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[发明专利]一种二级库AGV取箱装置-CN202310956152.8在审
发明人：戴建伟;孙瑞泽;赵凌;龚卫勇 -专利权人：上海健麾信息技术股份有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二级库AGV取箱装置，包括AGV底盘、Y轴升降机构和至少一个取箱机构，AGV底盘用于按照设定路线行驶至仓库中需要存取箱子的坐标位置；Y轴升降机构包括焊接支架、升降伺服电机、两条Y轴向驱动链条和两根Y向直线导轨，Y轴升降机构的焊接支架底端通过支脚固定在AGV底盘上；每个取箱机构均包括行程放大机构、双侧齿形带组件、上盖板、左盖板和右盖板；所有的取箱机构从上至下依次设置在Y轴升降机构的焊接支架内。本发明的二级库AGV取箱装置，AGV底盘可带动取箱机器人按照设定路线行驶至仓库中任意需要存取箱子的坐标位置；Y轴升降机构带动取箱机构上升至箱子所在的高度位置，取箱机构可进行取放箱子，操作简单且实用性好。
一种二级 agv 装置

[发明专利]用于桡骨远端骨折的快速捆扎牵引夹板支具-CN202310849686.0在审
发明人：丁勇;祝丰奎;孙瑞泽;刘振宇;王柄棋;李璐 -专利权人：重庆市九龙坡区中医院
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A61F5/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于桡骨远端骨折的快速捆扎牵引夹板支具，包括：第一牵引臂、第二牵引臂、夹板组件和握持组件，第一牵引臂具有第一束带；第二牵引臂转动配合设置于第一牵引臂，第二牵引臂上具有第二束带，第二牵引臂的长度可调节；夹板组件用于夹持患者的前臂中远段及腕部；握持组件设置于第二牵引臂上。先用夹板组件对患者桡骨远端骨折复位后的前臂、腕部进行固定，通过第一牵引臂和第二牵引臂通过相应的夹板组件及束带对患者的前臂、腕部进行固定，然后将手握持于握持组件，通过施加向前拉力，最终完成对患者骨折复位后的固定，通过固定后腕部适度牵引，减少骨折发生复位丢失，通过握拳运动等减少患肢肿胀，进行康复训练治疗。
用于桡骨远端骨折快速捆扎牵引夹板

[发明专利]一种电梯断电故障监测系统和方法-CN201911357745.2有效
发明人：曹建民;黄强;孙瑞泽;王磊 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B66B5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电梯断电故障监测系统及方法，属于电气监测设备领域，用于监测包括电梯控制器和信号处理板之间用canbus总线相连的电梯，所述电梯断电故障监测系统包括监测平台和数据采集器，所述数据采集器与所述电梯控制器和信号处理板之间的canbus总线及监测平台信号连接；所述数据采集器包括光电隔离器、单片机、无线通信模块；所述光电隔离器、单片机、无线通信模块顺次信号连接。所述电梯断电故障监测系统解决了常规电梯发生电梯断电故障时不能够及时得到信息、及时处置(急修)的问题；减少了电梯故障所造成的损失，提高了电梯的运行维护水平。
一种电梯断电故障监测系统方法

[发明专利]一种基于智能体主动交互的操作技能学习方法-CN202310635937.5在审
发明人：赵永嘉;孙瑞泽;雷小永;戴树岭 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明公开一种基于智能体主动交互的操作技能学习方法，首先构建基于头盔显示器和操作手柄交互的虚拟现实系统。在虚拟环境中构建与真实3C装配环境一致的数字孪生环境，装配示范者以第一人称的操作方式控制虚拟智能体借助与真实装配环境相符合的工具、工艺设备、对虚拟环境中的工业产品进行装配操作，装配过程中涉及到的实体以及实体之间的操作可以被虚拟智能体通过部署在虚拟空间中的虚拟视觉与触觉传感器感知、并以感知为输入经过感知解析算法解析，感知到的信息与解析出的语义根据预定义的技能结构构建方法组织形成智能体对任务技能的理解，智能体将感知解析获得的知识与自身预具备的环境与技能知识进行对比与联想，并在此基础上以自然语言方式向示范者提出有利于技能学习的问题，示范者对这些问题做出评估与纠正，智能体依据反馈优化学习到的技能。
一种基于智能主动交互操作技能学习方法

