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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810255464.5有效
发明人：郑兆钦;杨玉麟;云惟胜;徐振峰;李东颖;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，其中第一半导体层与第二半导体层交互堆叠。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。蚀刻未被牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区，借此形成源极/漏极空间。通过源极/漏极空间侧向蚀刻第一半导体层。在被蚀刻的第一半导体层的每一个的一端上形成由介电材料制成的内间隔物。在源极/漏极空间中形成源极/漏极外延层以覆盖内间隔物。在侧向蚀刻第一半导体层之后，每一个第一半导体层的侧端具有V形截面。
半导体装置制造方法

[发明专利]存储器阵列、集成电路及其制造方法-CN202210064126.X在审
发明人： 云惟胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开的各种实施例针对一种存储器器件及其制造方法，所述存储器器件包括在侧向上包围存储单元的保护性侧壁间隔壁层。上部层间介电(ILD)层上覆在衬底之上。存储单元设置在上部ILD层内。存储单元包括顶部电极、底部电极及设置在顶部电极与底部电极之间的磁隧道结(MTJ)结构。侧壁间隔壁结构在侧向上环绕存储单元。侧壁间隔壁结构包括第一侧壁间隔壁层、第二侧壁间隔壁层及保护性侧壁间隔壁层。第一侧壁间隔壁层及第二侧壁间隔壁层包含第一材料，且保护性侧壁间隔壁层包含与第一材料不同的第二材料。导电走线上覆在第一存储单元之上。导电走线接触顶部电极及保护性侧壁间隔壁层。
存储器阵列集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201810902002.8有效
发明人：郑兆钦;杨玉麟;云惟胜;徐振峰;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体装置与半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括：形成一鳍状结构，其具有交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层；在鳍状结构上形成一牺牲栅极结构；非等向蚀刻该牺牲栅极结构未覆盖的该鳍状结构的一源极/漏极区，以形成一源极/漏极空间；在该源极/漏极空间中形成一源极/漏极外延层；移除牺牲栅极结构，以露出鳍状结构的一部分；自露出的该鳍状结构移除该第一半导体层；形成朝向该源极/漏极外延层的多个凹陷部；在这些凹陷部中形成多个内侧间隔物；以及形成一栅极介电层以覆盖这些内侧间隔物，并形成一栅极层以围绕第二半导体层，其中内侧间隔物与该栅极介电层隔离该栅极层与该源极/漏极外延层。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210374852.1在审
发明人：余绍铭;李东颖;云惟胜;杨富祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201810911580.8有效
发明人：余绍铭;李东颖;云惟胜;杨富祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110053759.6在审
发明人：萧孟轩;李东颖;云惟胜;蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成在第一方向上交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构。所形成的第一半导体层的厚度在第一方向上进一步远离衬底间隔开的每个第一半导体层中增大。将堆叠结构图案化为沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸的鳍结构。去除相邻的第二半导体层之间的第一半导体层的部分，并且栅极结构形成为在第三方向上在第一半导体层的第一部分上方延伸，使得栅极结构包裹第一半导体层。第三方向基本垂直于第一方向和第二方向。在第一半导体层的第一部分处的第一半导体层中的每个具有基本相同的厚度。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202011104493.5在审
发明人：林毓超;云惟胜;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括一第一鳍部结构及一第二鳍部结构，形成于一基底上方。半导体装置结构包括一第一栅极结构，形成于第一鳍部结构上方，且第一栅极结构包括一栅极介电层的第一部分及一填充层的第一部分。半导体装置结构还包括形成于第二鳍部结构上方的一第二栅极结构以及位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的一第一隔离密封层。第一隔离密封层直接接触栅极介电层的第一部分与填充层的第一部分。
半导体装置结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711278787.8有效
发明人：郑兆钦;云惟胜;陈奕升;余绍铭;陈自强;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上方的I/O器件；以及在衬底上方的核心器件。I/O器件包括第一栅极结构，第一栅极结构具有：界面层；在界面层上方的第一高k介电堆叠件；以及导电层，导电层在第一高k介电堆叠件上方并且与第一高k介电堆叠件物理接触。核心器件包括第二栅极结构，第二栅极结构具有：界面层；在界面层上方的第二高k介电堆叠件；以及导电层，导电层在第二高k介电堆叠件上方并且与第二高k介电堆叠件物理接触。第一高k介电堆叠件包括第二高k介电堆叠件和第三介电层。本发明实施例还提供一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]全包覆式栅极结构及其制造方法-CN201910146340.8在审
发明人：萧孟轩;云惟胜;陈维宁;李东颖;叶凌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本发明实施例涉及全包覆式栅极结构及其制造方法。本揭露提供全包覆式栅极结构，其包含：半导体鳍片，其具有顶表面；第一纳米线，其在所述顶表面上方；第一空间，其在所述顶表面与所述第一纳米线之间；第N纳米线及第N+1纳米线，其在所述第一纳米线上方；及第二空间，其在所述第N纳米线与所述第N+1纳米线之间。所述第一空间大于所述第二空间。本揭露还提供一种用于制造本文中所描述的所述全包覆式栅极结构的方法。
纳米线全包覆式栅极结构顶表面第二空间第一空间半导体鳍片制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811128368.0在审
发明人： 云惟胜;林佑儒;余绍铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体装置的方法。接纳半导体衬底。图案化所述半导体衬底以形成彼此间隔的多个突出部，其中所述突出部包括基底区段，及堆叠在所述基底区段上的晶种区段。形成多个第一绝缘结构，从而覆盖所述基底区段侧壁且暴露所述晶种区段的侧壁。形成多个间隔件，从而覆盖所述晶种区段的所述侧壁。部分移除所述第一绝缘结构以部分暴露所述基底区段的所述侧壁。移除从所述第一绝缘结构暴露的所述基底区段。在所述晶种区段下方形成多个第二绝缘结构。
基底区段绝缘结构侧壁晶种半导体装置突出部衬底移除暴露半导体制造间隔件图案化堆叠覆盖接纳

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