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[发明专利]半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备-CN202210410373.0在审
发明人：陶珩;庞云玲;丛海;姜勇;尹志尧 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备，解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题，主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖，并形成一密闭空间，使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节，进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压，来优化上盖的结构设计，以达到在半导体工艺过程中，为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理，可以对上盖进行更大范围的改进，来获得更优化的处理空间。
半导体处理设备外延

[发明专利]一种基片处理装置及腔室内衬-CN202210410374.5在审
发明人： 庞云玲;姜勇;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片处理装置及腔室内衬，用于对基片进行工艺处理。所述基片处理装置包括腔室，所述腔室包括相互套叠设置的腔室内衬和位于腔室内衬外部的腔室外壳，所述腔室内衬整体呈长方体结构，包括设有一上内衬开口的内衬上壁和腔室底壁，以及位于所述内衬上壁和内衬底壁之间的两平行内衬侧壁，工艺过程中，所述腔室内衬在基片上方形成一方体状气体分布空间，所述方体状气体分布空间的横向宽度等于所述两平行内衬侧壁之间的距离且大于所述基片的直径。使得靠近内衬侧壁的工艺气体沿着内衬侧壁向下游传输，无需进行横向扩散以实现工艺气体的层流部分，进而提高基片不同径向区域的处理均匀性。
一种处理装置内衬

[发明专利]一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置-CN202210349977.9在审
发明人：周楚秦;张海龙;庞云玲;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置，该纵长形反应腔体包含：纵长方向延伸的顶壁、底壁和侧壁围绕而成的腔体，腔体两端分别为进气开口和排气开口；腔体内部空间包括进气区域、排气区域和反应区域，各区域沿纵长方向排列；反应区域下方的底壁上设置有延伸管，旋转轴从延伸管伸入反应区域以支撑托盘和基片，使得基片在反应区域中旋转；反应腔体两个侧壁内表面竖直且互相平行；顶壁在反应区域向上拱起，使得基片上沿纵长方向上分布的多个点到顶壁的距离不同。其优点是：该纵长形反应腔体的顶壁在反应区域处向上拱起，以使其具有较高的机械强度，从而具有更强的承压能力，同时基片上方的气体流场较为稳定，保证了薄膜沉积的均匀性。
一种纵长形反应及其化学沉积装置

[发明专利]一种半导体设备的内腔和半导体处理装置-CN202111666761.7在审
发明人： 庞云玲;姜勇;张海龙 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备的内腔和半导体处理装置。所述半导体设备的内腔内部构成一处理空间用于处理基片，所述处理空间由相对设置的侧壁、与所述侧壁连接的顶壁和底壁围成，所述侧壁沿着垂直所述基片的方向具有一高度，所述顶壁与所述侧壁通过一倾斜的过渡壁连接，所述内腔包括：与所述处理空间连通且相对设置的进气口和出气口，二者在所述处理空间形成一气流方向；所述顶壁和过渡壁沿着所述气流方向具有相同的截面形状。本发明能够减小腔室的尺寸，保证反应腔室内气流、温场的均匀性，有益于获得先进制程高质量外延层。
一种半导体设备半导体处理装置

[发明专利]一种化学气相沉积装置及其方法-CN202111666778.2在审
发明人：尹志尧;张海龙;庞云玲;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积装置及其方法，该装置包含：反应室，其具有一进气开口和一排气开口，且所述反应室内设置有一托盘，用于承载基片；外壳体，其设置于所述反应室外侧，所述外壳体的内壁和所述反应室的外壁之间构成一容纳空间；多个辐射热源，其设置于所述容纳空间内，用于透过所述反应室的外壁加热所述基片；气压调整装置，其用于独立调控所述容纳空间和反应室内的气压。其优点是：该装置的容纳空间的气压小于大气气压，有助于降低反应室腔壁的承压压力，同时其不会影响辐射热源的热传递效率，有助于反应室内反应区域受热均匀性，保证了基片薄膜沉积的均匀性，提高基片工艺生产的良品率。
一种化学沉积装置及其方法

[发明专利]一种薄膜处理装置及其方法-CN202111653272.8在审
发明人：姜勇;庞云玲;闫韬;陈恩毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜处理装置及其方法，该装置包含：反应腔室、进气隔板和排气隔板；进气法兰组件，其包含多个与反应空间对应的主反应气体喷口和与净化空间对应的辅助气体喷口；气体导流组件，其包含多个与进气隔板的辅助气体进气通道连通的辅助气体导流管道，各辅助气体导流管道中的气流独立可调；主反应气体经主反应气体喷口输送到反应空间，辅助气体经辅助气体喷口、辅助气体导流管道、辅助气体进气通道导入进气隔板上方。其优点是：该装置中主反应气体和辅助气体在进入晶圆处理区域之前已开始了混合过程，结合对各辅助气体导流管道内的辅助气体的独立调控，以实现对混合气体组分均匀性的精确调控，有利于获得更好的成膜均匀度和薄膜质量。
一种薄膜处理装置及其方法

[发明专利]一种薄膜处理装置-CN202111623895.0在审
发明人： 庞云玲;尹志尧;姜勇;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜处理装置，其包含：将纵长形反应腔室分隔为反应空间和晶圆传片空间的进气隔板和排气隔板；进气隔板上方为进气区域，排气隔板上方为排气区域，两区域之间的晶圆处理区域用于容纳承载晶圆的基座以进行薄膜沉积工艺；基座可从晶圆处理区域下降到晶圆传片空间，使得基座上的晶圆可被机械臂传输到反应腔室外部空间；包含多个进气喷口的进气法兰组件；包含导流管道的气体导流组件，导流管道设置在进气法兰组件和晶圆处理区域之间，多个导流管道中的气流独立可调。其优点是：该装置在保证反应空间内洁净度的同时，还可以实现对反应空间内气流场分布的调控，有助于提高气流分布的均匀性以及各组分的均匀性，提高了晶圆生产的良品率。
一种薄膜处理装置

