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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202280017803.0在审
发明人： 周以伦 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括成核层、缓冲层、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、S/D电极和栅极。成核层包括包含第一元素的组合物。缓冲层包括III‑V族化合物，所述III‑V族化合物包括第一元素。缓冲层设置在成核层上并与成核层形成界面。缓冲层具有的第一元素的浓度在缓冲层内振荡，使得第一元素的浓度作为缓冲层的厚度内的距离的振荡函数而变化。振荡函数的相邻峰之间的间隔相对于缓冲层内的第一参考点从宽变窄。第一和第二氮化物基半导体层、S/D电极和栅极设置在缓冲层上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180005980.2有效
发明人： 周以伦;李启珍;邱汉钦;潘秀华 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括衬底、成核层、缓冲层、第一和第二氮化物基半导体层、一对S/D电极和栅电极。成核层设置在基板上。缓冲层包括含有第一元素的III‑V化合物。缓冲层设置在成核层上。缓冲层具有可变浓度的第一元素，其作为缓冲层厚度内的距离的函数递增然后递减。第一氮化物基半导体层设置在缓冲层上。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上并且具有大于第一氮化物基半导体层的带隙的带隙。S/D电极和栅电极设置在第二氮化物基半导体层上方。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201910043141.4有效
发明人： 周以伦;陈之皓 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该制造方法包含：提供基板，包含第一区域以及第二区域；形成掩模层于第二区域上；外延成长半导体叠层于第一区域上，以及外延成长非单晶叠层于掩模层上，其中半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及发光叠层位于第一与第二半导体层之间，发光叠层包含AlXGa(1‑X)N于第一区域上，其中掩模层的高度小于半导体叠层的厚度使该第一区域上的该半导体叠层以及该掩模层上的该非单晶叠层相连接成长；以及沿着第二区域进行切割。
发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构和其制造的方法-CN202080001958.6有效
发明人： 周以伦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置结构包含衬底、沟道层、阻挡层以及经掺杂III‑V族层。所述沟道层安置在所述衬底上。所述阻挡层安置在所述沟道层上。所述经掺杂III‑V族层安置在所述阻挡层上。所述经掺杂III‑V族层包含第一部分和第二部分。所述第一部分具有第一浓度的第一元素。所述第二部分邻近所述第一部分并且具有第二浓度的所述第一元素。栅极结构安置在所述经掺杂III‑V族层的所述第一部分上。所述第一元素的所述第一浓度不同于所述第一元素的所述第二浓度。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000640.0有效
发明人： 周以伦;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和碳氮化物半导体层。第一氮化物半导体层在衬底上方。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。碳氮化物半导体层位于衬底和第一氮化物半导体层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202210205706.6在审
发明人： 周以伦;高双;李传纲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。形成于高电阻率区与第一III‑V层之间的电流孔之间的界面彼此对准。栅极电极与电流孔对准。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202210205708.5在审
发明人： 周以伦;高双;李传纲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到第一导电类型。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。电流孔中的至少两个具有不同尺寸，使得形成于高电阻率区与电流孔之间的界面中的至少一个彼此未对准。栅极电极与电流孔对准。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202210205710.2在审
发明人： 周以伦;高双;李传纲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到第一导电类型。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。第一III‑V层中的至少两个具有不同浓度的相同第III族元素。栅极电极与电流孔对准。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202180004419.2在审
发明人： 周以伦;高双;李传纲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、单个III‑V族半导体层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上方。所述单个III‑V族半导体层安置在所述第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到所述第一导电类型。所述单个III‑V族半导体层具有高电阻率区以及由所述高电阻率区包围的电流孔，其中所述高电阻率区包括比所述电流孔更多的金属氧化物，以便实现比所述电流孔的电阻率高的电阻率。所述第三氮化物基半导体层安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一源极电极、所述第二电极和所述栅极电极安置在所述第三氮化物基半导体层上方。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光结构的制造方法与发光装置-CN201711432504.0在审
发明人： 周以伦;赵嘉信;沈文维 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种发光结构的制造方法与发光装置。发光装置包括一电路板、一介层基材、一发光二极管芯片、一第一导电结构、一第二导电结构、一第一虚置导电元件与一第二虚置导电元件。第一导电结构与第二导电结构配置在介层基材中，并电连接在发光二极管芯片与电路板之间。第一虚置导电元件与第二虚置导电元件配置在介层基材上，并分别电连接第一导电结构与第二导电结构。
导电结构导电元件发光装置基材发光二极管芯片电路板发光结构电连接导电元件配置制造配置

