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[发明专利]半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备-CN202210610330.7有效
发明人： 伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备，进气装置包括：进气圆筒和多个第一进气管，进气圆筒的侧壁内部具有第一环形空腔，进气圆筒的侧壁沿其周向开设有多个第一出气通孔，第一出气通孔的直径不大于预设值，多个第一进气管沿进气圆筒的周向等间隔设置于进气圆筒的侧壁的外表面的顶端，第一进气管沿进气圆筒的径向延伸，第一进气管的一端连通第一环形空腔，第一进气管的另一端用于通入第一工艺气体。实现避免侧向进气孔被反应物颗粒堵塞并提高侧向进气均匀性。
半导体工艺设备装置

[实用新型]工艺腔室以及半导体工艺设备-CN202321964677.8有效
发明人： 伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种工艺腔室以及半导体工艺设备，该工艺腔室包括第一腔体、第二腔体和设置于第一腔体顶部的连接组件，第二腔体通过连接组件设置于第一腔体的上方且第二腔体与第一腔体连通，其中，连接组件包括防护板和支撑结构，支撑结构分别与第一腔体和第二腔体固定连接，防护板与第一腔体形成工艺空间且防护板与支撑结构可拆卸连接，防护板用于阻挡工艺空间内的物质粘附在支撑结构上。本方案能够有效简化连接组件的清洗过程操作，还能够降低设备运行成本，保证连接组件的整体强度满足要求。
工艺以及半导体工艺设备

[发明专利]一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法-CN202211730596.1在审
发明人：孔宇威;伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法，半导体工艺设备包括：工艺腔室，工艺腔室包括：腔体、等离子体发生装置、承载装置、驱动装置和整流结构，腔体内部形成有工艺腔；整流结构设置于腔体内，整流结构将工艺腔从上至下上下分隔为发生腔和加工腔；等离子体发生装置设置于腔体的外侧，用于对进入发生腔的工艺气体进行离化形成等离子体；承载装置设置于加工腔内，用于承载晶圆；整流结构呈板状，整流结构上具有多个通孔，且在晶圆的轴向上覆盖晶圆；驱动装置与整流结构以可分离的方式连接，用于在腔体内翻转整流结构。本发明能够实现对工艺腔室内整流结构背面的清洗，避免整流结构上附着的副产物剥落造成颗粒污染。
一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法

[发明专利]晶边刻蚀设备-CN202310118886.9在审
发明人： 伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶边刻蚀设备，腔体内部包括晶圆承载区域和位于晶圆承载区域一侧的晶边刻蚀区域；等离子体产生装置设置于腔体的对应晶边刻蚀区域的外部，用于激发晶边刻蚀区域中的工艺气体形成等离子体；卡盘设置于晶圆承载区域中，且卡盘能够旋转，并能够水平移动，以使不同尺寸的晶圆的局部边缘部分均能够伸入晶边刻蚀区域中，并阻挡晶边刻蚀区域中的等离子体进入晶圆承载区域中，并转动；遮挡盘位于晶圆承载区域中，且相对设置于卡盘上方。本发明提供的晶边刻蚀设备，可以兼容不同尺寸的晶圆，从而可以扩大兼容范围，降低生产成本。
刻蚀设备

[发明专利]反应腔室和晶圆对准方法-CN202210973128.0在审
发明人： 伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请公开一种反应腔室和晶圆对准方法，反应腔室包括承载机构、驱动机构、光路检测组件、腔体和控制组件，承载机构具有用于承载晶圆的承载面，承载机构通过驱动机构活动安装于腔体；光路检测组件包括光发射器和光接收器，光接收器用于探测光发射器发射出的光线，控制组件用以控制承载机构围绕腔体的轴线作旋转运动至预设时长，且获取承载于承载机构的晶圆与承载机构之间的偏离参数；控制组件还用于在偏离参数不为零的情况下，基于偏离参数，控制驱动机构驱动承载机构沿垂直于轴线方向的水平方向运动，以使晶圆的圆心位于腔体的轴线上。上述反应腔室可以使晶圆尽可能得保持相对居中的状态。
反应对准方法

[发明专利]半导体工艺设备-CN202210485439.2在审
发明人：林源为;伊藤正雄;简师节 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、上射频源、射频线圈结构和线圈接地装置，其中，工艺腔室包括工艺腔体和介质腔体，介质腔体位于工艺腔体的上方，且介质腔体与工艺腔体密封连接；介质腔体的内径由上而下递增；射频线圈结构包括立体螺旋线圈，立体螺旋线圈环绕在介质腔体周围，且立体螺旋线圈的内径由上而下递增，并且立体螺旋线圈的两端均与上射频源电连接；线圈接地装置位置可调的与立体螺旋线圈电连接，且立体螺旋线圈通过线圈接地装置接地，接地位置位于立体螺旋线圈的两端之间。本发明提供的半导体工艺设备，可以提高等离子体分布均匀性。
半导体工艺设备

[发明专利]晶圆的分割方法-CN202210346797.5在审
发明人：林源为;伊藤正雄 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆的分割方法，晶圆包括多个芯片，任意相邻的两个芯片之间均具有预先定义的切割道，分割方法包括：预分割步骤，介质件加工步骤，待挤压组件加工步骤和分割步骤。本申请实施例公开的晶圆的分割方法可以以解决目前采用等离子体切割工艺切割晶圆时，因切缝的深宽比相对较大，切割难度较大，且成本相对较高的问题。
分割方法

