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[发明专利]一种空腔型体声波滤波器及其制作方法-CN202210395776.2在审
发明人：郭炜;叶继春;彭贤春;张佳欣 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种空腔型体声波滤波器及其制作方法，制作方法包括：S1，在衬底的第一面依次通过外延生长得到非掺杂的GaN层和硅掺杂的n‑GaN牺牲层；S2，去掉在预定的谐振区以外的部分，在非掺杂的GaN层和n‑GaN牺牲层获得缓坡结构；S3，沉积底电极，并进行图形刻蚀获得预设的图形，并为n‑GaN牺牲层预留氧化窗口；S4，在底电极依次沉积压电薄膜层、顶电极后，经过图形刻蚀获得需要的图形结构；S5，置入阳极氧化溶液中，将硅掺杂的n‑GaN牺牲层作为阳极，铂电极作为阴极进行阳极氧化，在非掺杂的GaN层与底电极之间形成多孔结构的空气隙；S5，在压电薄膜层、顶电极的表面沉积钝化层。解决了下电极刚性不足，在制备空腔结构中腐蚀液对电极及压电薄膜损伤等问题。
一种空腔声波滤波器及其制作方法

[发明专利]钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池-CN202310764096.8在审
发明人： 叶继春;刘尊珂;曾俞衡;廖明墩;周鸿凯;杜浩江;张贤;刘伟;杨阵海 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池，其中，所述钝化接触结构的制造方法包括：在衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成掺杂多晶硅层；在预定区域的所述掺杂多晶硅层表面形成掩模层，所述掩模层包括氧化硅层；去除所述预定区域之外的所述掺杂多晶硅层。
钝化接触结构太阳能电池制造方法

[发明专利]超薄含氧氮硅薄膜的制备方法及其在钝化接触电池中的应用-CN202010200415.9有效
发明人： 叶继春;曾俞衡;闫宝杰;郑晶茗;廖明墩;黄丹丹 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了超薄含氧氮硅薄膜的制备方法，方法是1)将硅片表面清洗干净；2)在PECVD中，通入NH3或N2或其他含氮源但是不含氧源的气氛，并打开等离子体，解离通入的气氛，并使硅片表面氮化；通过调节温度、等离子体功率、压力、气体流量等参数调节表面氮的浓度和含氮层的深度；3)将表面已氮化的硅片进行氧化处理，从而形成氧氮硅层材料；4)接着，对表面氧氮硅层再进行一次PECVD表面氮化处理，形成氮氧氮硅层，氮氧氮硅层的厚度在5nm以下；5)在表面制备p型硅薄膜层。采用本发明的方法可使氮元素尽量富集于表面位置和近硅片界面位置，从而使氮氧氮硅界面材料层用于p型隧穿氧化硅钝化接触结构，可以减少硼对界面的破坏，提升钝化效果；该材料用于n型同样有效，可以减少磷对界面层的破坏。
超薄含氧氮硅薄膜制备方法及其钝化接触电池中的应用

[发明专利]p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用-CN202010200814.5有效
发明人：廖明墩;叶继春;曾俞衡;闫宝杰;智雨燕;黄丹丹;卢琳娜;郑晶茗 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了p型多晶硅薄膜制备方法，主要是在硅片上依次制备氧化硅层‑非晶硅或多晶硅层‑金属铝层，形成多叠层结构薄膜，然后对根据工艺需要进行400‑1100℃高温退火，使铝在硅薄膜层中形成激活的杂质。本发明首先利用金属铝作为插入层，将其沉积于硼掺杂非晶硅或本征多晶硅表面，然后利用退火处理使铝在沉积层中扩散，特别是当形成多层叠层结构时，铝处于非晶硅或多晶硅夹层中，能够使扩散更加均匀，形成较好的掺杂，提供空穴，可以显著增加薄膜的载流子浓度，减低薄膜方阻，降低钝化介质/多晶硅与硅片之间的接触电阻率；此外，部分铝还可以扩散进入硅片，从而增强硅衬底的电阻率。由于铝的激活温度低、扩散速率高，可以减低处理温度和处理时间，显著降低工艺时间，节省成本。
多晶薄膜制备方法及其钝化接触太阳电池中的应用

