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[发明专利]一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法-CN202010040193.9有效
发明人：刘静;伊福廷;王波;张天冲;梁小筱;颜铭铭;徐源泽 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法，其步骤包括：1)在硅片表面制备硅金字塔结构，然后在所述硅金字塔表面上制备硫化镉种子层；其中，硅金字塔结构用于增加硅表面与硫化镉种子层的粘附性；2)用水热法在硫化镉种子层上生长硫化镉纳米线，得到硫化镉纳米线阵列；3)用去离子水对步骤2)得到的硫化镉纳米线阵列进行漂洗、晾干。本发明首次通过引入金字塔结构，结合水热生长法，在硅片表面实现硫化镉纳米线的生长；金字塔的引入，增加了硅表面与硫化镉种子层的粘附性，相对于在硅片表面引入硅柱结构来说，方法简单，成本低，易于操作。
一种硅片表面生长硫化纳米阵列方法

[实用新型]一种有效的气冷低温恒温控制系统-CN202122471327.5有效
发明人：刘树虎;郑雷;赵屹东;唐坤;伊福廷;李建民 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： F25D3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有效的气冷低温恒温控制系统，它涉及低温的恒温控制系统领域。包括储气装置、冷气装置和传感器及自动PID控制设备，储气装置与冷气装置相连，冷气装置与传感器及自动PID控制设备相连；所述的储气装置包括储气瓶、主阀门和减压器，储气瓶顶部设置有主阀门，主阀门与减压器相连。本实用新型便于快速构建和操作的、适用于普冷区的低温恒温控制系统。
一种有效气冷低温恒温控制系统

[发明专利]一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法-CN202110735232.1有效
发明人：梁小筱;伊福廷;刘静;王波;张天冲;颜铭铭;徐源泽 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法。本方法为：1)在镀铬金的硅片上电镀Ni柱子阵列；2)在电镀有Ni柱子阵列的所述硅片上旋涂一层液态PMMA后进行烘干处理；3)运用套刻技术，将X射线掩膜版与所述硅片上的Ni柱子对准，然后进行曝光、显影后得到具有PMMA柱子阵列的样品，其中所述PMMA柱子阵列中每一PMMA柱子内部包含一Ni柱子；4)将步骤3)所得样品放入烘箱中加热，使得所述PMMA柱子阵列中的各PMMA柱子热熔为微透镜，得到微透镜阵列。本发明通过在PMMA柱子中加入Ni柱子，达到的增加微透镜接触角的效果，进而能够制备接触角较大的微透镜阵列。
一种 ni 柱子辅助 pmma 透镜阵列及其制备方法

[发明专利]一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法-CN202010150760.6有效
发明人： 伊福廷;刘静;张天冲;王波 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法，其步骤包括：1)选取两片PMMA光刻胶片和一有机丝；2)将该有机丝放在两片PMMA光刻胶片之间；3)将两所述PMMA光刻胶片相对的两面融合在一起包裹该有机丝，得到埋丝光刻胶片。本发明提供了一种全新的埋丝方法，与传统埋丝方法截然不同，而且埋丝位置易于调控且效率高，埋丝光刻胶片的成品率高。
一种 liga 技术丝光胶片及其制备方法

[发明专利]光栅及其制备方法-CN201810169872.9有效
发明人：王雨婷;伊福廷;王波;周悦;张天冲;刘静 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅及其制备方法，其中，该方法包括：对第一衬底进行第一处理，得到带有预定结构的第一金制图形，进而得到中间掩膜板；在第二衬底上制备纳米柱阵列，并采用该中间掩膜板对所述纳米柱阵列进行第二处理，得到带有预定结构的第二金制图形，进而得到最终掩膜板；以及采用所述最终掩膜板对PMMA片进行第三处理，得到正弦型位相光栅。本发明的制备方法简单，且能够制备得到表面形貌较为复杂的光栅。
制备掩膜板光栅纳米柱阵列预定结构衬底金制正弦型位相光栅表面形貌

