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[发明专利]一种晶圆测试结构及晶圆测试方法-CN201910142043.6有效
发明人：管振兴;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆测试方法，该方法包括以下步骤：提供一晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面；在所述晶圆背面的至少部分区域贴附非金属贴片；将贴附了所述非金属贴片的所述晶圆放置到测试机台上进行测试。晶圆背面贴附非金属贴片，能够提高晶圆的强度，有效防止出现晶圆翘曲现象，同时能够降低搬运过程中晶圆损坏的风险。贴附非金属贴片的晶圆背面整体上呈现平面式，因此晶圆背面具有凹陷区的晶圆可以直接放置与传统测试机台的卡盘或吸盘上进行测试，免去了设备改造成本，提高了测试机台的通用性及利用率，由此降低了晶圆测试成本。测试完成后回收填充的非金属贴片，所述非金属贴片可以重复使用，由此进一步降低了晶圆的测试成本。
一种测试结构方法

[发明专利]一种晶圆测试结构及晶圆测试方法-CN201910141551.2有效
发明人：王志勇;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆测试方法及晶圆，该方法包括以下步骤：提供一晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面；在晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片；将贴附了所述金属贴片的所述晶圆放置到测试机台上进行测试。对晶圆背面贴附金属贴片，能够提高晶圆的强度，有效防止出现晶圆翘曲现象，同时能够降低搬运过程中晶圆损坏的风险。填充金属贴片的晶圆背面整体上呈现平面式，可以直接放置与传统测试机台的卡盘或吸盘上进行测试，提高了测试机台的通用性及利用率。金属贴片的正面和背面分别设置真空孔和真空通道，使得晶圆能够与传统测试机台的真空吸盘经真空连接并进行测试。金属贴片可以重复使用，由此进一步降低了晶圆的测试成本。
一种测试结构方法

[发明专利]一种提高晶圆探针台利用率的方法-CN201910047407.2有效
发明人：郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种提高晶圆探针台利用率的方法，该方法包括：提供一晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面，对晶圆进行背面研磨减薄处理及背金处理；在晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片，金属贴片的中心与晶圆的中心重合；其中，贴附金属贴片的晶圆背面整体呈现平面式；将贴附有金属贴片的晶圆放置到探针台上进行测试。晶圆背面贴附金属贴片后整体上是平面的，能够在传统的测试机台上对晶圆进行测试，提高了测试机台的利用率，降低晶圆测试的成本。测试完成后，无需去除该金属贴片，便可进入后续的切割封装过程，本发明的方法既不会对测试阶段的环境造成污染，同时适合后续的切割和封装制程。
一种提高探针利用率方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211709811.X在审
发明人：吴健;邬瑞彬;司徒道海 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件，包括衬底；埋层，形成于衬底内；第一阱区，设于埋层的上表层；第二阱区，设于埋层的上表层且部分区域与衬底接触，第二阱区位于第一阱区的外围；基极引出区和多个发射极引出区，间隔布设于第一阱区的上表层内；栅极结构，设于衬底的上表层上，且包括栅极，栅极在第一阱区上的正投影与发射极引出区呈交错布设；且栅极与基极引出区电性连接；以及集电极引出区，形成于第二阱区的上表层内；其中，多个发射极引出区并联连接，以引出发射极。可提高半导体器件的电流增益，避免因发射极引出区的掺杂浓度过高而影响半导体器件的电流增益。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN202110134611.5在审
发明人：刘佑铭;何学缅;司徒道海;刘金营;吴永玉;李敏;李天慧;李剑波 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管包括埋藏式栅极，埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。本发明的场效应晶体管采用了三维立体结构代替传统平面结构，实现了对沟道的三向包裹，增大了沟道宽度的面积，在不增加有源区面积的情况下增大了沟道控制面积，提高了栅控能力，稳定了阈值电压，增大了饱和电流。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201611152920.0有效
发明人：刘剑;司徒道海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：晶圆，在所述晶圆上间隔设置有多个芯片，其中，每个所述芯片均包括间隔平行设置的多个条状沟槽，相邻所述芯片中的所述条状沟槽彼此相互垂直。本发明中的半导体器件结构使相邻芯片中的条状沟槽均保持相互垂直，由沟槽和栅极填充引起的晶圆翘曲相互抵消，从而改善整个晶圆的翘曲问题。同时，还可以保持常规的栅极层的沉积工艺，对工艺没有任何影响，实现简单。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种静电吸盘及晶圆测试方法-CN201910142058.2在审
发明人：邱海斌;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海;李秉隆 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘及晶圆测试方法，静电吸盘包括用于承载待吸附物的基板；设置在基板的上方的绝缘层，其通过静电力吸附待吸附物；设置在基板和/或绝缘层中的导电部，其与待吸附物的背面的至少部分区域接触。晶圆测试方法采用上述静电吸盘吸附晶圆，并通过导电部导通真空吸盘和晶圆背面。本发明的静电吸盘可以放置在Taiko晶圆背面的凹陷区，使得Taiko晶圆的背面整体呈平面式，可以直接放置在传统测试机台的平面式的真空吸盘上进行测试。non‑Taiko晶圆的背面也可以放置与其尺寸相当的静电吸盘，不影响其在传统机台上的测试。如此，免去了设备改造成本，提供了测试机台的通用性及利用率，由此降低了晶圆测试成本。通过静电力吸附晶圆能够降低破片率。
一种静电吸盘测试方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201910047409.1在审
发明人：郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供一晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面，对晶圆进行背面研磨减薄处理及背金处理；在晶圆背面的至少部分区域贴附金属贴片，金属贴片的中心与晶圆的中心重合；其中，贴附金属贴片后，晶圆背面整体呈现平面式。在晶圆背面贴附金属贴片，提高了晶圆的强度，有效防止出现晶圆翘曲现象，降低搬运过程中晶圆损坏的风险。晶圆背面贴附金属贴片后整体上是平面的，能够在传统的测试机台上对晶圆进行测试，提高了测试机台的利用率，降低晶圆测试的成本。测试后，无需去除该金属贴片，便可进入后续的切割封装过程，本发明的方法既不会对测试阶段的环境造成污染，同时适合后续的切割和封装制程。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]垂直导电功率器件及其制作方法-CN201510325803.9有效
发明人：郑大燮;刘博;司徒道海 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种垂直导电功率器件及其制作方法。其中，对于功率器件，将单一性质的缓冲层改为具有不同性质的第一区与第二区，当功率器件打开时，第一区与第二区相比，集电区的载流子更适于通过两者中的一个进入漂移区，当功率器件截止时，第一区与第二区相比，电场更适于终止在两者中的另一个中。上述方案的好处在于：例如第一区相对第二区，功率器件导通时，集电区中的载流子更多在前者通过，这能降低整个功率器件的导通压降；第二区与第一区相比，功率器件截止时，电场更多终止在前者中，这能提高整个功率器件的击穿电压及减小关断时间。
垂直导电功率器件及其制作方法

