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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]裸片密封环结构-CN202210128113.4在审
发明人：孙家祯;刘恩铨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种裸片密封环结构，其主要包含一金属内连线结构设于一基底上，其中金属内连线结构又细部包含一金属间介电层设于基底上以及第一金属层设于金属间介电层内。更具体而言，第一金属层的第一边于俯视角度下包含一梳状部，第一金属层的第二边包含一直线，第一金属层的第三边包含一直线，且第一金属层的第四边包含一直线。
密封结构

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010439678.5有效
发明人： 刘恩铨;杨智伟;黄志森;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包含：一基底，该基底上设有一栅极结构以及环绕该栅极结构的一第一层间介电层，其中该栅极结构包含一栅极电极以及位于该栅极电极两侧的一侧壁子，一第一硬掩模，其设于该栅极结构上，一第二硬掩模，其设于该栅极结构上，其中该第一硬掩模设于该第二硬掩模两侧且该第一硬掩模包含氮化硅，一蚀刻停止层，其设于该侧壁子与第一层间介电层之间，该蚀刻停止层的上表面与第二硬掩模的上表面齐平，以及一接触插塞，其电连接该栅极结构，其中该接触插塞不电连接一源极/漏极区域，和其中该接触插塞贯穿该第二硬掩模并与该栅极电极电连接，且该接触插塞不直接接触该侧壁子。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法-CN202010216314.0有效
发明人： 刘恩铨;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法。该照明系统包括用于产生光线的光源以及不透明板。不透明板设置于光源以及光掩模之间，且不透明板包括环形开口以及双极开口。环形开口具有内侧边以及外侧边。双极开口包括第一开口以及第二开口，其中第一开口与第二开口分别与环形开口相连接，并分别从环形开口的外侧边延伸出，且第一开口与第二开口对称于环形开口的中心点设置。第一开口与第二开口分别为长条状，并彼此平行，且第一开口与第二开口分别横跨环形开口的两部分。
照明系统以及使用形成结构方法

[发明专利]半导体图案的制作方法-CN201811553322.3有效
发明人：王嘉鸿;刘恩铨;陈建豪;李钊豪;李修申;江知优 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体图案的制作方法，包含：首先，提供一基底，其上有一氧化层以及一第一材料层位于该氧化层上，其中一第一区域以及一第二区域定义于该基底上，接着进行一第一蚀刻步骤，移除部分该第一区域内的该第一材料层，然后形成多个第一图案于该第一区域内的该第一材料层上，再形成一第二复合层于该第一图案上，接下来，形成一第二图案层于该第一区域内的该第二复合层上，以及进行一第二蚀刻步骤，以该第一图案与该第二图案为一掩模，移除部分该第二复合层、该第一材料层以及该氧化层。
半导体图案制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201710679485.5有效
发明人： 刘恩铨;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体结构的方法的步骤包含分别在第一区域、第二区域以及虚置区域上形成多个鳍结构、在第一区域中形成一第一固态掺质来源层以及一第一绝缘缓冲层、在第二区域以及虚置区域中形成一第二固态掺质来源层以及一第二绝缘缓冲层、以及进行一蚀刻制作工艺削减该虚置区域中的鳍结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710606013.7有效
发明人： 刘恩铨;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、掺杂层以及介电层。所述基底具有多个鳍部分与至少一个凹陷部分。所述凹陷部分位于所述鳍部分之间。所述掺杂层配置于所述鳍部分的侧壁、所述基底的表面以及所述凹陷部分的侧壁与底部上。所述介电层配置于所述掺杂层上。所述掺杂层的顶面与所述介电层的顶面低于每一鳍部分的顶面。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成半导体装置布局的方法-CN201811172594.9有效
发明人：王嘉鸿;刘恩铨;陈建豪;李修申;陈宜廷;李钊豪 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种形成半导体装置布局的方法，包含：形成多个第一线图案，其中第一线图案在一第一区以及一第二区沿着一第一方向延伸，在位于第一区及第二区之间的一边界区沿着一第二方向延伸；形成多个第二线图案，其中第二线图案在第一区及第二区沿着一第三方向延伸，在位于第一区及第二区之间的边界区沿着一第四方向延伸，故在边界区中第一线图案及第二线图案的重叠区域之间的最小距离大于在第一区及第二区中第一线图案及第二线图案的重叠区域之间的最小距离；进行一修整制作工艺，遮蔽在边界区中及第二区中的第一线图案及第二线图案。
形成半导体装置布局方法