[发明专利]一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法-CN201510977465.7有效
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之上电镀金得到所需的金图形，并去除光刻胶；用离子束刻蚀的方法去除作为底金的铬金种子层，露出第一层聚酰亚胺膜；在第一层聚酰亚胺膜表面继续旋涂第二层聚酰亚胺膜，金图形就包裹在两层聚酰亚胺膜中间；在硅片背面用湿法腐蚀的方法挖硅，开窗口，露出所需要的金图形，完成用于软X射线曝光的掩膜的制备。本发明避免了金图形在挖硅过程中所受到的破坏，使得前面的若干步骤都是在完整的硅片表面进行，操作方便。
第一层种子层铬金制备聚酰亚胺膜软X射线掩膜聚酰亚胺膜表面光刻胶图形曝光旋涂去除两层聚酰亚胺抛光硅片表面离子束刻蚀保护结构硅片背面硅片表面湿法腐蚀电镀金光刻胶开窗口蒸发

[发明专利]半导体气敏传感器及其制备方法-CN201610179398.9有效
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体气敏传感器及其制备方法。该半导体气敏传感器以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，包括：硅片；制备于硅片表面的大高宽比纳米柱阵列；包裹于大高宽比纳米柱阵列的气敏材料层；制备于气敏材料层表面的插指电极。该半导体气敏传感器的制备方法，包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹气敏材料层；在气敏材料层表面制备插指电极。本发明通过将大高宽比的纳米柱阵列以基底的形式应用于气敏传感器的表面，借助于硅表面的大高宽比柱状纳米结构，可以有效增加基底的表面比，提高单位面积上气敏材料量，增加气体分子的收集率与吸附性，从而实现提高气敏传感器性能的目的。
半导体传感器及其制备方法

[发明专利]一种改善光刻胶脱落的方法-CN201510977448.3有效
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善光刻胶脱落的方法，该方法是在衬底表面用氯化铯纳米岛自组装技术制备出合适尺寸及高度的纳米柱阵列，旋涂光刻胶后水平静置20分钟，让光刻胶充分嵌入纳米柱阵列之间。这种方法可以有效增加光刻胶与衬底的粘附力，适用于制备厚度较高、尺寸较小的光刻胶图形，特别是孤立光刻胶图形。
光刻胶光刻胶图形纳米柱阵列制备衬底表面氯化铯纳米岛自组装衬底旋涂粘附嵌入孤立

[发明专利]倒装芯片的封装方法-CN201510579955.1有效
发明人：柯全;伊福廷;潘明 -专利权人：柯全;伊福廷;潘明
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装芯片的封装方法，包括：在倒装芯片的电极表面和封装基板的表面同时电铸金属，实现倒装芯片的电极和封装基板之间通过金属连接。具体包括：S1、在倒装芯片周围设置封装基板；S2、在倒装芯片的电极表面和封装基板的表面镀金属导电膜；S3、在金属导电膜的表面涂覆光刻胶；S4、在光刻机上将光刻板上的电极结构与倒装芯片的电极结构对准并进行光刻，获得光刻胶结构模，并使得电极之间的绝缘部位覆盖光刻胶；S5、将金属导电膜作为电极，在光刻胶结构模内电铸金属，使得光刻胶结构模内长满金属；S6、去除覆盖在绝缘部位的光刻胶及光刻胶覆盖的金属导电膜。本发明利用电铸和光刻技术，简化工艺，提高生产效率。
倒装芯片封装方法

[发明专利]一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法-CN201510542911.1有效
发明人：刘静;伊福廷;李延春;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；摘除镂空金属掩膜版。本发明利用紫外光刻技术、套刻及离子束溅射镀膜技术完成在金刚石压砧上制备金属电极，能够在金刚石直径为300微米的圆形砧面上制备10微米宽的电极结构，该方法操作简单，避开了传统工艺中在金刚石砧面上的光刻过程，过程简单，易于操作。
一种金刚石压砧上制备金属电极方法

