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[实用新型]一种家庭网络路由器用墙壁安装装置-CN202121548639.5有效
发明人： 孙瑞泽;王佳俊 -专利权人：大庆万为视讯科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04L45/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种家庭网络路由器用墙壁安装装置，包括安装框，所述安装框内部安装有路由器本体，所述路由器本体底面设有若干透气孔，所述安装框底端中部设有散热扇，所述散热扇通过螺钉固定在安装框端，所述安装框底面每个边中部均倾斜设置有斜撑杆，所述斜撑杆底端设有连接轴，所述连接轴底端转动连接有安装座，本实用新型解决现有的路由器使用时摆放在桌面上容易造成桌面上导线杂乱，影响路由器的美观性，同时这样路由器的安装方式不方便后期对网络进行检修处理的问题，通过对路由器的安装结构进行改良和优化，使得路由器能够安装在墙壁上，且方便对于路由器的网线进行束线。
一种家庭网络路由器用墙壁安装装置

[实用新型]一种交换机端口用芯片安装结构-CN202121548638.0有效
发明人：王佳俊;孙瑞泽 -专利权人：大庆万为视讯科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种交换机端口用芯片安装结构，包括底壳、顶壳和芯片座，所述底壳包括主壳和散热管，所述散热管安装在主壳的中部，且散热管与主壳固定连接，所述顶壳安装在主壳的上端，且顶壳与主壳纵向滑动连接，所述芯片座安装在主壳的中部，且芯片座与主壳滑动连接，保证使用者需要安装的时候可以稳定的通过滑动底壳和顶壳之间的位置来达到改变设备整体的长度，这样当设备在不同尺寸的壳体内部安装的时候就可以灵活的进行调整使用，使用者还可以通过控制散热风机来实时的为散热管进行降温作业，保证主壳内部的环境可以及时的进行散热使用。
一种交换机端口芯片安装结构

[实用新型]一种便于安装的交换机散热风扇-CN202121549076.1有效
发明人： 孙瑞泽;王佳俊 -专利权人：大庆万为视讯科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装的交换机散热风扇，包括上壳体、下壳体和散热机构，所述上壳体位于下壳体的上方，所述散热机构位于下壳体内并连接，所述散热机构包括支架、多个风扇和过滤器件，多个所述风扇位于支架的侧边且均分分布，所述过滤器件位于风扇靠近支架的一侧并一一对应，本实用新型解决现存的交换机缺乏便于拆装的散热机构，不利于工作人员拆卸并维修交换机的散热机构的问题。
一种便于安装交换机散热风扇

[发明专利]一种加速药剂溶解的震荡装置-CN202111083746.X在审
发明人：戴建伟;龚卫勇;王勇;任清华;孙瑞泽;戴秋杰 -专利权人：上海健麾信息技术股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B01F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种加速药剂溶解的震荡装置，包括底板、马达安装板、震荡马达、气缸固定板、气缸、托盘固定架、托盘和压紧夹具，马达安装板位于底板的上方，马达安装板的四个角分别通过一固定柱与底板相连，每个固定柱上套接一个压缩弹簧，且压缩弹簧位于马达安装板和底板之间；震荡马达设置在马达安装板的顶端；气缸固定板竖向设置在马达安装板的顶端；托盘固定架和气缸一前一后地设置在气缸固定板上；托盘设置在托盘固定架的顶端；压紧夹具设置在气缸的顶端；压紧夹具的前侧的下表面设置有压紧胶条。本发明的加速药剂溶解的震荡装置，可以批量震荡已注入溶剂的西林瓶，辅助药剂溶解，提高工作效率。
一种加速药剂溶解震荡装置

[发明专利]一种具有隔离结构的氮化镓集成电路-CN202111032078.8在审
发明人： 孙瑞泽;罗攀;刘超;陈万军 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术，特别涉及一种具有隔离结构的氮化镓集成电路，相对于传统的凹槽隔离，本发明在凹槽隔离结构内填充有p型半导体材料，填充的p型半导体材料与缓冲层形成耗尽区，实现对氮化镓集成电路模块的电学隔离；同时通过改变凹槽结构和填充物的形状、大小以及填充材料的掺杂浓度，可以与缓冲层形成不同大小和形状的耗尽区域,达到理想的隔离效应。本发明的效应效果：通过对缓冲层的耗尽可以达到良好的隔离效果；制备简单，实用性强，不引入额外的电流源或电压源。
一种具有隔离结构氮化集成电路