[发明专利]增强型氮化镓晶体管器件-CN201410608510.7有效
发明人：郭威宏;林素芳;周以伦;傅毅耕 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型氮化镓晶体管器件，包括基板、基板上的外延结构、外延结构上的凹入式栅极、凹入式栅极上的栅极电极、源极电极与漏极电极。所述凹入式栅极是p型金属氧化物。在所述栅极电极与所述凹入式栅极之间还有介电叠层。这个介电叠层包括第一介电层与第二介电层，其中第二介电层与凹入式栅极接触，且第二介电层中的金属元素的氧化电位需比p型金属氧化物的金属元素低。凹入式栅极具有纳米结构图案，所述纳米结构图案延伸至所述外延结构内。
增强氮化晶体管器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410608814.3在审
发明人：郭威宏;林素芳;周以伦;傅毅耕 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括硅基板、栅极电极、漏极、以及源极。硅基板具有至少一凹部，所述凹部包括(111)晶面。栅极电极位于所述凹部旁的所述硅基板上。漏极位于所述栅极电极旁的所述凹部内，其中所述漏极是选择性成长于所述凹部内的宽能隙材料。源极则是相对所述漏极而位于所述栅极电极旁的所述硅基板内。因为漏极是宽能隙材料，所以能解决硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的漏极端引入的势垒降低(DIBL)效应。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]液晶显示面板及其制造方法-CN200410039026.3无效
发明人： 周以伦;李锡烈;简廷宪;林明田 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2004-01-21 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明是关于一种液晶显示面板及其制造方法。该液晶显示面板，至少具有一第一基板、一第二基板、一框胶、一液晶层及一遮光层。框胶配置于第一基板与第二基板之间，液晶层配置在第一基板、第二基板与框胶之间，遮光层配置在第一基板的未与液晶层接触的表面上。该制造方法包括：提供一第一基板；提供一第二基板；在第一基板表面上形成一框胶；在框胶内的第一基板表面上形成一液晶层；贴合第一基板与第二基板；对框胶照光；以及在第一基板未与液晶层接触表面上形成一遮光层。本发明能解决液晶显示器模块产生漏光问题，还能以ODF制程制造出符合SPWG规格要求的液晶显示面板以及液晶显示器模块，同时能防止液晶显示器模块产生漏光的问题。
液晶显示面板及其制造方法

[发明专利]AlGaInP发光二极管组件-CN02148018.4有效
发明人：陈乃权;周以伦;易乃冠 -专利权人：洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-10-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可提高发光强度的AlGaInP发光二极管组件，包括一半导体基底、一再发光层、具一第一掺质浓度的一AlGaInP层、具小于第一掺质浓度的一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层、一未掺杂AlGaInP主动层、一AlGaInP上局限层、一窗户层、一环形顶部电极于窗户层上及一层状底部电极于半导体基底下方，此再发光层包含至少一由此再发光层形成的第一区域及由Al₂O₃形成的一第二区域，此第二区域包围第一区域，由于介于AlGaInP下局限层与再发光层之间的AlGaInP层的第一掺质浓度大于AlGaInP下局限层的第二掺质浓度，此AlGaInP层可提供横向导通能力，此Al₂O₃第二区域同时可将照射于其上的光线完全反射回去，因此，本发明的AlGaInP发光二极管组件可提高发光强度。
algainp 发光二极管组件

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