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[发明专利]具有组合阱的多量子阱LED外延结构及其外延制备方法-CN201711080999.5在审
发明人：张义;王建立;马旺;王成新;肖成峰;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种具有组合阱的多量子阱LED外延结构及其外延制备方法，包括：自上而下依次设置的衬底层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN欧姆接触层，量子阱层由GaN势垒层和组合阱层构成周期性叠加构成，组合阱结构由低In浓度InGaN阱层、高In浓度InGaN阱层以及低In浓度InGaN阱层构成。能够显著阻挡和扩散N型电子的注入，增强量子阱束缚电子的能力，提高空穴和电子注入在有源区效率和辐射复合效率，调整极化电荷消除内建的极化电场，有效降低阱垒界面间的应力，缓解能带的弯曲，从本质上提高晶体质量和内量子效率，提高器件性能。
多量子阱量子阱层制备空穴辐射复合效率非掺杂GaN层内量子效率欧姆接触层电子注入极化电场极化电荷器件性能依次设置衬底层量子阱势垒层阱结构内建源区阱层叠加阻挡扩散束缚缓解

[发明专利]一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法-CN201711084935.2在审
发明人：张义;王建立;马旺;王成新;徐现刚;肖成峰;郑兆河 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法，自下而上依次设置有衬底层、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN欧姆接触层，量子阱层自下而上包括周期性的GaN势垒层、第一变温势阱层、恒温势阱层、第二变温势阱层；本发明使LED外延结构能生长出高质量的势阱层，由于其特殊势阱结构，能够显著阻挡和扩展N型电子的注入，使得量子阱和量子垒之间的晶格匹配度增加，减少内部应力，缓解能带的弯曲，从本质上提高晶体质量和内量子效率，提高器件性能，提高出光效率10％左右。
势阱层势阱量子阱层变温制备非掺杂GaN层晶格匹配度内量子效率欧姆接触层出光效率器件性能依次设置衬底层缓冲层量子垒量子阱势垒层阻挡生长缓解

[发明专利]一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的制作方法-CN201610777459.1有效
发明人：徐晓强;闫宝华;刘琦;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的制作方法，包括以下步骤：(1)镀膜：a、在LED外延层表面不通氧蒸镀底层ITO，厚度蒸镀速率蒸发台腔室真空度大于等于6.0×10^‑6Torr；b、在底层ITO表面通氧蒸镀上层ITO，厚度为蒸镀速率为通氧量为5‑20sccm；(2)退火。本发明通过分阶段控制ITO蒸镀条件和与之匹配的接触式退火条件来制作粘附性良好、结构致密、表面均匀的ITO膜层。与传统方法相比，本发明制作的ITO膜层更加致密和均匀，大幅度增加了ITO膜层抗ESD的能力。
一种提高 led esd 能力 ito 薄膜制作方法

[发明专利]一种GaAs基粗化层结构的倒装LED外延片及其制造方法-CN201710544670.3有效
发明人：李志虎;于军;张新;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种GaAs基粗化层结构的倒装LED外延片及其制造方法，自下而上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、腐蚀阻挡层、欧姆接触层、N‑AlxGa1‑xInP第一粗化层、N‑AlxGa1‑xInP第二粗化层、下限制层、多量子阱发光区、上限制层以及电流扩展层。通过设置第二粗化层，与常规结构晶格匹配，为晶格匹配的高质量粗化层，能确保在较高的生长速度下匹配生长，且能抑制碳氧含量，提高长晶质量，保证电流扩展和光学特性，提高了器件的可靠性、稳定性。因Al_xGa_1‑xAs材料可高速生长，缩短倒装LED的制程时间20%‑35%，可大规模量产制成的产品，可较大地改善外量子效率，从而较大地提高产品光效，其亮度较传统结构可提升60%~80%，因此，能够大量生产高效率的倒装LED。
一种 gaas 基粗化层结构倒装 led 外延及其制造方法

[发明专利]一种LED芯片的电极制备方法-CN201711010437.3在审
发明人：李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国;肖成峰;郑兆河 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种LED芯片的电极制备方法，包括如下步骤：（1）在外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；（2）在焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；（3）对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；（4）对缓冲层腐蚀，然后烘烤LED芯片；（5）对粘结层腐蚀；（6）去除正性光刻胶，得到LED芯片的电极。该方法通过腐蚀一层金属后再对正性光刻胶图形进行烘烤的方式，使下一层金属层图形大于上一层金属层，这样既保证电极结构的完整也确保粘结层大于焊接层，避免了焊线是压力过大导致掉电极的问题，提升了芯片的品质。
焊接层正性光刻胶烘烤腐蚀电极图形电极制备缓冲层粘结层电极光刻胶图形金属层图形外延层表面电极结构上粘结层金属层对正光刻焊线去除芯片金属保证