[发明专利]一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件-CN202110959414.7在审
发明人：郑崇芝;信亚杰;段力冬;王方洲;孙瑞泽;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种抑制短沟道效应的p‑GaN HEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的位于AlGaN势垒层上方的p‑GaN层不仅包括厚度较大的、使器件实现增强型器件功能的p‑GaN层，还包括厚度较小的经过凹槽刻蚀的p‑GaN。当器件漏极的电压较高时，凹槽刻蚀的p‑GaN层下方的2DEG耗尽，能够承受漏极电压，从而使厚度较大的p‑GaN层一侧的电位钳位，从而降低短沟道效应。本发明的器件能降低处在高漏偏压时阈值电压的减小量，同时能够提升击穿电压。另外，本发明工艺与传统p‑GaN HEMT器件制备工艺完全兼容。
一种抑制沟道效应 gan hemt 器件

[实用新型]一种精密仪器加工用打磨设备-CN202120813579.9有效
发明人：李睿哲;孙瑞泽;王子帅;马晓毅;赵俊宏 -专利权人：李睿哲
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B24B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精密仪器加工用打磨设备，包括固定结构和降温结构，开启电机，齿条带动橡皮垫滑动，当第一电导片和第二电导片相接触，这时第一电磁铁和第二电磁铁通电相吸，第一电磁铁带动第四电导片移向第二电磁铁处，第四电导片和电三电导片分离后，第一电路断开，电机停止转动，防止夹持过紧对加工品造成损坏，在降温结构中，开启抽水机，对加工品和打磨机进行冲洗降温，冲洗后水又会经过第一水箱上表面的漏孔流入到第一水箱中，第一水箱与第二水箱通过连通管连通，从而可以实现水的循环利用，节约了水资源，打磨完后将第一水箱上的垃圾经过斜板清扫入固体收集箱中，避免碎屑垃圾对环境的污染。
一种精密仪器工用打磨设备

[实用新型]一种硅酮密封胶耐高温测试装置-CN202120398813.6有效
发明人： 孙瑞泽 -专利权人：濮阳市昌盛胶业科技有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅酮密封胶耐高温测试装置，包括设置于测试箱内的测试腔，所述测试箱顶端转动连接有啮合齿轮，所述测试箱内测试腔的顶端转动连接有转动杆，所述转动杆与啮合齿轮固定连接，所述转动杆远离啮合齿轮的另一端通过电动伸缩杆一固定连接有转动盘，所述测试箱顶端固定连接有电动伸缩杆二，所述电动伸缩杆二的末端通过压力传感器与驱动板固定连接，所述测试腔内部顶端在位于对应测试板的上端通过电动伸缩杆三固定连接有升降板，所述测试腔的两侧壁均设有加热丝和风扇，所述测试腔底端设有温度传感器，本实用新型具有可以同时检测密封胶受温湿度的影响，测试更加符合暴露在空气中的实际情况，检测精度高等优点。
一种硅酮密封胶耐高温测试装置

[实用新型]一种改性密封胶自动炼胶机-CN202120398867.2有效
发明人： 孙瑞泽 -专利权人：濮阳市昌盛胶业科技有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B29B7/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改性密封胶自动炼胶机，包括箱体、移动组件和下料组件；所述箱体的前侧开设有取料口，所述箱体的底侧四周分别设有支腿；所述移动组件包括滑槽、滑块和第一电动推杆，所述箱体的左右两侧分别开设有两个前后对称的滑槽，该滑槽内分别滑动连接有滑块，所述滑块为“工”形结构，所述滑槽彼此远离的一侧分别设有第一电动推杆，所述第一电动推杆的伸缩端分别固定在滑块的一侧，所述滑块彼此靠近的一侧转动连接有第二转动轴，左端所述滑块的左侧分别设有电机，所述第二转动轴的左端分别穿过滑块的左侧与电机的输出轴连接，该改性密封胶自动炼胶机，结构简单、操作方便、安全性高。
一种改性密封胶自动炼胶机

[实用新型]一种硅酮密封胶加工用高效冷却机构-CN202120355644.8有效
发明人： 孙瑞泽 -专利权人：濮阳市昌盛胶业科技有限公司
申请日： 2021-02-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： F28D11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅酮密封胶加工用高效冷却机构，包括底座和转动组件；所述底座的上侧固定有两个前后对称的支撑板，所述支撑板的上侧设有外筒体，所述外筒体为中空结构，所述外筒体的左右两端内侧分别开设有滑槽，该滑槽内分别转动连接有环形板，所述环形板的内侧固定有内筒体，所述内筒体的外侧设有第一螺旋输送片，所述内筒体的内侧设有第二螺旋输送片，所述内筒体的右侧上端开设有进料口，该进料口处活动连接有进料挡板，所述内筒体的左侧底端开设有出料口，该出料口处活动连接有出料挡板，所述外筒体的左端上侧设有进水管，该硅酮密封胶加工用高效冷却机构，结构简单、成本较低、更适合广泛使用。
一种硅酮密封胶工用高效冷却机构

