与其长度一致的第一导电层，第三绝缘层与第二导电类型之间设置有第一导电类型。本申请通过在器件沟槽内引入双分裂的分立栅电极以及栅电极下方的厚绝缘介质层，在不影响IGBT器件开启阈值电压和开通的情况下，降低米勒电容Cgc，提高了器件的开关速度，从而降低器件动态损耗。
- 一种对准分离栅极结构
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