[发明专利]半导体工艺设备-CN202210222987.6在审
发明人：林源为;伊藤正雄 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室及抽真空装置，工艺腔室包括发生腔、加工腔、第一通道以及分流通道，发生腔用于生成等离子体，加工腔用于进行晶圆的刻蚀工艺，第一通道的两端分别与发生腔和加工腔连通，加工腔位于第一通道的旁侧，分流通道的两端分别与第一通道和抽真空装置连通；偏转装置，用于在第一通道内产生至少一个偏转场，以使发生腔内产生的至少部分等离子体中的带正电荷粒子进入至加工腔内，分流通道用于将偏转装置对等离子体偏转分离出的至少部分中性粒子导向抽真空装置；聚焦装置，设置在加工腔内，用于将进入加工腔的带正电荷粒子聚焦形成带电粒子束，以通过带电粒子束对晶圆进行刻蚀，从而实现无掩模的图形化刻蚀。
半导体工艺设备

[发明专利]车辆的排气装置-CN201880063170.0有效
发明人： 伊藤正雄;江崎孝志;向田丰 -专利权人：株式会社三五
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： F01N13/08 文献下载
摘要：在车辆的排气管中，在与上弯部(4)的上游侧连接的直管部(3)中的车辆上方区域设置向内部的突入部(6)。由此，提供一种能够使残留在上弯部(4)的上游侧的冷凝水积极地越过上弯部(4)而排出的排气管构造。可以构成为在直管部(3)的中途至上弯部(4)的中途为止的区域设置具有比直管部(3)大的内径的存积区域(51)，直管部(3)的上方壁面比存积区域(51)的上方壁面低。
车辆排气装置

[发明专利]半导体器件-CN201180068928.8有效
发明人：出口和亮;森本康夫;伊藤正雄 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。
半导体器件

[发明专利]带处理设备、标签标贴生产设备、标签组件和带处理方法-CN200680038292.1无效
发明人：宫下浩志;泷和也;木村弥雄;伊藤正雄 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 2006-10-11 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种RFID标签标贴生产设备、标签标贴生产设备、标签组件和带处理方法，其中RFID标签标贴生产设备1包括：标签插入器26，用于在从第一带辊211馈送出的第一带200A的粘合层200Aa与从第二带辊213馈送出的第二带200B的粘合层200Ba之间以预定间隔插入RFID标签Tg；以及基带辊215，用于卷取通过将第一带200A和第二带200B接合并由插入器226附加RFID标签Tg而生产的基带210，并将其制成标签带卷。RFID标签包括设置有存储信息的IC电路部分151和连接到IC电路部分151用于进行信息发送和接收的天线152的RFID电路元件To。
处理设备标签标贴生产组件方法

[发明专利]电子设备控制装置-CN200610137346.1无效
发明人：峰村淳;伊藤正雄;中西良明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-05-13 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种通过通信来控制电子设备的电子设备控制装置、和通过电子设备控制装置进行控制的电子设备，使电子设备控制装置和电子设备安全地共享共用密钥，并实行加密的通信。通过序列密钥取得部(102)取得被控制的电子设备的序列密钥，采用序列密钥通过共用密钥加密部(104)对在共用密钥保持部(103)中保持的共用密钥进行加密，通过加密共用密钥发送部(106)发送给电子设备，在电子设备控制装置和电子设备之间共享共用密钥，采用所共享的共用密钥通过控制信号加密部对控制信号进行加密，通过加密控制信号发送部(107)发送给电子设备。
电子设备控制装置

[发明专利]电子设备控制装置-CN02809642.8无效
发明人：峰村淳;伊藤正雄;中西良明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-05-13 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种通过通信来控制电子设备的电子设备控制装置、和通过电子设备控制装置进行控制的电子设备，使电子设备控制装置和电子设备安全地共享共用密钥，并实行加密的通信。通过序列密钥取得部(102)取得被控制的电子设备的序列密钥，采用序列密钥通过共用密钥加密部(104)对在共用密钥保持部(103)中保持的共用密钥进行加密，通过加密共用密钥发送部(106)发送给电子设备，在电子设备控制装置和电子设备之间共享共用密钥，采用所共享的共用密钥通过控制信号加密部对控制信号进行加密，通过加密控制信号发送部(107)发送给电子设备。
电子设备控制装置

[发明专利]信息检索装置和方法-CN99104149.6无效
发明人： 伊藤正雄;小山隆正 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-03-17 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明揭示一种包括多个搜索引擎，从而可迅速得到文献目录的信息检索装置。该装置包括：传送经客户单元接收的检索请求的通信单元，多个根据要求的检索条件检索数据并分类检索的数据的搜索引擎，分类全部搜索引擎检索的数据的总分类单元。用上述构成，通过部分取出各搜索引擎检索的数据，即可迅速制订期望的文献目录。
信息检索装置方法

[发明专利]服务器装置和信息处理装置-CN01804368.2无效
发明人：小早川雄一;坂田毅;伊藤正雄;峰村淳;松浦俊 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-11-29 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：本发明的服务器装置和信息处理装置根据用户的固有信息而简单进行最合适的通信设定，所述服务器装置(0203)包括接收终端侧的固有信息的固有信息接收部(0210)、以及管理通信设定信息的通信设定管理部(0211)等，所述信息处理装置(0201)包括发送固有信息的固有信息发送部(0204)、以及接收通信设定信息的信息接收部(0205)等。
服务器装置信息处理

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