[实用新型]一种半导体器件-CN201920083386.5有效
发明人：郭海涛;严大生;蔡育源;徐传贤;司徒道海 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括：晶圆，包括晶圆正面及晶圆背面，晶圆背面包括背金工艺形成的背面金属镀层；以及贴附在晶圆背面的至少部分区域的金属贴片；其中，金属贴片的中心与晶圆的中心重合，并且贴附有金属贴片的晶圆背面整体呈现平面式。在晶圆背面贴附金属贴片，提高了晶圆的强度，有效防止出现晶圆翘曲现象，降低搬运过程中晶圆损坏的风险。晶圆背面贴附金属贴片后整体上是平面的，能够在传统的测试机台上对晶圆进行测试，提高了测试机台的利用率，降低晶圆测试的成本。测试后，无需去除该金属贴片，便可进入后续的切割封装过程。
金属贴片晶圆晶圆背面贴附半导体器件测试机台本实用新型测试封装过程金属镀层晶圆测试晶圆翘曲晶圆正面整体呈现中心重合传统的平面的平面式背金去除搬运背面切割

[发明专利]功率半导体器件及其形成方法-CN201510144340.6在审
发明人：郑大燮;刘博;司徒道海 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其形成方法，其中功率半导体器件包括：基底；位于器件区的功率器件；位于终端区的终端结构；终端结构包括：位于基底正面中且环绕功率器件的环形沟槽、位于环形沟槽中的掺杂半导体材料层，半导体材料层与基底的掺杂类型相反。首先，本方案的终端结构的结构简单；其次，本方案终端结构中，沟槽内具有掺杂的半导体材料层，区别于传统深沟槽终端结构的介电材料介质作为填充物，无需再额外形成掺杂区，工艺步骤简单；最后，对于终端结构的环形沟槽数量、深度、环形沟槽的宽度、相邻两沟槽之间间距、半导体材料层的掺杂浓度，可根据具体的功率器件的击穿电压进行选择，以使功率半导体器件具有良好耐压特性。
功率半导体器件及其形成方法

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