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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010524386.1有效
发明人：朱辰;何作鹏;杨明;姚达林;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的核心层，核心层的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖核心层侧壁的侧墙层；在基底上形成图形传递层，图形传递层覆盖侧墙层的侧壁；在第二方向上，在相邻侧墙层之间的图形传递层中形成第一沟槽；形成第一沟槽后，去除核心层，形成第二沟槽；以图形传递层和侧墙层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明提高图形传递的精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]测试电路结构及其形成方法和测试方法-CN202111462960.6在审
发明人：郁扬;宋丰;何作鹏;张超;蔡燕飞;王俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种测试电路结构及其形成方法和测试方法。其中测试电路结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干待测样品，所述若干待测样品沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向不同；位于所述衬底上的若干第一衬垫层，各所述第一衬垫层与沿所述第二方向的同一列待测样品电连接；位于所述衬底上的若干第二衬垫层，各所述第二衬垫层与沿所述第一方向的同一行待测样品电连接。从而，在探针数量固定的情况下，每次测试的待测样品的数量达到最大化，获取更多缺陷的概率也相应提升，同时也减少了探针插拔的次数，延长探针的寿命。
测试电路结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010561045.1有效
发明人：朱辰;杨明;卑多慧;何作鹏;张超;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有图形传递材料层；进行第一离子注入，向图形传递材料层中掺杂第一离子，形成排布方向为第一方向的第一掺杂掩膜层；在第二方向上，在第一掺杂掩膜层两侧的图形传递材料层中形成第一沟槽，露出第一掺杂掩膜层的侧壁；在第一沟槽侧壁形成掩膜侧墙；进行第二离子注入，向第一掺杂掩膜层和第一沟槽露出的部分区域的图形传递材料层中掺杂第二离子，形成第二掺杂掩膜层；去除剩余图形传递材料层，形成第二沟槽；沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明提高图形传递的精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110515581.2在审
发明人：王士京;何作鹏;杨明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：在第一区域的图形传递层上形成核心层，核心层中形成有贯穿核心层的开口；在开口的侧壁形成掩膜侧墙；去除第一区域的核心层；去除第一区域的核心层后，在第二区域的图形传递层上形成遮挡层；以掩膜侧墙和遮挡层为掩膜，图形化图形传递层；图形化图形传递层后，以剩余的图形传递层为掩膜，图形化目标层，在所述目标层中形成目标图形。所述掩膜侧墙层传递到所述硬掩膜材料层的图形精度大大提高，从而提高了在所述目标层中形成的目标图形的精度。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110407548.8在审
发明人：熊鹏;何作鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成核心层，且在核心层内形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，第一凹槽沿第一方向延伸，第二凹槽和第三凹槽沿第二方向延伸，第一方向与第二方向垂直，且第二凹槽和第三凹槽分别与第一凹槽相连通；在第一凹槽内、第二凹槽内、第三凹槽内和核心层上形成第一掩膜层，第一掩膜层暴露出部分第二凹槽、部分第三凹槽和部分核心层；以第一掩膜层为掩膜刻蚀核心层，在核心层内形成第四凹槽，第四凹槽的延伸方向与第一凹槽的延伸方向相同，第四凹槽分别与第二凹槽和第三凹槽中的一者或两者相连通；在第一凹槽侧壁、第二凹槽内、第三凹槽内和第四凹槽内形成侧墙。所形成的半导体结构性能提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011061147.3在审
发明人： 何作鹏;杨明;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形记忆层，图形记忆层开设有延伸方向互相平行的第一沟槽，第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽采用不同的光罩形成；形成核心材料层，核心材料层填充第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽；图形化核心材料层，形成核心层，核心层开设有隔离开口；填充隔离开口形成隔离层，隔离层的顶部与核心层的顶部齐平；去除核心层，形成第四沟槽，第四沟槽对应金属互连层。由于多道第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽的切断可以在同一工艺步骤完成，方法即使在图形尺寸接近设备参数极限的情况下，也能够实现后端加工工艺中对更小尺寸的图形的加工。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011061150.5在审
发明人： 何作鹏;杨明;卑多慧;苏柏青 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形记忆层，所述图形记忆层至少开设有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的延伸方向平行于所述第二沟槽的延伸方向，所述第一沟槽和所述第二沟槽采用不同的光罩形成；在所述基底的对应所述第一沟槽和所述第二沟槽的位置处形成分立于所述基底上的核心层。所述方法能够避免直接形成分立的核心层时因光刻胶细长造成的刻蚀过程中的光刻胶剥离问题；进一步地，能够避免多次光刻直接形成核心层时对填充材料要求较高的问题，降低对填充材料的要求。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010270736.6在审
发明人： 何作鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干有效区和无效区，有效区位于无效区之间；在待刻蚀层上形成牺牲层；将有效区上的部分牺牲层改性成第一改性层，将相邻有效区之间的无效区上的牺牲层改性成第二改性层；将无效区上的牺牲层改性成第三改性层，所述第三改性层与所述有效区上的牺牲层和第一改性层相邻；去除有效区上的牺牲层，在第一改性层、第二改性层和第三改性层之间形成第一凹槽；以第一改性层、第二改性层和第三改性层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，在待刻蚀层内形成第二凹槽。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010252060.8在审
发明人： 何作鹏;杨明;卑多慧;朱辰;张超;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干第一区和第二区，第二区位于相邻的第一区之间；在待刻蚀层上形成牺牲层；在第一区上的牺牲层内形成若干第一凹槽；在第一凹槽侧壁表面形成第一侧墙；对第二区上的部分牺牲层进行改性处理，形成第一改性层，第一改性层位于相邻第一凹槽之间且与第一侧墙相接触；对第一区上的部分牺牲层进行改性处理，形成第二改性层，第二改性层位于第一区上相邻的第一凹槽之间且与第一侧墙相接触；去除牺牲层，在第一改性层、第二改性层和第一侧墙之间形成第二凹槽；形成第二凹槽之后，以第一改性层、第二改性层和第一侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀层。所述方法提升了半导体结构的尺寸精准度。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法-CN201610915694.0有效
发明人： 何作鹏;杨素素 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。采用本发明的方法，可以降低半导体衬底和背面金属层之间的接触电阻，进而降低饱和压降值，提高其饱和压降性能。
一种降低半导体器件背面金属接触电阻方法

