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[发明专利]一种砷化镓基LED管芯的制作方法-CN202010747671.X在审
发明人：徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓基LED管芯的制作方法。该方法包括采用电流扩展层—P面电极—减薄—N面电极—切割的制作流程，其中在N面电极制作前将完成P面制作的晶片正面贴附上热解膜，N面电极完成后将热解膜去除，然后进行快速切割。本发明既避免使用切割保护液，又在切割时不会对芯片电极产生破坏，降低整体作业成本。
一种砷化镓基 led 管芯制作方法

[发明专利]一种四元LED发光二极管芯片的封装方法-CN201910427143.3有效
发明人：李晓明;任忠祥;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种四元LED发光二极管芯片的封装方法，属于光电子技术领域，包括：在GaAs衬底上生长外延层，制备P电极及N电极；对芯片进行P面切割，形成切割道；在芯片的N面镀一层铟，将芯片沿切割道全部切割开；将芯片的N面放在封装支架上，使用烘箱烘烤使N电极与封装支架负极相连；使用金属丝将P电极与封装支架的正极相连，再在芯片N电极周围包覆灌装环氧树脂胶，放入烘箱中加热固化，得到封装完成的四元LED发光二极管芯片灯珠。本发明从根本上杜绝了导电银胶吸附到芯片侧面造成漏电的问题，同时最后使用的环氧树脂胶也是绝缘的，因此有效避免了漏电情况的发生，此方法操作简单，在不影响生产效率的情况下，灯珠良品率更高。
一种 led 发光二极管芯片封装方法

[发明专利]一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法-CN201910649892.0有效
发明人：徐晓强;程华;吴向龙;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善反极性AlGaInP LED芯片切割质量的方法，包括如下步骤：包括如下步骤：(1)将AlGaInP LED的外延层与硅衬底进行键合；(2)在LED芯片的正面划出切割道；(3)在LED芯片的背面覆盖导电膜；(4)从LED芯片的背面进行裂片；(5)对LED芯片进行高压纯水清洗、吹干；(6)在LED芯片的背面重新覆盖导电膜；(7)使用压膜机对LED芯片的进行压膜；(8)去除覆盖在LED芯片背面的导电膜，再进行扩膜、翻膜处理。通过对硅衬底进行处理，在LED芯片的背面覆盖导电膜，能够有效的改善LED芯片切割质量，改善崩角、外延层脱落的情况，将产品切割后的异常率降低至0.16％。
一种改善极性 algainp led 芯片切割质量方法

[发明专利]测试LED芯片参数的方法-CN201910660037.X有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法，包括步骤：S1,对芯片进行半切操作，形成测试点；S2,对芯片进行参数测试，输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图；S3，全切，形成若干颗独立的管芯；S4,扩膜，使所述管芯之间产生间隙；S5，对应Mapping图，划定参数范围，并夹取划定范围内的管芯，放置到铜板上；S6,对管芯逐一进行扎测，输出单颗管芯参数测试结果；S7，将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比，若两测试结果符合差异率标准，测试通过。通过对全切后的管芯进行扎测，将芯片测试参数与管芯扎测参数对比，提高了对芯片测试参数的准确性监控，保证了产品性能参数的准确性，提升产品可靠性。
测试 led 芯片参数方法

[发明专利]一种LED芯片的常温去胶方法-CN202010731893.2在审
发明人：王建华;魏朝;李晓明;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片的常温去胶清洗方法。该方法包括：将待去胶清洗晶片置于常温去胶溶液中超声清洗，然后分别进行常温无水乙醇、常温丙酮清洗，再经常温异丙醇清洗后烘干，即可将芯片表面残留胶清洗干净。清洗后的芯片表面无残留胶、残留异物等表面异常，保证了芯片质量和良率。本发明方法无需加热、易操作，能耗和原材料消耗低，提高生产效率的同时也降低了产品成本。
一种 led 芯片常温方法