[实用新型]一种自定位式密封胶灌装压料出料装置-CN202120355721.X有效
发明人： 孙瑞泽 -专利权人：濮阳市昌盛胶业科技有限公司
申请日： 2021-02-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B65B43/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自定位式密封胶灌装压料出料装置，包括底座、升降组件和转动组件；所述底座上侧的左右两端分别设有竖板，所述竖板彼此靠近一侧的上端固定有第二固定板，所述第二固定板内设有两个左右对称的出料罐，所述底座的上侧设有两个与出料罐上下对应的定位板；所述升降组件包括耳板、第一电动推杆和第一固定板，所述竖板远离第二固定板一侧的中部分别固定有耳板，所述耳板的上端分别设有第一电动推杆，所述第一电动推杆的伸缩端固定有第一固定板；该自定位式密封胶灌装压料出料装置，能够避免密封胶发生溢出的现象、减少了浪费、能够防止残留的密封胶附着在出料罐的内侧。
一种定位密封胶灌装压料出料装置

[发明专利]一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202110868565.1在审
发明人： 孙瑞泽;罗攀;王方洲;刘超;陈万军 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少两个pGaN结构，其中第一pGaN结构为栅pGaN结构，上表面与栅极金属相连，其余pGaN依次间隔的设置在势垒层上，被介质层隔离开来。势垒层一端设置有源极金属，形成欧姆接触，另一端设置有漏极金属，形成欧姆接触，漏极金属与除第一pGaN结构的其余pGaN结构相连。正向导通时，与漏极金属相连的pGaN间隔下的二维电子气导电，器件开启电压小；反向阻断时，间隔处的二维电子气在反向偏置下迅速耗尽，形成耗尽区，提高器件阻断能力。
一种逆阻型氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件-CN202110861761.6在审
发明人：郑崇芝;信亚杰;段力冬;王方洲;孙瑞泽;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种低导通电阻高跨导的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的器件buffer层为p型掺杂的缓冲层。由于缓冲层存在自由移动的空穴，2DEG沟道与p型buffer层之间形成等效的寄生电容，使器件栅源间寄生电容增大，从而提升器件的工作电流，也即降低器件的导通电阻。另外由于p型缓冲层的存在，使AlGaN/GaN界面三角势阱变窄，从而提升栅极控制2DEG沟道的能力，也即提升器件的跨导。研究结果表明，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，在同等量级击穿电压的条件下，导通电阻能够降低46.1％，跨导峰值提升26.9％。此外，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，除去本发明器件的buffer外延层需要p‑型掺杂外，后续器件制备工艺与传统p‑GaN HEMT器件制备工艺完全兼容。
一种通电阻高跨导 gan hemt 器件

[实用新型]一种可收集灰尘的落砂机-CN202120002594.5有效
发明人： 孙瑞泽 -专利权人： 孙瑞泽
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B22D29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可收集灰尘的落砂机，包括落砂机本体，落砂机本体的一侧固定连接有连接板，连接板的顶部固定连接有处理箱，处理箱顶部设置有风机，风机的输入端连通有连接管，连接管远离风机的一端延伸至落砂机本体的顶部并固定连接有扩风罩。本实用新型通过风机与扩风罩将清理时漂浮的灰尘排入处理箱内部，含带有灰尘的空气与滤箱接触并完成过滤，能够达到对灰尘进行收集的效果，避免使用者受到灰尘的影响，解决了现有的落砂机不具备对灰尘进行收集的效果，漂浮的灰尘容易对使用者的视线造成影响，同时使用者在吸入大量灰尘后会引发呼吸道疾病的问题。
一种收集灰尘落砂机

[发明专利]一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件-CN202110716823.4在审
发明人：陈万军;信亚杰;段力冬;孙瑞泽;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种具有ESD栅极防护的p‑GaN HEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明基于增强型p‑GaN HEMT器件，限流电阻组成具有自触发功能的栅极ESD防护电路。本发明利用ESD发生时产生的瞬态随时间增大的电压，再通过第一限流电阻和第二限流电阻之间的分压，在第二增强型器件的栅极产生一个大于阈值电压的信号，实现第二增强型器件的开启来泄放ESD电荷，从而对p‑GaN HEMT器件栅极的防护。相比于传统p‑GaN HEMT器件，栅极ESD失效电压能够提升19倍以上，不牺牲其他电学特性。其次，由于该发明制备过程与增强型p‑GaN HEMTs工艺兼容，能够大幅降低与传统p‑GaN HEMT器件集成时的制备工艺难度。
一种具有 esd 栅极防护 gan hemt 器件