[发明专利]一种苯甲酸阿格列汀的制备方法-CN202011066320.9在审
发明人： 何作鹏;张乐波;关转转;袁洪雨;薛晓霞 -专利权人：辰欣药业股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯甲酸阿格列汀的制备方法。本发明主要的起始物料为6‑氯‑3‑甲基脲嘧啶、邻氰基溴苄、(R)‑3‑Boc‑氨基哌啶、苯甲酸。本发明各项指标均符合规定，同时避免了反应过程中使用氢化钠、剧毒品碘甲烷等危险试剂，且操作过程要求不苛刻，无需无水无氧条件；反应中也避免了使用高沸点的混合溶剂，且溶剂易回收利用；所选起始物料市面有售且易获得，方便放大生产；合成路线中的起始物料或中间体稳定性好，便于存储控制；反应过程中避免了基因毒性杂质；合成过程对环境友好。
一种苯甲酸阿格列汀制备方法

[发明专利]MEMS麦克风的制备方法-CN201810118985.6有效
发明人：杨素素;何作鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS麦克风的制备方法，在基底的第一表面上形成第一电极、第一绝缘层、第二电极与第二绝缘层，进行刻蚀形成通孔、第一凹槽与第二凹槽，在第一凹槽与第二凹槽内形成第一金属层，然后在基底的第二表面形成暴露第一电极的腔体，然后去除第一区域内的第一绝缘层，在第一电极与第二电极之间形成间隙，最后在第一金属层上形成第二金属层，从而避免在形成所述腔体的过程中由于高温造成的第一金属层向第二金属层的扩散，从而提高第二金属层的焊接性能。
mems 麦克风制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201410163124.1有效
发明人： 何作鹏;赵洪波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成硅通孔；对硅通孔实施预处理，并在硅通孔的侧壁和底部依次沉积形成第一衬垫层和第二衬垫层；对第二衬垫层实施氮化处理，并沉积形成覆盖第二衬垫层的覆盖层。根据本发明，可以有效改善形成在硅通孔中的衬垫层的质量和特性，进一步提升硅通孔的互连性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201611066883.1有效
发明人： 何作鹏;朱继光 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括衬底和在衬底上的第一电介质层，第一电介质层具有延伸到衬底的用于第一互连层的开口；在第一电介质层远离开口的区域之上形成第一掩模层；沉积第一金属层以填充开口，并覆盖第一电介质层未被第一掩模层覆盖的区域；其中，第一金属层与第一掩模层邻接的部分作为第二互连层的下部；去除第一掩模层；形成第二电介质层，以覆盖第一金属层和第一电介质层暴露的部分，所述第二电介质层具有用于第二互连层的沟槽，沟槽使得第二互连层的下部露出；在沟槽中填充第二金属层，从而形成第二互连层的上部。本发明能减小互连结构中的应力。
互连结构及其制造方法

[发明专利]硅通孔的形成方法-CN201510560915.2有效
发明人： 何作鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成通孔；在所述通孔中填充金属层；进行第一平坦化处理，去除衬底上方的金属层，保留通孔中的金属层；在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层用于提供压应力；对所述金属层进行再结晶处理；进行第二平坦化处理，去除衬底上方的应力层。其中，在第一平坦化处理之后，对所述金属层进行再结晶处理之前，在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层能够提供压应力，提高金属原子向金属层表面扩散所需要的能量，从而降低金属原子向金属层表面扩散的扩散率，进而降低金属层内的空洞率。
硅通孔形成方法

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