[实用新型]光电子半导体装置和电子设备-CN202120668348.3有效
发明人：李致纬;蓝哲维;李玮恩;刘恩铨;许莉绢;黄昱智;陈章源 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光电子半导体装置和电子设备，涉及光电子半导体装置技术领域，以解决现有光电子半导体装置易发生串扰的技术问题。该光电子半导体装置包括电路板、发光元件和感测元件，发光元件和感测元件分别设置在电路板的不同位置上，发光元件和感测元件分别与电路板的不同电路电性连接。感测元件接收待检测体反射的发光元件发射的光线。电路板上设置有封装体，封装体覆盖发光元件和感测元件。封装体内设置有阻挡结构，阻挡结构位于发光元件和感测元件之间。发光元件和感测元件之间具有间隙。本实用新型能够降低光电子半导体装置的串扰，提高光电子半导体装置和电子设备的使用稳定性。
光电子半导体装置电子设备

[发明专利]对准标记结构的制作方法-CN201810728816.4有效
发明人：陈政锋;李修申;刘恩铨;徐筱淋;陈宜廷;郭卢蔚 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种对准标记结构的制作方法，其包括下列步骤。在基底上形成绝缘层。在绝缘层上形成第一对准标记。在基底上形成金属层，且金属层覆盖绝缘层与第一对准标记。移除第一对准标记上的金属层，且第一对准标记的上表面于移除第一对准标记上的金属层之后低于绝缘层的上表面。在金属层上形成第二对准标记。通过本发明的对准标记结构的制作方法，可避免金属层覆盖第一对准标记而影响相关的测量状况，而第二对准标记可形成于金属层上而避免因高度差异而导致的相关缺陷。
对准标记结构制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510769647.5有效
发明人： 刘恩铨;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一基底，二栅极结构，设置在该基底的一通道区的上方，一外延层，设置该两栅极结构之间的该基底内，以及一第一错位，位于该外延层内，其中该第一错位的剖面由至少两不平行的斜线组成，以及一第二错位，该第二错位邻近于该外延层的一上表面，且该第二错位的剖面由至少两不平行的斜线组成。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制作方法-CN201810171723.6有效
发明人： 刘恩铨;童宇诚;杨智伟;李修申 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器及其制作方法，该动态随机存取存储器结构，包含一基底，基底上定义有一元件区以及一周边区，一浅沟隔离，位于该周边区内，与该元件区相邻，其中该浅沟隔离具有一内凹顶面，一第一虚置位线栅极，位于该周边区的该浅沟隔离上，以及一第二虚置位线栅极，位于该元件区内，与该第一虚置位线栅极相邻，其中该第一虚置位线栅极的一顶面低于该第二虚置位线栅极的一顶面。
动态随机存取存储器及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510424934.2有效
发明人： 刘恩铨;翁堂钧;陈建豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含多个鳍状结构，一沟槽，一侧壁层以及一虚置栅极结构。该些鳍状结构是设置于一基底上。该沟槽是设置于该些鳍状结构之间。该侧壁层，设置在该沟槽的侧壁上，其中，该侧壁层具有一顶面，该顶面低于该鳍状结构的一顶表面。该虚置栅极结构是设置在该鳍状结构上且横跨该沟槽。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有栅极结构的鳍状半导体元件及其制作方法-CN201510376711.3有效
发明人： 刘恩铨;林昭宏;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有栅极结构的鳍状半导体元件及其制作方法。该具有栅极结构的半导体元件的制作方法，包括形成一基底，包括至少两鳍状结构，突出于基底的上表面，基底具有一第一凹槽与位于第一凹槽下的一第二凹槽，且第一凹槽与第二凹槽位于鳍状结构之间，其中第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，且第一凹槽与第二凹槽形成一台阶结构；在第二凹槽内形成一绝缘结构；以及，在绝缘结构上形成一栅极结构，其中栅极结构与绝缘结构填满第一凹槽与第二凹槽。
具有栅极结构半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有纳米线结构的半导体结构与制造方法-CN201510063099.4有效
发明人： 刘恩铨;童宇诚;杨智伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本发明公开一种具有纳米线结构的半导体结构与制造方法，包含一基底，基底上包含有至少一第一纳米线结构，该第一纳米线结构包含有一栅极区域以及至少一源/漏极区域，其中该第一纳米线结构的该栅极区域的直径与该源/漏极区域的直径不同。
具有纳米结构半导体制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510466862.8有效
发明人： 刘恩铨;杨智伟;童宇诚;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法首先提供一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，然后形成多个鳍状结构以及一第一浅沟隔离围绕鳍状结构于第一区域与第二区域上。接着形成一图案化硬掩模于第二区域上、去除第一区域内的鳍状结构及第一浅沟隔离、形成一第二浅沟隔离于第一区域上、去除图案化硬掩模以及形成一栅极结构于第二浅沟隔离上。
半导体元件及其制作方法

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