[发明专利]一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构-CN202310672586.5在审
发明人： 孙瑞泽;王茁成;潘慈;王晨曦;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构。GaN功率器件多芯片堆叠封装结构包括GaN芯片、衔接板和底座基板。衔接板上有通孔和三个电极，第一和第二电极设置在衔接板的正面，第三电极则通过通孔设置在衔接板的背面；GaN芯片设置在衔接板上，GaN芯片的栅极和第一电极电性连接，GaN芯片的源极和漏极分别与第二和第三电极电性连接；衔接板可固定插入到底座基板上，GaN芯片可进行堆叠分布，并与底座基板对应的电极部分电性连接。相比于传统的GaN功率器件封装形式，本发明能够进一步减小PCB板上的占用面积，提高器件的功率密度。
一种 gan 功率器件芯片堆叠封装结构

[发明专利]分布式光伏谐波定量评估方法、系统、终端设备及介质-CN202310658384.5有效
发明人：孙媛媛;尹书林;许庆燊;丁磊;李亚辉;孙瑞泽;亓德民;单鹏博;李博文;孟广泽 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明涉及分布式光伏系统技术领域，具体公开了一种分布式光伏谐波定量评估方法、系统、终端设备及介质；方法包括：获取关注时间点公共耦合点处的电压，以及各条馈线的电流数据，形成馈线电流矩阵；计算各条馈线电流的互信息值；选取互信息值大于设定值的馈线，将所述馈线的电流数据相加作为馈线电流矩阵中新的一列数据，同时删除所述馈线在馈线电流矩阵中原来的电流数据，形成新的馈线电流矩阵；利用独立矢量分析算法对新的馈线电流矩阵进行运算，得到解耦后的分离矩阵；基于公共耦合点处的电压和分离矩阵，得到h次谐波的谐波定量评估结果。本发明可以准确评估分布式光伏接入下，谐波电流相关性较高的多条馈线的谐波责任。
分布式谐波定量评估方法系统终端设备介质

[发明专利]一种风电设备运输监测方法及系统-CN202310383803.9在审
发明人： 孙瑞泽;宁磊;敬浩先;王新安;徐斌;何志辉 -专利权人：深圳技术大学;深圳佳利达供应链管理有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01S17/931 文献下载
摘要：本发明公开了一种风电设备运输监测方法及系统，其中，方法通过在同一坐标系内为待运输的风电设备建立多级碰撞告警保护体后，实时获取运输路径上的障碍点云数据，通过判断障碍点云数据是否在多级碰撞告警保护体内，若是，则根据障碍点云数据在多级碰撞告警保护体内对应的等级向目标设备发送告警提示信息；否则，返回实时获取运输路径上的障碍点云数据；其解决了相关技术中，在进行风电设备运输时依赖人工协助看护存在的运输效率低、运输人工成本高、以及运输途中安全隐患大的技术问题，提供了一种效率高的、运输成本低的、安全的风电设备运输监测方法。
一种设备运输监测方法系统

[发明专利]基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法-CN202310303286.X在审
发明人：严辉;程健功;陈小青;张永哲;孙瑞泽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法，属于探测器技术领域。其步骤为：1)器件采用平面结构，电极为底电极；2)通过在钙钛矿前驱体溶液中添加PEAI或GuCl等抑制离子迁移的添加剂；3)在图形化电极阵列上旋涂钙钛矿来制备钙钛矿薄膜4)通过预先制备的图形化底电极对钙钛矿薄膜施加偏压，使其内部离子进行定向移动形成局部掺杂，在阵列各个单元器件中形成PN结；4)通过偏压极化后，阵列中各单元器件已形成光电二极管可在0V偏压下进行工作。
基于钙钛矿掺杂效应光电二极管阵列加工方法

[发明专利]一种基于机器学习指导下的高强韧钢设计方法-CN202110419561.5有效
发明人：岩雨;孙瑞泽;卢明星;宿彦京;乔利杰 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机器学习指导下的高强韧钢设计方法，包括步骤：S1)获取数据并填补缺失部分，形成数据集；S2)选择数据集中的特征数据，形成标准数据集；S3)构建高强韧钢的两个机器学习模型；S4)两个模型评估合格，训练完成；S5)找到前沿点，画出Pareto前沿面，区分已知区域和特征空间；S6)在特征空间内，对特征数据设置步长，画出网格空间，利用模型对每个网格点进行多次的训练预测，得到两个目标的预测高斯分布；S7)应用EGO算法寻找期望提升点，得出对应特征的设计参数值。本发明提供的基于机器学习指导下的高强韧钢设计方法，可帮助设计者便捷、快速的找到特征组合，从而实现高强韧钢成分工艺的设计，完成高强钢强韧性能的优化。
一种基于机器学习指导强韧设计方法

