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[实用新型]一种浇注铸造水表壳表面浇点去除装置-CN201921298554.9有效
发明人：赵清田;张永志;姜春亮;刘常斌 -专利权人：临沂市鲁蒙水表制造有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B24B9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供的浇注铸造水表壳表面浇点去除装置所述滑轨两侧的两排所述滚动柱分别对接上料的传送带和下料的传送带，方便将大型的水表壳的输送，所述龙门吊利用包含三个挂钩的所述吊钩吊水表进水口出水口和表芯放置腔，所述龙门吊将水表壳吊起输送到所述治具处并安置在所述治具上，无需人工抬动水表壳，更加省力；所述治具沿所述滑轨将水表壳送到所述气缸下，所述气缸充气使得所述夹板下移抵触夹固所述治具上的水表壳，水表壳固定的更加牢固；工人控制所述电机沿所述第二滑轨向治具上的水表壳靠近，所述电机输出端固定的砂轮将水表壳上的浇点磨掉。
一种浇注铸造水表表面去除装置

[发明专利]半导体器件的制作方法和半导体器件-CN201510012857.X有效
发明人： 姜春亮;蔡远飞;何昌 -专利权人：北大方正集团有限公司;北京北大方正电子有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法和一种半导体器件，其中，所述半导体器件的制作方法，包括：在形成有外延层的衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层；对多晶硅层的第一区域和第二区域进行刻蚀，以形成第一栅极和第二栅极；通过所述第一区域和所述第二区域向所述外延层进行离子注入，依次形成P型阱区以及N型重掺杂区；在P型阱区以及N型重掺杂区的上方形成侧墙氧化层；在通过离子注入形成的P型重掺杂区的上方形成金属接触孔；在形成有金属接触孔的衬底的两个表面分别形成第一金属层和第二金属层，以得到半导体器件。通过本发明技术方案，实现了半导体器件以不同的开关速度控制电路的导通与断开的效果，满足了不同的半导体器件的设计需求。
半导体器件制作方法

[实用新型]一种水表壳加工点位位置检测装置-CN201921298096.9有效
发明人：赵清田;张永志;姜春亮;刘常斌 -专利权人：临沂市鲁蒙水表制造有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的水表壳加工点位位置检测装置包括：大圆板、小圆板、插块、滑杆、滑动板、插杆以及插板，所述小圆板同轴固定于所述大圆板所述小圆板的侧壁设置所述插块，所述插块对应水表壳内侧凹槽，所述大圆板的另一侧设置有所述滑杆，所述滑杆上滑动连接有所述滑动板，所述滑动板相对所述大圆板的一侧固定有所述插杆以及所述插板，所述插块所述插杆以及所述插板的位置分布符合水表壳加工点位标准位置，向下移动所述滑动板所述插杆以及所述插板插入到水表壳外侧凹槽和钻孔中那么水表壳合格，如果不行则水表壳上加工点位位置度不合格。检测方便，效率高。
水表壳滑动板插板插杆插块大圆小圆板点位滑杆加工位置检测装置本实用新型标准位置滑动连接内侧凹槽同轴固定外侧凹槽位置分布向下移动位置度侧壁钻孔检测

[发明专利]一种混合整流二极管及其制作方法-CN201510259943.0有效
发明人： 姜春亮;蔡远飞;何昌 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合整流二极管及其制作方法，该二极管的有源区由若干个单胞并联构成，所述单胞包括依次层叠设置的背面金属层、N+衬底区、N‑外延层、位于N‑外延层内的P+有源区结、位于N‑外延层上的正面金属层；其特征在于，所述单胞还包括一绝缘层，所述绝缘层在所述N‑外延层之上且在所述正面金属层之下，并依次分段设置在所述P+有源区结的两侧且至少有一侧与所述P+有源区结不相连接，位于所述绝缘层与所述P+有源区结不相连接处的的所述正面金属层与所述N‑外延层接触形成肖特基势垒，用以实现使反向漏电流减小的作用。
一种混合整流二极管及其制作方法

[发明专利]一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管-CN201610331067.2有效
发明人：李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其中快恢复二极管的制造方法包括：提供一衬底，在衬底的表面上形成N型区域层，在N型区域层上形成P型区域层，在P型区域层上形成铂结构，在衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃，对P型区域层上形成的铂结构进行加热处理，去除P型区域层上残留的铂以及衬底的底面形成的硼磷硅玻璃，在去除残留的铂后的P型区域层上形成第一电极，并在去除硼磷硅玻璃后的衬底的底面形成第二电极。本发明快恢复二极管的制造方法，在扩铂的同时使用硼磷硅玻璃对铂进行吸收，能在保证N型区域内铂浓度不变的情况下，减少衬底区的铂浓度，进而减少器件反向恢复时间，降低器件正向压降。
一种恢复二极管制造方法