[发明专利]一种半导体激光器LD芯片封装定位的装置及定位方法-CN201710544665.2有效
发明人：刘存志;张骋;肖成峰;郑兆河 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种半导体激光器LD芯片封装定位的装置，包括：底座、模条、定位块、定位机构以及COS。通过定位块驱动COS的边缘相对管舌向内侧移动，达到COS的LD芯片相对探出量为负值，避免了传统封装时LD出光腔面探出量为正值时，LD芯片容易碰损的弊端，LD芯片探出量是负值也是行业的一种需求，LD芯片快轴发散角远大于本发明所选的特定角度，因此不存在挡光的风险。通过定位块驱动COS定位，确保LD芯片封装过程出光腔面探出管座一致，从而实现量产中的精确定位。
一种半导体激光器 ld 芯片封装定位装置方法

[发明专利]一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201410604283.0有效
发明人：张恒;曲爽;王成新;徐现刚;张雷;郝霄鹏 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构，包括自下而上依次设置的GaN缓冲层衬底、N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层；所述GaN缓冲层衬底是利用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长的非故意掺杂的GaN缓冲层；所述GaN缓冲层的厚度3‑10μm。本发明通过采用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长一层GaN缓冲层作为衬底放入MOCVD反应室内直接生长N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，与传统蓝宝石、Si或SiC衬底相比，不需要生长GaN缓冲层，可以节省MOCVD程序时间，提高设备利用率，降低GaN基LED的成本。
一种具有 gan 缓冲衬底 led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种改善LED管芯清洗的工装-CN201821559634.0有效
发明人：郑军;刘晓;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种改善LED管芯清洗的工装，包括：水槽、进水管、出水管，生产后的LED通过锯片机对贴附在绷环蓝膜上的LED芯片进行全透切，使芯片变成纵横排了的若干独立的管芯，将管芯经过化学溶液清洗后，将其以每一列管芯为基准使每一列管芯卡置于水槽中的对应的插槽中，从而实现了对蓝膜绷环上的各个管芯进行固定，进水管向水槽中通入纯水，通过出水管排出，实现了水的循环流动，从而将各个管芯进行清洗，确保无化学溶液的残留。由于清洗过程中管芯可以一直浸泡在循环流动的水中，有效杜绝了芯片表面与空气的接触，不需一直用氮气吹干进行保护，提高了作业效率的同时，也节省了氮气成本。同时也提高了芯片表面的质量，将风险降低至最低。
管芯水槽清洗化学溶液芯片表面循环流动出水管进水管工装蓝膜列管氮气成本氮气吹干风险降低清洗过程作业效率锯片机插槽对贴排出水中芯卡浸泡残留芯片生产

[发明专利]一种LED外延片的无损测试装置及测试方法-CN201710775732.1在审
发明人：曹志芳;单立英;任忠祥;吴金凤;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED外延片的无损测试装置及测试方法，包括电流源及连接电流源的N极测试针、P极测试针，N极测试针、P极测试针的针头均包有焊锡、铟粒混合的铟锡方块，铟锡方块的高度h的取值范围为a≤h≤b，a是指LED外延片中N型GaN层下表面及其下面所有层的厚度和，b是指LED外延片中N型GaN层上表面及其下面所有层的厚度和。铟锡方块与现有的铟粒相比，硬度大，不易变形，导电性好；避免了每次测试时都要用新铟粒造成的材料浪费，同时，避免铟粒粘附在LED外延片表层造成的污染等问题。
测试针铟粒铟锡无损测试装置电流源测试导电性不易变形上表面下表面焊锡粘附针头污染

