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[发明专利]一种Fe-P-C-B-Al非晶/纳米晶合金薄带及其制备方法和在降解染料中的应用-CN202210876684.6有效
发明人：常浩;张涛;王剑锋;孙世闯;王艳艳 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高效降解染料的Fe‑P‑C‑B‑Al非晶/纳米晶合金薄带及其制备方法与应用。所述Fe‑P‑C‑B‑Al非晶/纳米晶合金薄带由铁、铝、硼、碳和磷元素组成，各元素的原子百分比如下：2%≤硼≤7%，2%≤碳≤7%，3%≤磷≤10.5%，80%≤铁≤85%，0.5%≤铝≤3%。本发明的Fe‑P‑C‑B‑Al非晶/纳米晶合金薄带表现出优异的催化降解性能和非晶形成能力，此薄带脆性比较大，在反应过程中容易破碎，增加了反应接触面积，提高反应效率，且抗氧化能力较强，稳定性好，降解后容易形成絮凝物，是良好的染料降解催化剂，具有广泛的商业化应用前景。
一种 fe al 纳米合金及其制备方法降解染料中的应用

[发明专利]实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件-CN201710219041.3有效
发明人：李夏珺;张宝顺;蔡勇;于国浩;付凯;张志利;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现高频MIS‑HEMT的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设第一介质层，并对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体；对与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导进行减薄和表面处理；在与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极与漏极；对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的栅区域对应的所述第三半导体；在与所述异质结构的栅区域对应的第三半导体上设置复合结构栅介质，以及制作源极、漏极和栅极，使所述栅极分布于所述源极和漏极之间。
实现高频 mis hemt 方法器件

[发明专利]改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件-CN201710212313.7有效
发明人：李夏珺;张宝顺;蔡勇;于国浩;付凯;张志利;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设介质层，并对所述介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源、漏区域对应的所述第三半导体；对所述被暴露部分的第三半导进行减薄处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻；对所述被暴露部分的第三半导体的表面进行处理，以增加被暴露部分的第三半导体的表面粗糙度；在所述被暴露部分的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极和漏极，在介质层上制作与所述异质结构连接的栅极，所述栅极分布于源极与漏极之间。
改善 iii 氮化物 mis hemt 欧姆接触方法器件

[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法-CN201510166798.1有效
发明人：张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，第一半导体设置于源、漏电极之间，栅电极设于第二半导体表面，第二半导体内还包含P型掺杂区，P型掺杂区分布于栅电极下方但在第一半导体上方，栅电极包括：与第二半导体形成肖基特接触的、作为离子注入能量吸收层的第一栅电极材料层，以及叠设在第一栅电极材料层上的第二栅电极材料层。本发明可以有效的实现增强型HEMT器件，并且器件的阈值电压可以通过注入的离子剂量而调节，制作工艺简单、重复性好，适合工业化生产。
氮化物增强 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法-CN201510765108.4有效
发明人：邓旭光;张宝顺;蔡勇;范亚明;付凯;于国浩;张志利;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构，其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、Al
基于 si 衬底 gan 外延结构及其制备方法

[发明专利]刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法-CN201510160921.9有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统，其包括宽光谱光源、滤波器、刻蚀电源、刻蚀溶液、阴极板，刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源和刻蚀样品之间串联形成刻蚀回路，将刻蚀样品位于器件栅电极下端的势垒层Al_xGa_(1‑x)N通过电化学的方法全部刻蚀，减弱势垒层的极化效应从而将二维电子气耗尽，实现HEMT器件在零栅偏压的时候处于关断状态，达到由常开型HEMT器件向常关型HEMT器件的转变，并且通过使用滤波器调节光源的波长，实现电化学刻蚀势垒层的自停止。本发明还揭示了一种刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法。本发明有效地实现了增强型HEMT，且其具有工艺简单，刻蚀自停止，重复性高，成本低廉，刻蚀损伤小，易于进行大规模生产等特点。
刻蚀停止实现增强 hemt 器件系统方法

[发明专利]GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法-CN201510577654.5有效
发明人：张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;邓旭光 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第二半导体上生长形成栅介质层；刻蚀除去与漏电极对应区域的栅介质层，并制作漏电极，且使漏电极与形成于异质结构中的二维电子气形成欧姆接触；采用自对准工艺进行栅、源电极的制作，使源、栅电极分别与第二半导体和栅介质层形成肖特基接触。本发明充分利用电子遂穿效应实现了HEMT器件以常关型工作模式运行，提高了器件应用的安全性，并且功耗低，特别是通过采用自对准工艺，降低了工艺难度和器件的成品率，重复性好，利于工业化生产。
gan 增强型遂穿 hemt 通过对准实现方法

[发明专利]一种电化学刻蚀P型氮化物实现增强型HEMT的方法-CN201510590876.0有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;潘革波;于国浩;付凯;孙世闯;宋亮;秦双娇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种电化学刻蚀实现增强型HEMT的方法，包括：提供刻蚀样品，其外延结构包括：主要第一、第二半导体层组成的异质结构，以及设置于第二半导体层上并能耗尽该异质结构导电沟道中二维电子气的第三半导体层，且第三半导体层的导电性高于第二半导体层；在第三半导体层上设置图形化刻蚀掩膜，并使第三半导体层上从刻蚀掩膜中露出的区域直接暴露于刻蚀溶液中，以及向第三半导体层提供设定强度的刻蚀电流，从而实现对第三半导体层的电化学刻蚀，使电化学刻蚀过程在除刻蚀掩膜覆盖区域的第三半导体层被完全刻蚀时自停止。由本发明可以有效实现增强型HEMT，且具有工艺简单，刻蚀自停止，重复性高，成本低廉，刻蚀损伤小，易于大规模生产等特点。
一种电化学刻蚀氮化物实现增强 hemt 方法