[发明专利]一种半导体晶圆贴膜设备及贴膜方法-CN202010727821.0在审
发明人：彭璐;赵克家;李光江;田世强;裴寅山 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶圆贴膜设备及贴膜方法，属于半导体生产领域，该设备包括机体，机体内设置有真空承片台和膜贴附机构，机体底部设置有腔室真空管道；真空承片台包括内部空间互通的台面和支腿，台面和支腿互通的内部空间形成腔室B，支腿处连接有承片台真空管道，用于对腔室B抽真空，台面上设置有一个或多个承片区域，承片区域上设置有均匀分布的圆孔；膜贴附机构设置在升降装置上，初始时，膜贴附机构的高度高于真空承片台，通过升降装置的下降将蓝膜覆盖到真空承片台的台面上；贴膜时腔室A和腔室B存在气压差，腔室B的压力值小于腔室A的压力值。本发明可有效去除蓝膜与晶圆之间的气泡，降低蓝膜与设备之间的粘合，方便取片。
一种半导体晶圆贴膜设备方法

[发明专利]一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法-CN202010685780.3在审
发明人：吴向龙;徐晓强;闫宝华;王成新;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法，通过对对位标记位置的表面进行处理，破坏其与反射镜的粘附性，在衬底腐蚀中，剩余很薄的外延层会与永久衬底分离，同时将对位标记印在了反射镜金属上，因此可以直接用于后续的曝光对位，不需要对曝光机的CCD进行改造，降低成本，且兼容可见光产品。
一种易于曝光对位极性红外发光二极管制备方法

[发明专利]一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法-CN202010627584.0在审
发明人：吴向龙;徐晓强;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括自下到上依次设置有N型欧姆接触层、介质膜窗口层、制备好的外延片、P型欧姆接触层和P型电极，所述介质膜窗口层上设置有窗口层图案。在n型GaAs衬底和N型欧姆接触层之间设置介质膜形成的介质膜窗口层，介质膜窗口层中无介质膜处可以与n‑GaAs衬底实现良好的欧姆接触，有介质膜处可以阻挡金属与n‑GaAs衬底融合，减少光的吸收，介质膜和N型欧姆接触层可以进一步形成ODR提升反射率。
一种亮度红外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种GaAs基LED灯珠的封装方法-CN201910427152.2有效
发明人：李晓明;任忠祥;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基LED灯珠的封装方法，属于光电子领域，包括：在GaAs衬底上生长GaAs基发光二极管芯片外延层，并通过常规方法制备P电极及N电极；对芯片进行P面切割，在P电极四周形成条形切割道，切割道未将芯片完全分割开；将N面与带磁性的封装金属基板通过导电银胶粘合在一起；将芯片沿切割道完全切割，将封装金属基板与封装支架磁吸相连；使用金属丝将P电极与封装支架的正极相连，再在封装金属基板的四周包覆灌装封装用环氧树脂胶；封装支架放入烘箱中使胶加热固化，得到封装完成的GaAs基发光二极管芯片灯珠。本发明操作简单、杜绝了导电银胶覆盖在GaAs基发光二极管芯片侧面外延层上产生灯珠漏电的情况。
一种 gaas led 封装方法

[发明专利]一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法-CN201910758889.2有效
发明人：徐晓强;张兆喜;王梦雪;闫宝华;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法，首先进行晶片外延层的制备，随即在外延层的GaP窗口层上进行粗化腐蚀，利用表面活性剂将光刻胶、粗化腐蚀液溶解在一起，形成具有粗化腐蚀效果的腐蚀溶胶，再将腐蚀溶胶涂覆在GaP窗口层表面，在40‑60℃温度下恒温烘烤，再利用丙酮等溶剂去除腐蚀膜层和二氧化硅层，继续制备得到独立管芯；本发明设计的工艺方法简单易操作，不需要引入特殊设备，利用较低的成本，外延层表面的粗化腐蚀更加均匀，腐蚀可控性较高，粗化效果好，解决了目前使用溶液进行粗化腐蚀较难控制且粗化亮度提升不高的难题，通过本发明提供的方法进行粗化制作，出光效率可以提升25‑30％，具有较高的实用性。
一种 gaas led 晶片 gap 粗糙表面制作方法

