“安皓均”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于制造半导体存储器装置的方法-CN202211597676.4在审
发明人： 安皓均;赵秀敏;金范洙;金河荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体存储器装置的方法。所述方法包括：提供基底；蚀刻基底的在其中形成沟槽的部分；形成元件隔离膜，元件隔离膜填充沟槽并限定有源区域，其中，元件隔离膜包括覆盖沟槽的内侧壁和底表面的第一衬层，其中，第一衬层凹陷并暴露基底的角部；将氮掺杂到基底中；以及形成预栅极绝缘膜，预栅极绝缘膜沿着基底的暴露的角部和基底的上表面并在基底的暴露的角部和基底的上表面上延伸。预栅极绝缘膜包括：第一部分，位于基底的上表面上；以及第二部分，位于基底的角部上。第一部分的厚度小于第二部分的厚度。
用于制造半导体存储器装置方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN202210364300.2在审
发明人：洪思焕;金钟明;方铭振;李公洙;崔韩梅;安皓均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：提供包括缓冲层和基体基板的第一基板；在所述缓冲层上形成包括多个单元层叠件的堆叠模制结构，每个所述单元层叠件包括在垂直方向上顺序地堆叠的第一牺牲层、第一硅层、第二牺牲层和第二硅层；以及通过替换工艺将所述堆叠模制结构替换为堆叠存储结构，其中，所述堆叠存储结构包括替换了所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的金属图案以及替换了所述第二硅层的绝缘图案，所述缓冲层包括硅锗，并且所述缓冲层的锗浓度根据所述第一牺牲层的锗浓度和所述第二牺牲层的锗浓度而改变。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202111375443.5在审
发明人： 安皓均;尹成美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：具有包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的衬底；栅电极，其在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在第一方向上延伸跨过有源图案；线结构，其在横向于第一方向的第二方向上延伸跨过有源图案，所述线结构包括电连接至第一源极/漏极区的位线；器件隔离层，其位于限定有源图案的第一沟槽中；以及接触件，其结合至所述第二源极/漏极区。有源图案包括：第一部分，其在平行于衬底的顶表面的第三方向上延伸；以及第二部分和第三部分，它们连接至所述第一部分的相对端部，并且与对应的接触件竖直地重叠。第二部分和第三部分朝着相应的接触件延伸。
半导体存储器装置

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202111158839.4在审
发明人： 安皓均;金范洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体装置的方法。该方法包括：提供包括单元区域和围绕单元区域的核心/外围区域的衬底；在单元区域的衬底上形成下电极；在核心/外围区域的衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成第一导电类型的第一导电膜；在第一导电膜内部形成扩散阻挡膜，扩散阻挡膜在竖直方向上与栅极绝缘膜间隔开；在形成扩散阻挡膜之后，在第一导电膜内部形成包括杂质的杂质图案；通过热处理工艺扩散杂质以形成与第一导电类型不同的第二导电类型的第二导电膜；以及在第二导电膜上形成金属栅电极，其中，扩散阻挡膜包括氦(He)和氩(Ar)中的至少一种。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置-CN202111090188.X在审
发明人： 安皓均;赵秀敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供了能够改善元件的性能和可靠性的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一硅锗膜，共形地形成在第一区域的基底内部并且限定第一栅极沟槽；第一栅极绝缘膜，在第一硅锗膜上沿着第一栅极沟槽的轮廓延伸并且与第一硅锗膜接触；第一金属栅电极，位于第一栅极绝缘膜上；源/漏区，形成在基底内部并且设置在第一金属栅电极的两侧上；第二栅极绝缘膜，设置在第二区域中；以及第二金属栅电极，位于第二栅极绝缘膜上。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202010824227.3在审
发明人：申东石;金志永;安皓均;李灿旻;赵银珠;金熙中;慎重赞;安泰炫;崔贤根;黄有商;李基硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单元区域上；位线，在垂直方向上堆叠在单元区域上并分别连接到半导体图案的第一端，每条位线在相对于衬底的上表面的水平方向上从单元区域延伸到接触区域；以及字线，与半导体图案相邻地设置并在垂直方向上从衬底的单元区域延伸。第一外围晶体管设置在第一堆叠的位线和第二堆叠的位线之间。
半导体存储器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010708917.2在审
发明人： 安皓均;金范洙;金泫昇;焦广泛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括衬底、界面绝缘图案、栅极绝缘图案、阈值电压控制金属图案和导电图案。界面绝缘图案可以形成在衬底上。包括氧化物的栅极绝缘图案可以形成在界面绝缘图案上，该氧化物具有比硅氧化物的介电常数高的介电常数。阈值电压控制金属图案可以形成在栅极绝缘图案上。导电图案可以形成在阈值电压控制金属图案上。至少包括氟的第一掺杂剂可以被包括在栅极绝缘图案内和栅极绝缘图案的至少下表面处以及在界面绝缘图案的与栅极绝缘图案接触的上表面处。该半导体器件可以具有优异的电特性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法-CN201110455205.5无效
发明人：金荣国;全麟商;金永锡;朴瑛琳;安皓均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了非易失性半导体存储器件及其制造方法。该器件包括多条下部互连线、横跨在所述多条下部互连线上方的上部互连线、分别布置在所述多条下部互连线与所述多条上部互连线之间的多个相交区域处的多个选择元件、以及布置在所述选择元件与所述上部互连线之间的存储元件，其中，所述多个选择元件的每一个都形成在半导体图案中，所述半导体图案关于平行于所述下部互连线且垂直于所述上部互连线的平面实质呈镜像不对称。
非易失性半导体存储器件及其制造方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top