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[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人： 张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[发明专利]一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法-CN202311130773.7在审
发明人：张春福;刘丁赫;张泽雨林;赵胜雷;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管，包括：异质衬底、N+氧化镓层、阴极、N‑氧化镓层、P型氧化镍层和阳极。本发明为实现高热导率异质衬底支撑的氧化镓器件采用准垂直结构，极大地降低了器件热阻，提高散热能力，有效地提高了器件的使用可靠性。此外，本发明引入P型氧化镍形成异质PN结，解决了氧化镓P型掺杂难的问题。本发明还提供一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管的制备方法，采用异质集成方法将高热导率异质衬底与氧化镓结合，实现热场、电场、结构力场等多物理场耦合，提供了缓解氧化镓基器件严重自热效应的改良方案，有利于发展适用于高电压高功率低热阻的氧化镓基电力电子器件。
一种基于衬底垂直结构氧化二极管及其制备方法

[发明专利]一种高质量CsPbBr3-CN202210152508.8在审
发明人：陈大正;张春福;何逸冰;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、雾化沉积的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气化学沉积法生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够减少CsPbBr3薄膜的缺陷，提高薄膜结晶度，减少电荷复合，能够提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种质量 cspbbr base sub

[发明专利]一种表面平整的CsPbBr3-CN202210153474.4在审
发明人：陈大正;何逸冰;张春福;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面平整的CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、表面平整的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够降低CsPbBr3表面缺陷，提高表面平整度，从而改善第二传输层的形貌，减少CsPbBr3钙钛矿和传输层间的电子空穴复合，提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种表面平整 cspbbr base sub

[发明专利]一种多源高压气体雾化的垂直结构Mist-CVD设备-CN202211616685.3在审
发明人： 张泽雨林;张春福;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多源高压气体雾化的垂直结构Mist‑CVD设备包括：连接的雾化颗粒生成装置和反应装置，雾化颗粒生成装置和反应装置呈竖直结构设置；雾化颗粒生成装置包括高压气体发生室和多个前驱溶液储存腔室，反应装置包括反应腔室；其中，高压气体发生室内存储有高压气体或设置有气体增压设备以提供高压气体；前驱溶液储存腔室用于存储前驱溶液；高压气体进入第一管路后与进入第一管路的前驱溶液接触，前驱溶液在高压气体作用下进行雾化得到雾化颗粒，雾化颗粒通过第一管路进入反应腔室内反应生长得到半导体薄膜。本发明的Mist‑CVD设备避免了水平结构Mist‑CVD设备在薄膜成型过程中出现的薄膜均匀性不足的问题。
一种高压气体雾化垂直结构 mist cvd 设备

[发明专利]氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件及制备方法-CN202211051600.1在审
发明人：宋庆文;张泽雨林;张春福;汤晓燕;张玉明;袁昊 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；势垒层，位于缓冲层背离衬底的一侧；源漏极，位于势垒层背离衬底的一侧，源极和漏极间隔设置；复合栅结构，位于势垒层背离衬底的一侧，且位于源极和漏极之间；复合栅结构包括p‑氮化镓和n‑氧化镓，n‑氧化镓位于p‑氮化镓背离衬底的一侧；栅极，位于复合栅结构背离衬底的一侧。本申请能够使器件获得更高的阈值电压和栅正向击穿电压。
氧化氮化镓异质结栅 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源Mist-CVD设备-CN202210361984.0在审
发明人：张春福;张泽雨林;宋庆文;陈大正;闫芃如;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有冷壁分时分步输运功能的多雾化源Mist‑CVD设备，Mist‑CVD设备包括：多个雾化腔室，每个所述雾化腔室设置有用于进行雾化或者承载第一气体的雾化源空腔；每个所述雾化腔室上均设置有连通所述雾化源空腔的第一载气入口，所述第一载气入口可用于通入第二气体；混气腔室，所有所述雾化腔室均可独立通断的连接至所述混气腔室，所述雾化腔室设置有用于使雾化气体混合均匀的混气空腔；反应腔室，所述混气腔室连通所述反应腔室，所述反应腔室设置有接收所述雾化气体、以用于反应生长的反应空腔。本发明的Mist‑CVD设备在可以实现多掺杂源的同时，还能兼容液体源和/或气体源的同时使用。
一种具有分时分步输运功能雾化 mist cvd 设备

[发明专利]一种β-氧化镓/4H-碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法-CN202210429085.X在审
发明人：宋庆文;杜丰羽;袁昊;汤晓燕;张玉明;张泽雨林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种β‑氧化镓/4H‑碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法，探测器包括：由下至上依次设置的N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和β‑Ga2O3功能层。所述β‑Ga2O3功能层上设置有第一金属电极层和第二金属电极层，所述第一金属电极层和所述第二金属电极层上均设置有第三金属电极层；所述第一金属电极层与所述第一金属电极层上的第三金属电极层形成欧姆接触，所述第二金属电极层与所述第二金属电极层上的第三金属电极层形成肖特基接触。本发明的紫外光电探测器通过β‑Ga2O3/4H‑SiC异质结结构既能够实现高温探测功能，又能够具有较高的响应度。同时，第一金属电极、第二金属电极以及第三金属电极极大地提升了光利用率，大幅增加了探测器的探测性能。
一种氧化碳化硅异质结超高温紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种横向结构4H-碳化硅/β-氧化镓异质结高温日盲探测器及其制备方法-CN202210429112.3在审
发明人：袁昊;杜丰羽;张玉明;汤晓燕;宋庆文;张泽雨林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向结构4H‑碳化硅/β‑氧化镓异质结高温日盲探测器及其制备方法，包括：N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层和N型β‑Ga2O3功能层；所述N型β‑Ga2O3功能层的上部的两侧具有钝化插入层，所述钝化插入层的材料为PtOx；所述钝化插入层的厚度为2～10nm；所述钝化插入层上设置有金属电极；所述金属电极的材料为金属Pt；所述金属电极、所述钝化插入层和所述N型β‑Ga2O3功能层形成肖特基接触。本发明的探测器既能够实现高温探测功能，又能够具有较高的响应度。同时，插入钝化插入层能够增加势垒高度，抑制了由于高温环境恶化的暗电流，从而提升探测器的工作温度和响应度。本发明的制备方法还通过对N型β‑Ga2O3功能层使用氧等离子体预处理技术，以降低外延层内的缺陷。
一种横向结构碳化硅氧化镓异质结高温探测器及其制备方法