[发明专利]一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310956151.3在审
发明人：罗天;郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管领域，特别是涉及一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，包括从顶部依次贯穿钝化层与氮化镓帽层，底部位于铝镓氮势垒层的凹槽结构；所述凹槽结构内设置有栅电极，且从所述凹槽结构的内壁到所述栅电极之间包括依次设置的带阶介质层及铁电介质层；所述带阶介质层为三族氮氧化物层和/或三族氧化物层；所述带阶介质层及所述铁电介质层阻断所述栅电极与所述氮化镓帽层的直接接触，并阻断所述栅电极与所述铝镓氮势垒层的直接接触。本发明中在所述凹槽结构内壁上设置带阶介质层，能完整覆盖并保证高质量槽栅界面，抑制栅极漏电；此外，还设置了铁电介质层，提升器件跨导，提高晶体管正向电压下的栅极摆幅，减少阈值电压负移。
一种增强 gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种测试Topcon电池片隧穿氧化层pinhole数量的方法-CN202310781046.0在审
发明人： 叶继春;张新鹏;夏庆锋;曾俞衡;黄如伟 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于Topcon电池领域，涉及一种测试Topcon电池片隧穿氧化层pinhole数量的方法，该方法包括以下步骤：将Topcon电池片中的隧穿氧化层暴露于碱腐蚀液中，使碱腐蚀液通过pinhole腐蚀硅基底产生气泡，统计产生气泡的位置数量即为pinhole数量。本发明提出的测试Topcon电池片隧穿氧化层pinhole数量的方法，具有简单易行、便捷有效的特点，可对大面积隧穿氧化层pinhole的数量作可视化检测。
一种测试 topcon 电池片隧穿氧化 pinhole 数量方法

[发明专利]一种氧化镓薄膜及其制备方法和应用-CN202310744569.8在审
发明人：刘宁涛;张文瑞;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本申请提供一种氧化镓薄膜及其制备方法和应用。所述氧化镓薄膜的制备方法包括：在有臭氧存在的环境中，利用氧化镓靶材和脉冲激光沉积法在衬底上沉积氧化镓薄膜。该方法通过在脉冲激光沉积过程中原位引入臭氧，借助过氧化氛围的构建，产生抑制电离和补偿效应，进而使制备的氧化镓薄膜具有良好电绝缘特性。相比于通过元素掺杂实现氧化镓薄膜高绝缘性的方法，本申请提供的制备方法工艺简单、易于实施且具有经济，具有实用性和规模化生产前景。本申请另外还提供一种施主掺杂氧化镓材料的电气调制方法，实现对氧化镓材料的电绝缘性的调控。
一种氧化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]防导通结构、晶片舟和半导体工艺设备-CN202310404375.3在审
发明人：黄如伟;曾俞衡;廖明墩;张新鹏;叶继春;夏庆锋;林娜 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种防导通结构、晶片舟和半导体工艺设备，所述防导通结构包括：绝缘块，具有供连接杆穿过的通孔，所述绝缘块的侧面具有至少一个第一定位部；至少两个隔离件，各个所述隔离件均具有与所述第一定位部相适配的第二定位部，以使得所述隔离件能够可拆卸地固定到所述绝缘块上，当所述隔离件固定到所述绝缘块上时，各个所述隔离件之间相互拼合形成与所述绝缘块相适应的容置空间以围绕所述绝缘块设置，各个所述隔离件上形成有多个翅片，相邻两个所述翅片之间形成有凹槽。
防导通结构晶片半导体工艺设备

[发明专利]一种TOPCon电池金属浆料的烧结方法及烧结装置-CN202310514127.4在审
发明人： 叶继春;曾俞衡;廖明墩;黄如伟;夏庆锋;林娜 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池金属浆料的烧结方法及烧结装置，烧结方法为将印刷了银浆料的TOPCon电池片放入烧结装置，由输送装置传输移动，依次通过第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，TOPCon电池片从第一温区进入第二温区时下表面的温度为100～250℃，从第二温区进入第三温区时下表面的温度为200～450℃，从第三温区进入第四温区时下表面的温度为400～650℃，从第四温区进入第五温区时下表面的温度为600～850℃，在第五温区内下降至降温温度，降温温度为260～340℃，降温过程中降温速率大于50℃/s。本发明对TOPCon电池生产过程中的烧结工艺进行优化，对烧结过程中的温度进行分段控制，从而避免了银颗粒的过度生长，提高电池性能，实现多晶硅薄膜厚度更小的TOPCon电池的制备。
一种 topcon 电池金属浆料烧结方法装置