[发明专利]一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备-CN202111562975.X在审
发明人：张海龙;姜勇;庞云玲 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备，所述基座包括：基座圆盘，其上设有用于放置待处理基片的基片放置面；加热组件，位于基座圆盘内部，用于加热待处理的所基片；冷却组件，位于基座圆盘内部且位于加热组件下方，用于冷却待处理的基片；基座轴，位于基座圆盘中心，用于支撑基座圆盘；基座圆盘和基座轴由第一金属一体铸造成型，本发明提高了对基片加热的均匀性。
一种基座制造方法等离子体处理设备

[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖-CN202320150470.0有效
发明人： 庞云玲;陶珩;丛海;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体处理腔的上盖，半导体处理腔的上部包括开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成处理空间，承压壳体包围至少部分上盖，当上盖设置在开孔上时，上盖具有一朝向处理空间的下表面和一朝向密闭空间的上表面，上盖包括：窗口和环绕窗口的外沿，窗口包括窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿连接，窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面的最大高度差大于28毫米小于等于50毫米，窗口边缘区的下表面具有第一斜面，第一斜面的两端分别与外沿的下表面和窗口中心区的下表面相连。所述上盖既能够保证半导体处理腔内气流的稳定性，又能够承受其内外的压强差。
一种用于半导体处理

[外观设计]石英上盖-CN202230219986.7有效
发明人： 庞云玲 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：石英上盖。2.本外观设计产品的用途：在薄膜外延生长设备中用于透过热辐射的上盖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
石英

[外观设计]石英上盖-CN202230220063.3有效
发明人： 庞云玲 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：石英上盖。2.本外观设计产品的用途：在薄膜外延生长设备中用于透过热辐射的上盖。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
石英

[发明专利]加热装置、CVD设备及半导体工艺处理的方法-CN202111039519.7在审
发明人： 庞云玲;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种加热装置，用于CVD设备，包含：布置在反应室上方的上灯模块和/或反应室下方的下灯模块；所述上灯模块、下灯模块包含由多个加热灯形成的上灯阵列、下灯阵列；通过所述上灯阵列、下灯阵列加热所述基片承载台以及基片；所述加热灯包括一管状灯体和位于管状灯体两端的电极端，所述上灯模块、下灯模块中的电极端分别朝上、下进行电连接；所述管状灯体内设有沿管状灯体延伸的灯丝；所述上灯阵列、下灯阵列可以分区控制加热功率本发明还包含一种CVD设备及一种半导体工艺处理的方法。本发明能够提高加热装置的热能利用率，且能够精准控制各加热灯的加热功率，防止相邻加热灯之间出现冷点，有效保证基片表面均温。
加热装置 cvd 设备半导体工艺处理方法

[发明专利]气相外延室-CN201910621960.2有效
发明人： 庞云玲 -专利权人：紫石能源有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种气相外延室，包括：壳体；生长室，生长室设置在壳体内，以用于盛放衬底；反应装置，反应装置设置在壳体内，反应装置用于容纳反应物，以使反应物在反应装置内混合反应，生成用于使衬底上生成延生层的气体；匀气装置，匀气装置与反应装置连通，匀气装置与生长室连通，反应装置内生成的气体进入匀气装置，匀气装置将气体吹向衬底的不同部位，以使衬底生长出外延层。本发明的气相外延室解决了现有技术中的氢化物气相外延室生产的外延片质量较低的问题，节约了衬底外延的成本。
外延

[发明专利]氢化物气相外延的镓舟结构-CN201910554424.5有效
发明人： 庞云玲 -专利权人：紫石能源有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氢化物气相外延的镓舟结构，包括舟体，还包括：所述舟体的顶部设置镓源入口，所述舟体内用于盛放液态镓源，所述舟体内设置反应物出口管路，所述反应物出口管路的顶端高于液态镓源的液面，所述反应物出口管路的底端穿出所述舟体的底壁；以及分气盘，所述分气盘设置在所述舟体内的底壁上，在所述分气盘的侧面设置氯化氢进口，在所述分气盘的管路的顶端设置至少一个氯化氢出口，各个所述氯化氢出口均位于液态镓源的液面的下方。该镓舟结构具有氯化氢转化率高、氯化氢与液态镓源的接触面积大以及有效地延长了氯化氢的路径的优点。
氢化物外延结构

[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖-CN202220904256.5有效
发明人： 庞云玲;陶珩;丛海;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体处理腔的上盖，半导体处理腔的上部包括一开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成一处理空间，一承压壳体包围并覆盖至少部分上盖，上盖与承压壳体形成一密闭空间，上盖设置在处理空间和密闭空间之间以实现两者的气密隔离，其中，上盖包括：位于上盖的中部的窗口和环绕窗口的外沿，窗口可透过热辐射，窗口包括位于其中心的窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿相连，窗口中心区与窗口边缘区的高度差小于等于28毫米，上盖可承受处理空间与密闭空间之间的压强差。所述上盖既能够保证半导体处理腔内气流的稳定性，又能够承受其内外的压强差。
一种用于半导体处理

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