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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种自对准微沟槽结构及其制备方法-CN202311076189.8在审
发明人：马克强;王思亮;杨柯;李睿;刘粮恺;胡敏;向奕 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准微沟槽结构及其制备方法，微沟槽结构包括：具有相对的第一表面和第二表面的衬底，布置于衬底的第一表面的第一半导体；若干开设于第一半导体和衬底的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽内表面的第一绝缘介质层以及布置在栅极沟槽内的第一导电层，与第一导电层绝缘隔离的第二导电层，其中，布置在若干栅极沟槽内的第一导电层以并行方式排列布置，第二导电层和第一半导体通过设置在栅极沟槽之间并与第一半导体对齐布置的金属电极接触孔来实现连接。本申请的微沟槽结构及其制备方法用于解决微沟槽结构的自对准及对准调整问题，适用于微沟槽栅IGBT，可通过自对准工艺和硬质掩膜工艺来制备自对准的微沟槽结构并提升器件的可制造性。
一种对准沟槽结构及其制备方法

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