[发明专利]通过电化学腐蚀实现增强型HEMT器件的方法及系统-CN201510160870.X有效
发明人：蔡勇;张志利;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通过电化学腐蚀实现增强型HEMT器件的系统，包括刻蚀光源、刻蚀电源、刻蚀溶液、阴极板和刻蚀样品，刻蚀溶液、阴极板、刻蚀电源和刻蚀样品之间串联形成刻蚀回路，将刻蚀样品位于器件栅电极下端的势垒层Al_xGa_(1‑x)N通过电化学的方法全部刻蚀，减弱势垒层的极化效应从而将二维电子气耗尽，实现HEMT器件在零栅偏压的时候处于关断状态，达到由常开型HEMT器件向常关型HEMT器件的转变。本发明还揭示了一种实现增强型HEMT器件的电化学刻蚀方法。本发明有效实现了增强型HEMT，且其具有工艺简单，重复性高，成本低廉，刻蚀损伤小，易于进行大规模生产等特点。
通过电化学腐蚀实现增强 hemt 器件方法系统

[发明专利]通过光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法-CN201510591324.1有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;潘革波;于国浩;付凯;孙世闯;宋亮;秦双娇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法，包括：提供刻蚀样品；在刻蚀样品表面设置图形化掩膜，从而暴露出刻蚀表面；将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在刻蚀溶液中，并以刻蚀光线至少照射所述刻蚀表面，从而使所述刻蚀溶液于刻蚀表面处刻蚀所述刻蚀样品，同时形成能够在所述刻蚀溶液中稳定存在的刻蚀产物，而且当在所述刻蚀样品上刻蚀出对应于所需凹栅结构的凹槽结构时，所生成的刻蚀产物足以将所述刻蚀表面钝化而导致刻蚀自停止。本发明可有效地实现增强型HEMT，并且具有工艺简便，刻蚀自停止，重复性高，刻蚀损伤小，设备简单，成本低廉，易于进行大规模生产等特点。
通过辅助刻蚀停止实现增强 hemt 器件系统方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法-CN201510161362.3有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法。该器件包括源、漏、栅极以及异质结构，源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，兼作为栅介质层的能量阻挡层形成于第二半导体表面，同时能量阻挡层和第二半导体内还设有用以耗尽异质结构内的相应沟道中二维电子气的离子注入区，栅极设置在位于离子注入区上方的能量阻挡层表面，且还与能量阻挡层和第二半导体形成MIS结构，同时栅极还将离子注入区完全遮掩。本发明可以实现低栅漏电、低导通电阻的Ⅲ族氮化物增强型MIS‑HEMT器件，且工艺简单，成本低廉，易于大规模生产。
氮化物增强 mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件-CN201510229392.3有效
发明人：于国浩;张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法，其包括：至少提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，其中，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构内还分布有二维电子气；以及在所述第二半导体上的选定区域分两次以上进行离子注入形成离子注入区，且至少在选定的一次离子注入完成后，还对器件进行退火处理，将离子注入带来的器件损伤修复；所述离子注入区分布于栅电极下方并位于第一半导体上方，用以耗尽栅下的二维电子气。本发明还公开了一种增强型HEMT器件。本发明可以有效的实现增强型HEMT器件，并且器件的阈值电压可以通过注入的离子剂量而调节，制作工艺简单、重复性好，适合工业化生产。
降低注入损伤实现增强 hemt 器件方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法-CN201510166797.7有效
发明人：张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结等，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，其中所述HEMT的源电极还与GaN激光器的P型电极电性连接。本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。
氮化物 hemt gan 激光器集成单片及其制作方法

[发明专利]通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统-CN201610250596.X有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统。所述方法包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间的电流变化实现对所述刻蚀样品的刻蚀监控，并相应的实时调整刻蚀条件，从而实现凹栅增强型HEMT器件的精确、可控的制备。所述系统包括：具有与刻蚀样品相同的外延结构的陪片，电流监控装置以及控制单元。本发明有效解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度而产生的诸多缺陷，可以实现对刻蚀过程的实时监控和及时调整，且设备简单，成本低廉，适于大规模生产。
刻蚀样品增强型HEMT器件刻蚀监控凹栅刻蚀制备刻蚀条件电流监控装置电流变化刻蚀表面刻蚀过程刻蚀环境刻蚀技术刻蚀设备刻蚀位置实时调整实时监控外延结构有效解决电极可控的监控暴露

[发明专利]通过原位刻蚀监控实现P型氮化物增强型HEMT的方法及系统-CN201610250471.7有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控原位刻蚀P型半导体HEMT器件的方法及系统。在本发明的一典型实施案例中，通过将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在等离子体中，并将镀有电极的陪片放置在刻蚀设备内的、与所述样品等效的刻蚀位置，使得所述样品上的刻蚀速率与陪片上的刻蚀速率相同，因此可以通过陪片上两个电极之间电流的变化监测样品上P型半导体的刻蚀情况，之后将得到的电流信号输入到计算机，并以计算机控制刻蚀条件，即可以实现可控、精确及带有反馈的刻蚀工艺。本发明有效的解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度所导致的诸多缺陷，可以高精度及高重复性的实现P型盖帽层增强型HEMT器件的制备。
刻蚀刻蚀条件电极等离子体增强型HEMT器件计算机控制变化监测电流信号高重复性刻蚀表面刻蚀工艺刻蚀技术刻蚀监控刻蚀设备刻蚀位置刻蚀样品盖帽层增强型可控制备反馈监控计算机暴露

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