[发明专利]一种虚拟N电极的发光二极管及其制作方法-CN201710769745.8在审
发明人：彭璐;于峰;厉夫吉;肖成峰;郑兆河;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种虚拟N电极的发光二极管及其制作方法，在P‑GaN层表面且覆盖N‑Finger的区域设置有虚拟N‑Pad，虚拟N‑Pad与N‑Finger及N‑GaN层相导通。由于在水平方向上N‑Finger图形的投影面积与P‑Pad图形的投影面积部分重叠，因此在刻蚀P‑GaN层时可以少刻蚀N‑Finger与P‑Pad相重合的面积，在芯片面积不变的情况下，减小了刻蚀至N‑GaN层的面积，变相的就增加了P‑GaN层的面积，降低了注入电流密度，配合优化的N‑Finger可以达到降低电压，提高光效的目的。
虚拟发光二极管刻蚀投影降低电压区域设置重合导通光效减小制作芯片覆盖优化配合

[发明专利]一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法-CN201610870485.9有效
发明人：张雨;张新;于军;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高均匀性的红光LED外延结构及其制备方法，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。本发明通过在生长GaAs缓冲层之前生长AlGaAs缓冲层，将表面氧化层通过AlGaAs缓冲层进行分解吸收，最大程度的减少了衬底表面氧化层对后续外延结构的影响。
一种均匀红光 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种改善蓝宝石衬底减薄质量的预处理方法-CN201610950046.9有效
发明人：胡夕伦;刘琦;闫宝华;陈康 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种改善蓝宝石衬底减薄质量的预处理方法，在吸片台上进行，包括以下步骤：（1）将吸片台表面用蘸有无水乙醇的无尘纸擦拭干净；（2）将中心厚度与边缘厚度的差值大于10μm的蓝宝石衬底放置在吸片台上；（3）将衬底吸附在吸片台上；（4）使蓝宝石衬底旋转；（5）用油石对衬底边缘进行磨边，磨边后使蓝宝石衬底的中心厚度与边缘厚度的差值不大于10μm；（6）将蓝宝石衬底取下；（7）去离子水中超声清洗；（8）去离子水中清洗；（9）烘干。该方法操作简单、易实现、成本低、效率高，主要针对中心与边缘厚度差超过10μm的蓝宝石衬底，可有效降低翘曲度，改善后续减薄质量，降低边缘掉边及裂片异常，提高产品良率。
一种改善蓝宝石衬底质量预处理方法

[发明专利]一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法-CN201710398203.4有效
发明人：郑军;邢建国;闫宝华;汤福国;刘琦;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，包括如下步骤：a)利用锯片在LED芯片表面进行半切；b)对半切后的LED芯片进行烘烤；c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜；d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤；e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切；f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。借助加热器对芯片贴膜前进行烘烤，有效释放芯片自身应力，降低芯片自身的形变张力。同时通过对贴膜后的芯片连带蓝膜一起进行烘烤，提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，提高蓝膜的粘性。有效改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，作业简单且实效性高，有效解决掉管芯的问题，提高产品产出率。
一种改善 gaas led 芯片切割过程管芯方法

[发明专利]一种针对背镀晶片的清洗工艺-CN201610480332.3有效
发明人：徐晓强;彭璐;闫宝华;刘琦 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种针对背镀晶片的清洗工艺。该清洗方法包括氧气等离子体清洗、稀盐酸溶液清洗、水洗和干燥步骤。经本发明方法清洗的晶片背面洁净，粘附性较好，保证了背镀的可靠性和稳定性，提高了芯片的良率；且该清洗方法生产效率显著提高，用于蓝宝石晶片背镀工艺前的清洗。
一种针对晶片清洗工艺

[发明专利]一种提高光萃取效率的UVLED结构及其制备方法-CN201710644311.5在审
发明人：王成新;徐现刚;郑兆河;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种提高光萃取效率的UV LED结构及其制备方法，其结构包括衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源区、掺Mg的P型Al_zGa_1‑zN电子阻挡层和P型欧姆接触层，P型欧姆接触层为金刚石薄膜；其制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次生长AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源区和Al_zGa_1‑zN电子阻挡层，得到AlGaN基外延片；(2)在Al_zGa_1‑zN电子阻挡层上生长掺杂B元素的厚度为3‑200nm的金刚石薄膜。本发明以金刚石薄膜为欧姆接触层的结构，消除了接触层对UV光的吸收问题，可以大幅度提升UV LED的光萃取效率。同时，载流子浓度得到有效提升，从而更有效形成欧姆接触层，降低器件工作电压。
电子阻挡层光萃取效率金刚石薄膜制备多量子阱有源区欧姆接触层非掺杂缓冲层衬底载流子工作电压降低器件生长接触层外延片掺杂吸收