[发明专利]一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法-CN201911052075.3有效
发明人：吴向龙;闫宝华;汤福国;王成新;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，所述二极管包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有ITO膜，所述ITO膜上设置有若干个发光区和刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片远离ITO膜的一侧端面上蒸镀有N面电极。本发明结构简单，步骤设计合理，制备得到的发光二极管能够单独使用，不需要与分划板配合工作，其自身就能够作为发出所需要的图形，在提高光源利用率的同时保证了结构简单、功耗低的优点；同时通过本技术方案制备得到二极管的发光图形具有可变性，能够根据反射瞄准镜与目标之间的距离进行发光图形的变换，具有较高的实用性。
一种具有可变图形发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法-CN201910086973.4有效
发明人：李毓锋;马旺;刘永明;王成新;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法，在MOCVD设备的反应室中外延生长，包括：(1)处理衬底；(2)在衬底上生长缓冲层；(3)在缓冲层上依次生长非掺杂氮化镓层和N型氮化镓层；(4)在N型氮化镓层上生长多量子阱结构；(5)在多量子阱结构上生长掺镁的铝镓氮层；(6)在铝镓氮层上生长P型掺镁的氮化镓层；(7)在P型掺镁的氮化镓层上生长MgN层；(8)制备P电极、N电极。本发明通过外延手段对GaN基蓝绿光外延片表面进行粗化，来获得不同粗糙度的表面，通过表面的粗化程度，降低全反射，提高出光效率，减少后续的为达到相同目的而进行繁杂的管芯刻蚀工艺，既节约时间又降低生产成本。
一种 gan led 蓝绿外延表面生长方法

[发明专利]一种改善LED芯片制造良率的方法-CN201910806743.0有效
发明人：王梦雪;吴向龙;闫宝华;王成新;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善LED芯片制造良率的方法，本方案首先进行晶片外延层的生长，紧接着在第二高掺p‑GaP窗口层上腐蚀形成裸露区，再沉积氧化物薄膜；接着在外延层表面蒸镀ITO膜，继续进行P面电极、N面电极的制作，最后在P面电极表面蒸镀保护膜，再进行切割，切割后通过热水超声去除保护膜，最后将芯片清洗、扩膜，形成独立单个芯粒；本发明不仅有效实现了LED芯片的制备，提高了芯片发光效果，而且晶片表面交替生长MgF2/CaF2薄膜，发光面光滑，解决了切割过程中金刚刀与ITO膜直接接触容易伴随产生崩角、裂纹等问题，极大提高产品质量和可靠性，并且解决了切割过程中碎屑及水渍脏污残留，提高产品外观良率，具有较高的实用性。
一种改善 led 芯片制造方法

[发明专利]一种减小LED芯片切割损失的切割方法-CN201910561911.4有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小LED芯片切割损失的切割方法，本发明首先对芯片P面进行半切，利用测试机进行测试，便于输出芯片的亮度，电压，波长等光电参数；再利用匀胶机对芯片P面涂覆光刻胶，形成掩护膜，再对芯片P面进行曝光显影，腐蚀暴露切割道；再对芯片N面涂覆光刻胶，用于保护N面金属的同时也便于进行后续的干法刻蚀；洗去P面的掩护膜并贴蓝膜，最后洗去N面的胶膜，倒膜，结束切割操作。本发明设计了一种减小LED芯片切割损失的切割方法，利用N面胶膜设计，并配合干法刻蚀，有效避免了芯片切割时发生崩边、飞片等情况，降低了芯片切割损耗，同时也还保证管芯芯粒的出光效率，提高产品良率，具有较高是实用性。
一种减小 led 芯片切割损失方法

[发明专利]一种LED外延底层结构及其生长方法-CN201910216879.6有效
发明人：李毓锋;马旺;王成新;刘永明 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED外延底层结构及其生长方法，属于LED外延生长技术领域。该结构由下至上包括蓝宝石衬底、AlGaN/AlN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层；AlGaN/AlN成核层由AlGaN缓冲层和高温AlN层交替生长3‑10个周期形成。本发明对衬底和外延之间的晶格失配产生影响，改变外延片的应力分布从而改变生长过程中的翘曲程度，并且提高了高温条件下生长GaN薄膜的结晶质量并且改善均匀性，使得整个LED外延层的结构质量更高，结构缺陷的减少使得载流子辐射性复合几率增加而提高了亮度，低生产成本，提高生长质量，最终提高GaN基LED器件的发光效率。
一种 led 外延底层结构及其生长方法