[发明专利]一种势垒增强型与U型感光窗口的4H-SiC肖特基超高温紫外光电二极管及其制备方法-CN202210429075.6在审
发明人：宋庆文;杜丰羽;张玉明;汤晓燕;袁昊;张泽雨林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种势垒增强型与U型感光窗口的4H‑SiC肖特基超高温紫外光电二极管及其制备方法，包括：由下至上依次设置的第一金属电极、N+型4H‑SiC衬底和N‑型4H‑SiC外延层；N‑型4H‑SiC外延层上设置有势垒层和钝化层；势垒层上设有第二金属电极；第一金属电极形成欧姆接触电极；势垒层的材料为WxSiyO1‑x‑y；钝化层的材料为SiCxOy；第二金属电极形状为U型，第二金属电极的材料为金属钨；第二金属电极、势垒层和N‑型4H‑SiC外延层形成肖特基接触。本发明大幅提高了势垒高度，常温下可将暗电流可限制在0.1pA级，高温环境下抑制暗电流恶化，提升了紫外光电二极管的光暗电流比，能够将极限工作温度提升至600℃，且伴随高响应度，本发明的器件的制备方法工艺简洁，大幅降低了制备成本。
一种增强感光窗口 sic 肖特基超高温紫外光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器-CN202111028715.4在审
发明人：张春福;李哲;陈大正;张泽雨林;冯倩;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，包括：衬底；氧化镓纳米膜，位于衬底的上表面中段，其在太阳光盲区探测器的制备过程中经过了氧气退火处理；源电极和漏电极，分别位于衬底的上表面的氧化镓纳米膜两侧并搭接氧化镓纳米膜；钝化层，覆盖在氧化镓纳米膜的上表面，从钝化层的上表面中部向下刻蚀有深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽；栅介质，覆盖栅极凹槽的表面以及钝化层的上表面；栅电极，覆盖在栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方，形成栅电极的栅金属的厚度为14nm±4nm，以使太阳光盲区的光波能够穿过，栅电极的偏置电压的设计值为0V。本发明提供的太阳光盲区探测器的功耗较低。
一种基于偏压氧化太阳光盲区探测器

[发明专利]具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法-CN202010976148.4有效
发明人： 张泽雨林;陈大正;朱卫东;游海龙;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法，其中，GaN HEMT光电探测器包括衬底、位于衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层、位于AlGaN势垒层表面两侧的源漏电极，以及位于源漏电极之间的复合栅结构，其中，复合栅结构包括位于AlGaN势垒层上的钙钛矿以及位于钙钛矿层上的TCO层。本发明将钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。
具有钙钛矿复合结构 gan hemt 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202010974472.2在审
发明人： 张泽雨林;朱卫东;陈大正;游海龙;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中，所述钙钛矿光电探测器自下而上依次包括：衬底、TCO层、半导体层、钙钛矿层以及电极，其中，所述半导体层为超宽禁带半导体。本发明通过在钙钛矿光电探测器中引入超宽禁带半导体层，可以阻挡空穴进入电子传输层，并且可以钝化钙钛矿表面，获得更好钙钛矿光电探测器的响应，扩大了器件应用范围。
一种钙钛矿光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件-CN201920847719.7有效
发明人：黄巍;张文涛;曲笑玮;银珊;熊显名;曾启林;张泽雨林;张玉婷;徐韶华;张丽娟 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件，包括衬底和水平设置在衬底上的金属薄膜，所述金属薄膜设置有三块，由位于中心的呈直线状的中心金属薄膜，和设置在中心金属薄膜两侧的侧部金属薄膜构成，所述侧部金属薄膜呈圆弧状，开口远离中心金属薄膜一侧设置，两块所述侧部金属薄膜的曲率圆圆心的连线与中心金属薄膜之间的夹角小于90度，所述中心金属薄膜和侧部金属薄膜的两侧壁上均设置有规则排列的锯齿结构。本实用新型的器件通用性较强，在不同波段下依然可以产生预设效果，无需改变设计好的几何结构，器件的适用范围还会扩展，可进行大部分太赫兹波段的研究。
一种对称性弯曲结构赫兹集成器件

[实用新型]一种用于移动平台的多自由度电控云台-CN201720577577.8有效
发明人：李珣;张泽雨林;郭晗绪;薛嘉瑞;刘洋;刘瑶 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： B25J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于移动平台的多自由度电控云台，其特征在于，包括绕Z轴转动的偏航角调节模块，偏航角调节模块通过卡口结构连接有绕Y轴转动的滚转角调节模块，滚转角调节模块连接有绕X轴转动的俯仰角调节模块，俯仰角调节模块与用于安装多种执行器的末端执行器搭载平台连接；本实用新型一种用于移动平台的多自由度电控云台，解决了现有移动平台普适性较差、因自由度不足而导致操作末端设备工作受限，以及末端所采集信号与操作末端不能进行信息交互的控制过程开环问题。
一种用于移动平台自由度电控云台

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