[实用新型]一种改进型造型线压铁-CN201920152752.8有效
发明人： 姜春亮;文富柱 -专利权人：山东金凯电力金具有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B22D33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及型造型线压铁技术领域，且公开了一种改进型造型线压铁，包括基板，所述基板的底部固定连接有底板，所述基板前后两侧的左右两侧均固定连接有方形块，所述底板的前后两侧均固定连接有侧板，所述基板和所述底板的顶部均开设有连通的浇注口。本实用新型通过在原有的基础上增加其本身的重量，加厚压铁厚度，增加压铁重量，解决了重量偏轻，压铁效果差的问题，避免出现的铸造缺陷多，涨箱、跑火，铸造合格率偏低的问题，减少浪费的情况出现，通过对一号槽和二号槽方向的改进，解决了现有的排气槽的方向与刮砂板不一致的问题，更加的便于刮砂，避免压铁底部粘砂的情况，增加了底板底部的平整性，提高了的压铁效果。
压铁底板基板本实用新型造型线铸造左右两侧加厚不一致方形块改进型刮砂板浇注口排气槽平整性原有的侧板刮砂粘砂连通合格率改进

[实用新型]一种铁道帽的槽口加工定位装置-CN201920152761.7有效
发明人： 姜春亮;杨伟超 -专利权人：山东金凯电力金具有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁道帽的槽口加工定位装置，包括机床导轨板及设置在机床导轨板上的工件固定机构，所述工件固定机构包括工件固定板、挡板和多组定位块，所述挡板设置在工件固定板侧表面，所述工件固定板上表面开设有多组尺寸与铁道帽尺寸相互对应的置纳槽，所述置纳槽由第一半圆撑槽口和第二半圆撑槽口组成，每组所述定位块均分别固定安装在工件固定板上表面的第一半圆撑槽口两侧，定位块表面均开设有两个腰圆型半沉孔，本实用新型能够满足不同尺寸铁道帽的两侧定位，能够很方便的对不同尺寸的铁道帽进行定位，且稳定，提高了铁道帽加工的质量。
工件固定板槽口半圆撑工件固定机构本实用新型机床导轨板挡板定位块上表面置纳槽加工定位装置定位块表面半沉孔侧表面腰圆型加工

[实用新型]一种铁道帽的槽口加工工装-CN201920153096.3有效
发明人： 姜春亮;杨伟超 -专利权人：山东金凯电力金具有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁道帽的槽口加工工装，包括机床导轨板及设置在机床导轨板上的工件紧顶机构和工件固定机构，所述机床导轨板上表面均匀开设有三条T型滑槽，所述工件紧顶机构及工件固定机构分别设置在机床导轨板上表面的相邻的两条T型滑槽位置处。与现有技术相比，本实用新型每次能够装夹多组铁道帽，相比传统铣床的加工工装，该装置节省了来回装、卸工件的时间，大大提高了工作效率，本实用新型通过工件固定板和液压油顶相互配合来对铁道帽进行固定，铁道帽放置稳定，方便控制，无需人工手动进行夹紧，降低了工人的劳动强度，降低了工件生产的成本。
机床导轨板本实用新型工件固定机构加工工装上表面工件固定板传统铣床放置稳定工作效率均匀开设人工手动液压油顶位置处槽口夹紧装夹配合生产

[实用新型]一种铁帽的大口加工装置-CN201920153099.7有效
发明人：张永志;姜春亮 -专利权人：山东金凯电力金具有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁帽的大口加工装置，包括支撑台，所述支撑台的上端外表面设置有滑轨，所述滑轨的上端活动安装有滑动板，且滑动板的下端外表面通过螺丝螺纹连接有底板，其中所述滑动板的上端外表面螺丝连接有支撑板，且支撑板的上端外表面靠近前端的位置螺丝连接有定位块，所述支撑板的上端外表面靠近后端的位置焊接有卡块固定板。本实用新型通过设置的第一气缸控制上卡块，使其与下卡块扣合将加工工件卡紧，同时第二气缸控制滑动板前后移动使得刀头与加工工件接触对其进行加工，整个加工过程通过气缸控制不需要人工操作，提高生产效率的同时也降低了生产成本与劳动强度，使得该加工装置的使用体验更好。
上端外表面滑动板气缸控制支撑板本实用新型加工工件加工装置支撑台滑轨底板活动安装螺丝连接螺丝螺纹前后移动人工操作生产效率位置螺丝定位块固定板上卡块上端大口刀头卡紧卡块铁帽下端下卡焊接生产成本加工

[发明专利]一种DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件-CN201510295736.0有效
发明人： 姜春亮;蔡远飞;何昌;李理 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了双扩散金属氧化物半导体DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件。本发明实施例中通过在N型衬底上形成N型外延层、栅氧化层和掺杂的多晶硅层，并形成栅极区域及凹槽；在所述N型外延层内形成P型体区,在所述P型体区内形成N型源区；刻蚀形成肖特基接触区域；淀积金属层，在肖特基接触区域形成肖特基接触区，形成源极和漏极。本发明实施例中使得金属层与N型外延层形成肖特基接触区。当DMOS器件工作在正向导通时，减少了在漂移区的存储电荷，以及反向恢复电荷；当DMOS器件处在反向阻断状态时，降低了肖特基接触的电场，提升了肖特基接触击穿电压和减小了漏电流，使DMOS器件满足应用时的击穿电压和漏电要求。
一种 dmos 器件有源制作方法

