[发明专利]用于高压处理腔室的气体输送系统在审
申请号: | 201880072935.7 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN111357090A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 梁奇伟;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;肖恩·S·康;阿迪卜·汗;怡利·Y·叶 | 申请(专利权)人: | 微材料有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高压处理系统,用于处理基板上的层,所述系统包括:第一腔室;支撑件,支撑件用于将基板保持于第一腔室中;第二腔室,第二腔室邻近第一腔室;前级管道,前级管道用于从第二腔室移除气体;真空处理系统,真空处理系统经配置以将第二腔室内的压力降低至接近真空;阀组件,阀组件位于第一腔室与第二腔室之间,用于将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离;气体输送系统,气体输送系统经配置以在第一腔室与第二腔室隔离的同时将第一腔室内的压力提升至至少10个大气压;排气系统,排气系统包括排气线以从第一腔室移除气体;和共同外壳,共同外壳围绕第一气体输送模块和第二气体输送模块两者。 | ||
搜索关键词: | 用于 高压 处理 气体 输送 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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