[发明专利]一种具有阳极肖特基接触的MOS栅控晶闸管-CN202310406552.1在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;郑崇芝;刘超;孙瑞泽;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有阳极肖特基接触的MOS栅控晶闸管。相对于传统的MOS栅控晶闸管，本发明在器件的阳极一侧引入N+阳极短路区，同时使N+阳极短路区和阳极金属形成肖特基接触。在耐压状态下承受dv/dt时，空间电荷区向下扫出的电子可以通过N+阳极短路区的肖特基接触直接流向阳极金属，不会在P+阳极区形成电子积累，从而不会导致P+阳极区产生空穴电流注入，减少了触发电流，从而大大提高了器件的dv/dt抗性，保障了器件和系统的整体可靠性。
一种具有阳极肖特基接触 mos 晶闸管

[发明专利]一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管-CN202310407779.8在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有强动态雪崩抗性的可关断晶闸管(GTO)，Gate turn‑off Thyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明的耐压层结构采用了和N型电场截止层相反的掺杂电荷构成P型漂移区，P型漂移区采用的掺杂浓度远低于N型电场截止层，同时也远低于P型基区的掺杂浓度，为主要耐压层。在关断时，本发明的可关断晶闸管耗尽区内部的电荷极性和通态电流带来的额外载流子极性相反，通态电流的增加不会增加器件内部的电场峰值，因此不会发生动态雪崩效应，大大提升了可以关断的电流。
一种具有动态雪崩抗性可关断晶闸管

[发明专利]一种具有高dv/dt抗性的MOS栅控晶闸管-CN202310406560.6在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;刘超;郑崇芝;孙瑞泽;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有高dv/dt抗性的MOS栅控晶闸管。相对于传统的MOS栅控晶闸管，本发明在器件的阳极一侧引入N+阳极短路区，并且在N型电场截止层和阳极结构之间加入N型电势截止层。在耐压状态下承受dv/dt时，空间电荷区向下扫出的电子可以通过N+阳极短路区直接流向阳极金属，不会在P+阳极区形成电子积累，从而不会导致P+阳极区产生空穴电流注入，减少了触发电流，从而大大提高了器件的dv/dt抗性，保障了器件和系统的整体可靠性。
一种具有 dv dt 抗性 mos 晶闸管

[发明专利]一种低关断损耗的SOI LIGBT-CN202310309447.6在审
发明人：陈兴欢;夏云;陈万军;孙瑞泽;刘超 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种低关断损耗的SOI LIGBT。本发明将SOI LIGBT的耐压层设置为由N型漂移区(3)和P型漂移区(4)横向排列的形式，形成NP横向排列漂移区，从而NP横向排列漂移区使器件内部形成了肖克来二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型漂移区，集电极：P型漂移区)和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区)构成，从而实现了更低的关断损耗。
一种低关断损耗 soi ligbt

[发明专利]一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管-CN202310406370.4在审
发明人：陈万军;周彭炜;夏云;刘超;孙瑞泽;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有低关断损耗以及高可关断电流的可关断晶闸管(GTO)，Gate turn‑off Thyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明在器件的采用PN叠型耐压层结构，其位于N型电场截止层上方以及P型基区下方，其由低掺杂的P型漂移区和低掺杂的N型漂移区相叠构成。在关断时，本发明可关断晶闸管电场峰值位于P型漂移区和N型漂移区的交界处，电场分别向阳极方向和阴极方向拓展，因此电场建立的更快，关断损耗更低。同时电场峰值位置的改变降低了最大电场，从而增加了可以关断的最大电流。本发明的有益成果：改善了关断时的电场分布，关断时关断损耗显著降低，同时最大可关断电流得到显著提升。
一种具有 pn 耐压结构可关断晶闸管

[发明专利]一种烟气痕量重金属半连续快速采样装置-CN202310117880.X在审
发明人：邹仁杰;罗光前;方灿;张浩宇;孙瑞泽;余鸣宇;李明达;陈凌轩;孙春辉;李泽华;李显;姚洪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种烟气痕量重金属半连续快速采样装置，属于污染物监测领域，该装置包括采样枪、集尘室、吸附室、抽气泵、缓冲室和排空阀，其中：采样枪与集尘室连接，用于采集采样烟气并送入集尘室；集尘室与吸附室连接，用于过滤采样烟气中的灰尘并送入吸附室；吸附室包括吸附管，吸附室通过抽气泵与缓冲室连接形成闭环回路，用于使采样烟气在吸附室与缓冲室之间循环，保证采样烟气中的重金属完全被吸附管吸附，以实现痕量金属测量；排空阀设置在抽气泵与缓冲室之间，用于排空吸附室与缓冲室内部的采样烟气。本发明可将小时级浓度值缩短为分钟级浓度值，极大缩短了烟气采样时间，提高采样结果的准确性和实时性，降低烟气重金属的检出限。
一种烟气痕量重金属连续快速采样装置

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