|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 20个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种驱动电路及驱动芯片-CN202310438809.1在审
-
傅荣颢
-
瑶芯微电子科技（上海）有限公司
-
2023-04-21
-
2023-08-25
-
H03K17/687
- 本发明提供一种驱动电路及驱动芯片，用于提高功率器件的开启与关断效率，至少包括：第一调节模块、第二调节模块及控制模块，其中：所述控制模块用于对输入信号进行推挽放大；所述第一调节模块连接于功率器件与所述控制模块的输出端之间，通过设置阈值调节功率器件的开启速度，并基于功率器件的关断过程对功率器件的关断电流进行调节；所述第二调节模块连接于功率器件与所述第一调节模块之间，通过提供泄放路径进一步对功率器件的关断电流进行调节。在保证功率器件可靠性与稳定性的前提下，通过第一调节模块的初步调节与第二调节模块的进一步调节，极大提高了功率器件的开启与关断效率。结构简单，可移植性强，具有较大的实用价值。
- 一种驱动电路芯片
- [发明专利]一种过流保护电路及芯片-CN202211328153.X有效
-
傅荣颢
-
瑶芯微电子科技（上海）有限公司
-
2022-10-27
-
2023-06-06
-
H02H3/00
- 本发明提供一种过流保护电路及芯片，至少包括：第一保护模块与功率器件连接，对功率器件的源电压进行采集，输出对应的反馈信号；驱动模块连接于功率器件与第一保护模块之间，用于给功率器件提供驱动信号，并基于反馈信号将功率器件关断；锁存模块连接于功率器件与第一保护模块之间，将反馈信号锁存；第二保护模块连接于功率器件与驱动模块之间，对功率器件的源电压进行采集，在第一时间将功率器件关断。通过第一保护模块设置的触发阈值以适应不同应用场景的过流保护，通过第二保护模块能够第一时间对功率器件进行过流保护，给功率器件提供双重保护。能够重复进行过流保护，且无需更换，具有广泛地适用性。
- 一种保护电路芯片
- [发明专利]一种结温测量电路及系统-CN202211145700.0有效
-
傅荣颢
-
瑶芯微电子科技（上海）有限公司
-
2022-09-20
-
2023-05-26
-
G01R31/26
- 本发明提供一种结温测量电路及系统，用于测量待测器件的结温，结温测量电路至少包括：钳位模块用于对结温测量电路的工作电压进行钳位控制，并对结温测量电路进行过流保护；限流模块用于对结温测量电路进行限流；第一电源用于给结温测量电路隔离供电；第一保护模块对第一电源进行保护；第二保护模块用于对钳位模块的第二端的进行稳压保护；第二电源用于给钳位模块供电；第三保护模块用于对钳位模块的第三端的电压进行保护。通过测量钳位模块的第二端与待测器件的第一测量点在测量脉冲结束时的电压，第一时间测量待测器件的结温，测量结果精确可靠。结构简单，操作简捷，具有广泛的适用性。
- 一种测量电路系统
- [发明专利]一种测试电路-CN202310083328.3在审
-
傅荣颢
-
瑶芯微电子科技（上海）有限公司
-
2023-02-08
-
2023-04-25
-
G01R1/36
- 本发明提供一种测试电路，包括：待测单元、第一电容、第二电容、电子保险丝及开合控制单元；待测单元的第一端连接第一电容的上极板，第二端连接第一电容的下极板和第二电容的下极板；电子保险丝连接于第一电容的上极板和第二电容的上极板之间，并受控于开合控制信号；开合控制单元用于对电子保险丝进行电信号采样得到采样信号，并根据采样信号和基准信号的比较结果产生开合控制信号，以在待测单元正常工作时控制电子保险丝闭合，在待测单元异常工作时控制电子保险丝打开；其中，第一电容的容值小于第二电容的容值。通过本发明提供的测试电路，解决了现有高压测试中因器件失效时常发生炸管的问题。