[发明专利]场效应管的制造方法-CN201510536129.9有效
发明人：蔡远飞;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应管的制造方法，先后在外延基片上进行两次多晶硅生长，并将两次生长的多晶硅区用二氧化硅隔离开，其中，第一多晶硅区与栅极和源极对应，第二多晶硅区与齐纳二极管区对应，通过将第一多晶硅区和第二多晶硅区分开制作，并单独调整各自的离子注入参数，将齐纳二极管的多晶硅与栅极多晶硅分开制作，使齐纳二极管的参数可以单独调整，从而可以提高齐纳二极管的性能，和可靠性，使MOSFET的综合性能达到最优。
场效应制造方法

[发明专利]双扩散金属氧化物晶体管制作方法及晶体管器件-CN201410037660.7有效
发明人：何昌;蔡远飞;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种双扩散金属氧化物晶体管制作方法和一种双扩散金属氧化物晶体管器件，其中，双扩散金属氧化物晶体管制作方法包括：在N型硅半导体外延层的表面依次生长栅氧化层和淀积多晶硅层，在多晶硅层上形成多晶硅窗口；通过多晶硅窗口向N型硅半导体外延层注入掺杂元素，形成P型体区；通过多晶硅窗口向P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域；向多晶硅窗口第一次注入P型掺杂元素，在多个源极区域之间形成P型阱区；在形成有P型阱区的衬底上淀积介质层；打开多晶硅窗口区域中的源极接触孔，去除接触孔内的部分氧化硅；向接触孔第二次注入P型掺杂元素，以增加P型阱区的结深。本发明优化了元胞结构，降低了晶体管基区电阻，获得更好的抗雪崩冲击能力。
扩散金属氧化物晶体管制作方法器件

[发明专利]一种铁道帽的槽口加工工装-CN201910085523.3在审
发明人： 姜春亮;杨伟超 -专利权人：山东金凯电力金具有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁道帽的槽口加工工装，包括机床导轨板及设置在机床导轨板上的工件紧顶机构和工件固定机构，所述机床导轨板上表面均匀开设有三条T型滑槽，所述工件紧顶机构及工件固定机构分别设置在机床导轨板上表面的相邻的两条T型滑槽位置处。与现有技术相比，本发明每次能够装夹多组铁道帽，相比传统铣床的加工工装，该装置节省了来回装、卸工件的时间，大大提高了工作效率，本发明通过工件固定板和液压油顶相互配合来对铁道帽进行固定，铁道帽放置稳定，方便控制，无需人工手动进行夹紧，降低了工人的劳动强度，降低了工件生产的成本。
机床导轨板加工工装工件固定机构上表面槽口工件固定板传统铣床放置稳定工作效率均匀开设人工手动液压油顶位置处夹紧装夹配合生产

[发明专利]一种MOS管及其制造方法-CN201410032796.9有效
发明人：蔡远飞;何昌;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括下列步骤：在第一导电型的第一区域上形成第二区域；在第二区域表面热氧化生长第一氧化层；剥掉第二区域的第一氧化层；在第一氧化层位置再生长第二氧化层；在第二氧化层上沉淀形成第三区域；在第三区域内光刻、蚀刻出沟槽，剩余的第三区域形成栅极；在沟槽下的第二区域内形成体区；在沟槽内放置光阻，进行光刻，在体区上，沟槽与栅极交界处的底部形成源区；在体区内沟槽底部形成第四区域；在栅极上以及沟槽内沉淀介质层，进行回流；在介质层沉淀第一金属层；在第一区域下沉淀第二金属层形成漏极。本发明的方法，解决了现有的制造工艺制造的MOS管作为开关抗冲击能力低的问题。
一种 mos 及其制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制作方法-CN201410549456.3有效
发明人： 姜春亮;何昌;蔡远飞 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种肖特基二极管及其制作方法。该方法包括：在晶元正面作为P阱注入的阻挡层形成碗状开口；利用所述碗状开口为掩膜窗口，注入用于形成P阱的离子。因作为P阱离子注入的掩膜窗口为碗状开口，通过离子注入工艺即可形成P阱，省略了高温推结工艺。离子注入较之高温推结可控，使形成的P阱最宽处的尺寸更加精准，从而得到更低的VF。另外，省略了高温推结工艺，增加了肖特基二极管的稳定性。进一步的，利用硅化物代替传统的多晶硅制作感应栅极，由于金属与硅接触的势垒非常低，使感应栅极对P阱与N+形成的沟道的电子俘获能力增强，从而使肖特基二极管P阱与N+形成的沟道反型所需的栅极电压降低，进而降低了VF。
一种肖特基二极管及其制作方法

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