[发明专利]一种实现光刻胶微结构的方法-CN201410456863.X有效
发明人：张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现光刻胶微结构的方法，该方法包括在衬底表面制备网状负胶微结构；将该网状负胶微结构从衬底上剥离并平铺在固体正胶衬底上，此固体正胶衬底放置于导电基底上；通过热压的方法，将该网状负胶微结构嵌入该固体正胶衬底表层，同时将该固体正胶衬底粘附在导电基底上；对上述表层已嵌入网状负胶微结构并已粘附在导电基底上的固体正胶衬底，在预设的掩模板下进行曝光、显影，得到光刻胶微结构。利用本发明，通过在正性光刻胶衬底表面热压一层网状负胶微结构，使得其经过曝光、显影后，得到的光刻胶微结构中各个易倾斜、倒塌的局部被表面的网状负胶微结构相连，成为一个整体，进而有效地防止了各个局部的倾斜、倒塌。
一种实现光刻微结构方法

[发明专利]一种金属微结构及其制作方法-CN201610188420.6有效
发明人：张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅;孙钢杰;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属微结构及其制作方法，其中方法首先在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影，以在基片的表面形成光刻胶图形，然后令基片发生形变，以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变，接着在基片表面上的非光刻胶图形处，进行金属镀膜，最后去除光刻胶和基片，得到金属微结构。本发明实现了具有不同轴线方向通孔的金属微结构，其在光学成像领域有重要应用价值。
一种金属微结构及其制作方法

[发明专利]一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法-CN201510346116.5有效
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括对硅片进行三氯氧磷扩散形成P‑N结结构；去除硅片背面及侧面的P‑N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未被金属栅线电极覆盖的硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构，以氯化铯纳米圆岛结构为掩膜刻蚀硅片，将氯化铯纳米圆岛结构转移到硅表面上，去除氯化铯纳米圆岛结构，在未被金属栅线电极覆盖的硅片表面获得硅纳米柱状结构；高温烧结，使金属栅线电极与硅片形成欧姆接触。本发明相对于常规方法减少了紫外光刻及套刻等步骤，工艺程序简单很多，成本随之降低，工艺难度也有所降低，更加适合工业生产。
一种制作选择性纳米织构化硅光电池方法

[发明专利]以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法-CN201610621268.6在审
发明人：刘静;伊福廷;王波;张天冲;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，磁控溅射的方法包裹其他薄膜材料，形成异质结结构。其制作方法包括：在P型硅片表面用氯化铯纳米岛自组装的方法制备大高宽比纳米柱阵列；在背面制备铝背场；用磁控溅射的方法在硅纳米柱阵列表面包裹氧化锌、硫化镉等N型材料层；在N型材料层表面覆盖ITO透明导电层；在上表面制备钛银电极。这种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的异质结电池其优点在于：第一，可以有效增加基底的表面比，提高异质结的有效面积，增加对入射光的吸收；第二，借助于大高宽比纳米柱阵列良好的陷光作用，能够减小反射，提高异质结电池的性能。
纳米阵列基底异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的光敏电阻及其制备方法-CN201610407694.X在审
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的半导体光敏电阻及其制备方法。该种光敏电阻是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，光敏材料层包裹在纳米阵列表面。其制作方法包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹硫化镉等光敏材料层；在光敏材料层表面用热蒸发的方法制备插指电极。这种半导体光敏电阻，借助于硅表面的大高宽比柱状纳米结构，可以有效增加基底的表面比，提高单位面积上光敏材料量，增加敏感材料与入射光的接触面积，增加对入射光的吸收，从而实现提高光敏电阻性能的目的。本发明对敏感材料的选择性更为广泛，可以克服有些敏感材料难以纳米化的问题，可以应用于多种半导体光敏电阻表面。
大高宽纳米阵列基底光敏电阻及其制备方法

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