- 一种测试电路
- [发明专利]硅片共晶键合检测方法-CN201310041875.1有效
-
傅荣颢;黄锦才
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2013-02-01
-
2017-02-08
-
H01L21/66
- 本发明提供了一种硅片共晶键合检测方法，包括在第一加热板上的第一待键合硅片与第二加热板上的第二待键合硅片对齐的情况下，使第一加热板和第二加热板相对挤压并且加热，从而第一待键合硅片的表面上的第一金属层与第二待键合硅片的表面上的第二金属层由于加热加压而相互熔融，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加交流信号，并测量第一加热板、第一待键合硅片、第一金属层、第二加热板、第二待键合硅片和第二金属层组成的整体系统的等效阻抗。当所述整体系统的等效阻抗在预定时间内保持不变时，判断硅片共晶键合制程到达终止点。所述等效阻抗包括等效电阻、等效电容的容抗以及等效电感的感抗之一或者它们的任意组合。
- 硅片共晶键合检测方法
- [发明专利]硅片共晶键合方法-CN201310041618.8在审
-
傅荣颢;冯凯
-
上海宏力半导体制造有限公司
-
2013-02-01
-
2013-05-15
-
H01L21/18
- 本发明提供了一种硅片共晶键合方法，包括：第一步骤：在第一待键合硅片的表面沉积第一金属层，在第二待键合硅片的表面沉积第二金属层；第二步骤：将第一待键合硅片和第二待键合硅片分别布置在第一加热板和第二加热板上；第三步骤：在第一待键合硅片与第二待键合硅片对齐的情况下，使所述第一加热板和所述第二加热板相对挤压并且加热，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加超声波，从而使得第一待键合硅片的表面上的所述第一金属层与第二待键合硅片的表面上的所述第二金属层相互熔融，从而使得第一待键合硅片与第二待键合硅片键合在一起。
- 硅片共晶键合方法
- [发明专利]防止晶圆中心部分下垂的晶舟-CN201210564386.X有效
-
傅荣颢;黄锦才
-
上海宏力半导体制造有限公司
-
2012-12-21
-
2013-04-03
-
H01L21/673
- 本发明提供了一种防止晶圆中心部分下垂的晶舟，包括：由前侧壁、后侧壁、左侧壁和右侧壁形成的主体，所述主体界定出内部间隔区域，所述内部间隔区域中，所述左侧壁的内侧面包括由多个左内侧翼限定出的多个左放置槽，所述右侧壁的内侧面包括由多个右内侧翼限定出的多个右放置槽，所述左放置槽与所述右放置槽一一对应；其中，所述左内侧翼有一段伸出所述左侧壁的内侧面，或者所述右内侧翼有一段伸出所述右侧壁的内侧面，或者所述左内侧翼有一段伸出所述左侧壁的内侧面同时所述右内侧翼有一段伸出所述右侧壁的内侧面。本发明所提供的晶舟从而能够防止放置在其中的晶圆中心部分下垂。
- 防止中心部分下垂
- [发明专利]装载装置-CN201210399291.7有效
-
傅荣颢;黄锦才
-
上海宏力半导体制造有限公司
-
2012-10-18
-
2013-01-30
-
H01L21/687
- 一种装载装置，包括：腔室，腔室侧壁具有输入阀门；对应输入阀门设置的机械手，机械手与第一驱动装置连接，用于支撑晶圆自输入阀门外水平传递至腔室内；位于腔室内的基座，基座与第二驱动装置连接，用于带动基座相对于腔室上下移动；固定于基座表面且若干重叠设置的卡槽，卡槽用于将晶圆固定于基座上方；固定于卡槽和输入阀门之间的传感器，传感器低于机械手的标准水平位置，且传感器高于在机械手下一层的晶圆表面，机械手的标准水平位置为机械手未发生偏移时，机械手经过输入阀门进入腔室后的水平位置；传感器与第一驱动装置连接，根据传感器产生的信号控制第一驱动装置停止机械手的运动。所述装载装置能够避免划伤晶圆。
- 装载装置
|