[发明专利]防导通结构及制造方法、晶片舟和半导体工艺设备-CN202310405557.2在审
发明人：曾俞衡;廖明墩;黄如伟;张新鹏;叶继春;夏庆锋;林娜 -专利权人：中科研和（宁波）科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种防导通结构及制造方法、晶片舟和半导体工艺设备，所述防导通结构包括：隔离件主体，具有供连接杆穿过的通孔，所述隔离件主体上形成有至少一个凹槽，所述隔离件主体由易加工材料制成；第一绝缘层，设置在所述隔离件主体的外表面上，所述第一绝缘层具有第一厚度和第一致密度；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的外表面上，所述第一绝缘层具有第二厚度和第二致密度；其中所述第一厚度小于所述第二厚度，所述第一致密度大于所述第二致密度。
防导通结构制造方法晶片半导体工艺设备

[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN202310191110.X在审
发明人：李鑫;叶继春;杨熹;应智琴;郭旭超;汪新龙;吴铭 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿薄膜的制备方法及应用，钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、在空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液，氯苯作为反萃取溶剂；S2、第一次退火处理，形成钙钛矿薄膜；S3、在钙钛矿薄膜表面旋涂A位阳离子替换液，所述A位阳离子替换液为阳离子化合物溶液与二甲基甲酰胺的混合溶液；S4、第二次退火处理，得到表面修饰的钙钛矿薄膜。本发明通过A位阳离子替换液对钙钛矿薄膜进行表面修饰，在在有机溶剂二甲基甲酰胺的辅助下，阳离子能够实现表面全覆盖和体内深扩散，从而实现钙钛矿表面和体内的残余拉应力的调控，制备的器件表现出很好的长期稳定性。
一种钙钛矿薄膜及其制备方法应用

[发明专利]透明导电接触结构及其制备方法和应用-CN202210797877.2在审
发明人： 叶继春;杨熹;应智琴;肖惠;李鑫;陈颖;苏诗茜 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电接触结构及其制作方法和应用。所述透明导电接触结构包括层叠设置的透明导电层和导电缓冲层，所述导电缓冲层包含由金属和有机物形成的金属有机复合物。本发明实施例利用分层沉积或共沉积的金属有机复合物作为TCO的缓冲层，降低了TCO的轰击损伤，实现了具有载流子选择性的高效透明导电接触。
透明导电接触结构及其制备方法应用

[发明专利]一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法-CN202310279151.4在审
发明人：杜浩江;叶继春;曾俞衡;杨阵海;廖明墩;刘伟;行孟超;王太强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第二多晶硅层的材质为掺杂的改性n型或p型多晶硅薄膜。本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层，可以提升多晶硅结构的表面润湿性，且电学与钝化性能良好，从而能提高电镀或化学镀种子层的质量，获得更高的电池效率。
一种 topcon 电池及其背面金属化处理方法

[发明专利]一种钙钛矿半透明电池及其制备方法-CN202310264574.9在审
发明人：张宁均;盛江;孙靖淞;叶继春;应智琴;杨伟创;薛香盈;杨熹 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K30/82 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿半透明电池及其制备方法，钙钛矿半透明电池包括层叠设置的透明顶电极和溅射缓冲层，所述透明顶电极的材质为透明导电氧化物薄膜，所述溅射缓冲层的材质为CrOx薄膜，1≤x≤3。本发明在透明顶电极和下层材料之间引入一层CrOx薄膜作为溅射缓冲层，可以有效阻挡透明导电氧化物薄膜沉积过程中产生的溅射损伤，同时CrOx薄膜具有很好的透过性，可以提高电荷在空穴传输层或者钙钛矿层与透明顶电极之间的传输，从而提高钙钛矿半透明器件的电学性能。
一种钙钛矿半透明电池及其制备方法

[发明专利]一种N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法-CN202310150136.X在审
发明人： 叶继春;张美丽;应智琴;杨熹;陈颖;汪新龙;郭旭超 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K30/86 文献下载
摘要：本发明提供一种N‑I‑P钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法，N‑I‑P钙钛矿/硅叠层太阳能电池包括硅底电池和N‑I‑P型钙钛矿顶电池，所述N‑I‑P型钙钛矿顶电池的空穴传输层的材料为Cross‑linked小分子材料。本发明以Cross‑linked小分子材料作为空穴传输层，其具有优异的透过性，更适配于N‑I‑P叠层电池结构，Cross‑linked小分子材料置于钙钛矿层上方窗口层可有效的降低HTL寄生吸收带来的光损耗，从而提高器件电流密度，改善器件性能。
一种钙钛矿硅叠层太阳能电池及其制备方法

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