“怡利·Y·叶”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在促进扩散环境中在过大气压力工艺中的缝修复方法-CN201780032897.8有效
发明人：贝纳切克·梅巴克;肖恩·S·康;基思·塔特森·王;任河;梅裕尔·B·奈克;怡利·Y·叶;斯里尼瓦斯·D·内曼尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。
促进扩散环境大气压力工艺中的修复方法

[发明专利]氮化硅膜的高压处理-CN201880034510.7有效
发明人：基思·塔特森·王;肖恩·S·康;斯里尼瓦斯·D·涅曼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。
氮化高压处理

[发明专利]用于先进CMP及凹槽流的间隙填充膜改性-CN201680052233.3有效
发明人：埃莉卡·陈;卢多维克·戈代;斯里尼瓦斯·D·涅曼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。
用于先进 cmp 凹槽间隙填充改性

[发明专利]用于光刻胶图案化的光刻处理窗增强-CN202180019576.0在审
发明人：戴辉雄;芒格什·阿肖克·邦阿;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;克里斯托弗·S·恩盖;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：一种用于在光刻处理期间增强焦深处理窗的方法包括在设置在基板上的材料层上施加包括光酸产生剂的光刻胶层，在光刻曝光处理中，使未受光掩模保护的光刻胶层的第一部分暴露于光辐射，在曝光后烘烤处理中向光刻胶层提供热能，在实行曝光后烘烤处理的同时，施加电场或磁场，和在向光刻胶层提供热能的同时，动态地改变所产生的电场的频率。
用于光刻图案处理增强

[发明专利]具有可调整碳含量的碳氮化硅间隙填充-CN202080082849.1在审
发明人：石美仪;巴加夫·S·西特拉;约书亚·鲁布尼茨;杰思罗·塔诺斯;陈秀·克里斯·莹;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：描述了用于碳氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法。通过将基板表面暴露于前驱物和反应物来在基板表面上形成可流动的碳氮化硅膜，所述前驱物具有通式(I)或通式(II)的结构其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12独立地选自氢(H)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的乙烯基、硅烷、取代或未取代的胺或卤化物；净化处理腔室中的硅前驱物，然后将基板暴露于氨等离子体。
具有可调整含量氮化间隙填充

[发明专利]氮含量高的氮化硅膜-CN202210051665.X在审
发明人：阿达西·巴苏;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
含量氮化

[发明专利]光刻模拟和光学邻近校正-CN202080065502.6在审
发明人：戴辉雄;芒格什·阿肖克·邦阿;平克什·罗希特·沙阿;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;史蒂文·希隆·韦尔奇;克里斯托弗·小·唯格·恩盖;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及光刻模拟和光学邻近校正。场引导曝光后烘烤工艺使得能够改善光刻性能，并且这样的工艺的各种参数包括于根据本文所述的实施方式产生的光学邻近校正模型中。光学邻近校正模型包括以下一个或多个参数：各向异性酸蚀刻特性、离子产生和/或运动特性、电子运动特性、空穴运动特性和化学反应特性。
光刻模拟光学邻近校正

[发明专利]氮含量高的氮化硅膜-CN201880044202.2有效
发明人：阿达西·巴苏;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C07D251/00 文献下载
摘要：描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
含量氮化

[发明专利]金属硅化物的选择性沉积和选择性氧化物移除-CN201980074914.3在审
发明人：雷蒙德·洪;金南成;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶;郑崔;克里斯托弗·艾尔斯;安德鲁·库梅尔 -专利权人：应用材料公司;加利福尼亚大学董事会
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，并且含硅表面被氢封端。将基板暴露于MoF6前驱物和Si2H6前驱物的顺序循环，随后进行额外的Si2H6过量暴露，以选择性地在基板的含硅表面上沉积包含MoSi2的MoSix材料。本文描述的方法亦提供了选择性的原生氧化物移除，此能够在不蚀刻主体氧化物材料的情况下移除原生氧化物材料。
金属硅选择性沉积氧化物

[发明专利]用于电场引导的光刻胶图案化工艺的膜结构-CN201980083895.0在审
发明人：戴辉雄;芒格什·邦阿;克里斯托弗·S·恩盖;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶;史蒂文·希隆·韦尔奇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上，其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混合物所形成的下伏层；在光刻曝光工艺中将所述光刻胶层的未被光掩模保护的第一部分暴露于辐射光；和施加电场或磁场以实质上在垂直方向上变更所述光酸产生剂所产生的光酸的移动。
用于电场引导光刻图案化工膜结构

[发明专利]沉积介电材料的方法-CN201980059660.8在审
发明人：巴加夫·S·西特拉;杰思罗·塔诺斯;李景义;小道格拉斯·A·布池贝尔格尔;华忠强;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
沉积材料方法

[发明专利]用于含金属材料的高压退火处理-CN201980016419.7在审
发明人：考施·K·辛格;石美仪;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述处理腔室中的所述含氧气体混合物维持在约2巴和约50巴之间的处理压力下；和在所述含氧气体混合物存在的情况下热退火所述含金属层。
用于金属材料高压退火处理

[发明专利]处理掩模基板以实现更佳的膜质量的方法-CN201980008219.7在审
发明人：斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶;美怡·石美怡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容提供在膜堆叠中形成材料层的方法以用于制造EUV应用及相移及二元光掩模应用中的光掩模。在一个示例中，在基板上形成介电材料的方法包含以下步骤：在处理腔室中在基板上供应含氧气体混合物，该基板包括设置于光学透明含硅材料上的介电材料；在该处理腔室中在大于2bar的处理压力下维持该含氧气体混合物；及在存在该含氧气体混合物的情况下热处理该介电材料。
处理掩模基板实现质量方法

[发明专利]用于高压处理腔室的气体输送系统-CN201880072935.7在审
发明人：梁奇伟;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;肖恩·S·康;阿迪卜·汗;怡利·Y·叶 -专利权人：微材料有限责任公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种高压处理系统，用于处理基板上的层，所述系统包括：第一腔室；支撑件，支撑件用于将基板保持于第一腔室中；第二腔室，第二腔室邻近第一腔室；前级管道，前级管道用于从第二腔室移除气体；真空处理系统，真空处理系统经配置以将第二腔室内的压力降低至接近真空；阀组件，阀组件位于第一腔室与第二腔室之间，用于将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；气体输送系统，气体输送系统经配置以在第一腔室与第二腔室隔离的同时将第一腔室内的压力提升至至少10个大气压；排气系统，排气系统包括排气线以从第一腔室移除气体；和共同外壳，共同外壳围绕第一气体输送模块和第二气体输送模块两者。
用于高压处理气体输送系统

[发明专利]在处理腔室中的气体控制-CN201680030283.1有效
发明人：梁奇伟;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面的环形主体，内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴，多个第一喷嘴耦接到第一气源，并经构造以将第一气体传递至处理区域。气体环进一步包括多个第二喷嘴，多个第二喷嘴耦接到第二气源，并经构造以将第二气体传递至处理区域。
处理中的气体控制

1
2
下一页»
尾页
共 27 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top